单节锂离子电池保护电路

Ｕｎｉｔｒｏｄｅ公司推出甚小的１８引脚ＢＣＣ封装的ＵＣＣ３９５２单节锂离子电池保护器,它符合最新的４ｍｍ宽峰窝电话电池的规格。ＵＣＣ３９５２是为采用单节锂离子电池的便携设备（如蜂窝电话,寻呼机,ＰＤＡ）设计的。ＵＣＣ３９５２是一款单片ＢＩＣＭＯＳ锂离子电池保护电路,其框图示于图１。电池保护特性包抱：内部校正的充电和放电电压限制,带延迟停机功能的放电电流限制以及在电池放电时特低的电流休眠模式状态。另外,芯片上包括ＭＯＳＦＥＴ,这可降低外部元件数,使得应用电路只需要一个外部电容器（见图幻。它所含的电…     

基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析

研究了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析有效算法 :通过恰当的系统解耦、松弛迭代和边值问题求解等方法避免了复杂的 PDE周期稳态分析 ,较好地解决了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析的计算效率问题。采用该算法仿真典型的 C类功率放大器得到电流波形和工业界公认标准器件仿真器 MEDICI瞬态模拟得到电流波形比较 ,显示出很好的一致性。     

基于MOSFET PDE模型的射频自治电路周期稳态算法研究

本文研究了基于MOSFET PDE模型的射频自治电路周期稳态求解算法.采用该算法仿真典型的Colpitts振荡器电路,得到电压波形和工业界公认标准器件仿真器MEDICI瞬态模拟得到电压波形具有很好的一致性.     

MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOS-FET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

MOSFET器件回顾与展望(上)

简述了MOSFET器件工作原理,回顾了器件发展历程,列出亟待解决的器件工艺问题以及面临的挑战.     

射频MOSFET噪声模型研究

对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。     

SET/CMOS混合器件研究

阐述了纳米线和纳米管电子器件的研究状况,对两种SET/CMOS基本混合器件的结构和应用以及仿真实现方法进行了论述。总结了SET/CMOS混合器件的特点。对纳米电子器件的发展进行了展望。     

短沟道源极肖特基势垒SOI MOSFET研究

随着MOSFET的特征尺寸的不断减小,短沟道效应越来越严重,阻碍了器件尺寸的进一步按比例缩小。如何有效地抑制短沟道效应已经成为当今的热门研究课题。本文提出了一种新型的SOI MOSFET结构,该结构漏极采用重掺杂的欧姆接触,源极采用肖特基接触。借助于SILVACO TCAD仿真工具,仿真出了该器件的各项性能参数,并与普通的SOI MOSFET进行对比研究,结果显示这种源极肖特基势垒SOI MOSFET能够更有效地抑制短沟道效应,且具有更大的输出电阻、更低的亚阈值电流和功耗。     

1700V碳化硅MOSFET设计

设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。     

1200V碳化硅MOSFET设计

设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。     

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。     

以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是高度可靠的功率SO—8封装。     

晶振器件电路部分的失效分析研究

介绍了晶振器件的电路结构,并通过具体的案例,对晶振器件电路部分的失效现象以及分析流程进行了研究,以确定真正的失效机理。     

晶圆级封装微凸点脱落失效分析

随着晶圆级封装的技术发展,其可靠性倍受关注,微凸点的制备作为晶圆级封装实现高密度引出端的关键技术,其制备过程及可靠性至关重要,明确微凸点相关失效的原因对于提升微凸点的可靠性十分关键。针对晶圆级微凸点的拉脱异常失效进行了分析,采用SEM和FIB等分析手段,确定凸点拉脱强度由不足是UBM金属层失效所致,针对UBM失效的根本原因进行了分析,确定存放环境中的水汽对UBM种子金属的侵蚀情况,明确了失效机理,并提出了相关的改进措施,对于提高晶圆级封装微凸点制备的可靠性具备一定的指导作用。     

MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟

针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来。它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏 -安特性 ,而且比 PDE模型易于求解 ,从而大大提高了电路模拟的速度。通过模拟几个具体的 RF电路 ,将这个模型与 PDE模型作了比较 ,结果表明两者吻合得很好。     

WLCSP封装技术中的集成无源器件

芯片规模封装技术一直倍受高性能、小形状因素解决方案在各类应用中的关注。芯片规模封装与球栅阵列(BGA)封装之间的区别变得不可分辨,已成为“细间距BGA”的同义词。芯片规模封装成本也是业界关注的焦点之一。芯片规模晶圆级封装是提供小形状、高性能和低成本的最快途径。论述了集成无源器件加工、低成本化的晶圆级芯片规模封装技术。     

深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究

基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。     

应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究

在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。     

恩智浦发布了符合汽车工业标准的LFPAK封装功率MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。