半导体C-V测量基础

通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。     

半导体C-V测量基础

通用测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构.此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件.     

半导体C-V测量基础C-V测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息

通用测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构.此外.利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT).JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件.     

半导体C—V的测量

电容一电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。     

关于“高频MOS-CV分析”实验装置中几个问题的探讨

半导体表面对半导体器件的特性有极大的影响,有时甚至对器件的特性起决定性的作用.半导体器件的可靠性及稳定性在很大程度上决定于半导体表面.所谓C-V分析技术,是指测量并分析MOS电容器的电容一电压特性,以确定氧化层、半导体层及其界面的许多特性.通过对MOS结构C-V特性的测量与分析,可以了解半导体表面的各种状态及SiO_2层中SiO_2-Si界面的各种电荷的性质,测量SiO_2的厚度、硅基体的杂质浓     

吉时利推出ACS基础版半导体参数测试软件的最新版本

吉时利仪器公司．日前针对半导体测试与测量应用推出ACS基础版半导体参数测试软件的最新版本。ACS基础版V12进一步提高了组件或离散（封装的）半导体器件特征分析的可用性、便捷性和测试产能。它具有Trace模式，能够实时检查测量结果．采用交互的方式控制电压扫描．避免紧急情况下可能出现的器件击穿。除了完全支持吉时利各种数字源表（SMU）之外．     

安捷伦推出增强型源测量单元

安捷伦科技日前宣布推出三通道的源测量单元（SMU），这种仪器可以进行各种器件的参数测试，如在二极管、LED、CMOS集成电路和其它半导体器件参数测试应用中同时提供电源并进行测量。U2723AUSB模块化SMU紧凑的外形结构将节省工作台空间，改进的吞吐率将为工程师缩短测试时间。这是加入Agilent USB模块化仪器家族的最新成员。     

C60/PMMA复合电双稳器件的制备及电学性能研究

介绍一种基于C60/Polymethyl Methacrylate(PMMA)复合体系的电双稳器件,在室温下的I-V测试曲线表明器件具有电双稳特性,并且可实现稳定的"读-擦-读-写"操作。C-V测试曲线表明器件存在一个平带电压的偏移是由于存在C60分子的缘故,这说明C60分子在器件的工作过程中起到对载流子的陷获、存储以及释放的作用。在器件C-V特性曲线的基础上,阐述了载流子的输运机制。     

对n型Si外延片表面处理方法的研究

Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料。外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能。简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表面处理的原因,研究了不同的表面处理方法对电阻率测试结果的影响,发现对于外延层的电阻率ρ>1Ω.cm的n型Si外延片,采用紫外光(UV)表面处理是一种合适的表面处理方法,该方法应用于实际生产测试过程。     

半导体器件测试虚拟仿真教学实验设计

半导体器件是集成电路的核心基础,器件特性是器件建模和集成电路设计的重要依据,半导体器件测试成为集成电路相关领域人才必须掌握的重要实践能力。针对实际测试实验存在设备和耗材昂贵、测试过程耗时长等问题,通过搭建半导体器件交直流特性测试系统的虚拟模型,并基于InP基器件科研测试数据反哺教学,学生通过对器件在不同偏置下不同特性的虚拟测试,巩固半导体器件理论知识,掌握测试设备操作技能,全面提升动手实践能力。