NEC先进的RRH技术

1 RRH技术简介 RRH（射频拉远）技术的特点是可以将基站分成无线基带控制和射频拉远单元两部分。其中无线基带控制部分设备是RS（radio server）,可以单独进行远程设定,能在灵活构建网络的同时降低运营商的资本支出（CAPEX）和运营成本（OPEX）。     

NEC先进的RRH技术

随着国内3G牌照颁发的日益临近,各大运营商都投入 到3G网络的建设之中。然而,3G网络构建需要巨额资金, 如何控制资本支出以及运营成本,同时保证3G网络的质 量,是运营商需要直接面对的问题。 3G网络的核心设备之一是基站。构建基站的成本在3G     

快速定向生长中的Al—Cu—Co—Ge十次对称准晶

快速定向生长中的Ａｌ—Ｃｕ—Ｃｏ—Ｇｅ十次对称准晶陈立凡，李方华（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）自从发现准晶以来，已在许多合金系中观察到了十次对称准晶，其特点是具有一个十次对称轴，而且沿此轴方向有平移周期。在沿十次轴方向拍摄的电子衍射花样中...     

Ge预非晶化硅化物工艺的研究

对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究．Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量．Ti硅化物在非晶层上形成．与传统的Ti硅化物相比，注Ge硅化物工艺有两个明显的特点：一是硅化物形成温度较低；二是硅化物厚度容易控制．采用注Ge硅化物工艺，使源漏薄层电阻约为5.2Ω/□．经过工艺流片，获得了性能良好的器件和电路，其中，当工作电压为5V时，0.8μm 101级环振电路延迟为45ps．     

NEC推出先进的点到点无线接入系统

近日，德州仪器（TI）宣布全球语音及数据通信设计制造公司Aztech Systems（Aztech）将在其新一代ADSL2＋网关中选用TI小区网关（RG）解决方案。Aztech新一代产品能以低成本通过ADSL2＋网络连接提供宽带服务以实现包括诸如IPTV及VoIP等功能在内的三重播放业务。     

Ge预非晶化硅化物工艺的研究

对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究．Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量．Ti硅化物在非晶层上形成．与传统的Ti硅化物相比，注Ge硅化物工艺有两个明显的特点：一是硅化物形成温度较低；二是硅化物厚度容易控制．采用注Ge硅化物工艺，使源漏薄层电阻约为5.2Ω/□．经过工艺流片，获得了性能良好的器件和电路，其中，当工作电压为5V时，0.8μm 101级环振电路延迟为45ps．     

NEC已竣工最先进的半导体研究与开发厂房

NEC相模原事业部场地内的先进半导体研究开发设施——“UC楼”第一期开发线开始运行。“US楼”预计研究开发最窄条宽为0．18－0．ffil州世界最先进的微细加工技术。该楼为钢筋混凝土6层楼建筑，净化间为3层板结构。分3期依次建设开发试制线。本次在第6层楼计划建立用于制作0．1     

Al／Ge双层膜分形晶化及阻抗特性研究

本文用高分辨透射电镜ＨＲＥＭ（ＪＥＯＬ２０１０）观察了Ａｌ／Ｇｅ双层膜的分形行为及其微结构特征，并采用四探针法对具有不同分形维数薄膜样品的电阻率进行了测量，获得了一些有探讨价值的实验结果     

Ge,Al共掺SiO2薄膜的发光性能研究

用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因。实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率。     

NEC推出先进的点刭点无线接入系统

日前，NEC公司宣布向全球市场推出一种新型点到点无线接入系统——PASOLINK NEO。该系统为基于IP的高速宽带网络而设计，并配备了吉比特位以太网接口（GbE）。拥有先进的功能和良好的可扩展性。     

红外光学用Ge双面抛光片抛光工艺条件研究

分析了不同抛光条件下,Ge双面抛光片的表面状况,通过抛光压力、抛光液中氧化荆的比例、抛光机转速和转速比等条件的改变,阐述了这些因素对抛光速率、抛光片正反面质量的影响,得到了相应的关系图表.根据实验结果,确定了Ge双面抛光工艺条件,采用该工艺条件对Ge片进行双面抛光,抛光片的几何参数指标和表面质量均能满足红外光学应用对抛光片的要求.     

NEC先进的RRH技术助力运营商构建高效网络

随着国内3G牌照颁发的日益临近,各大运营商都在厉兵秣马,将大量的人力、物力和财力投入到3G网络的建设之中。然而,3G网络构建需要巨额资金,如何控制资本支出以及运营成本,同时保证3G网络的质量,是运营商需要直接面对的问题。众所周知,3G网络的核心设备之一是基站,构建基站的成本在3G网络投资中占有很大比例。选择能够削减网络构建成本,同时能够维护网络质量的基站,     

金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征

基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接 触电阻率和电流-电压(I-V)特性曲线,分析 对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性。实验结果发现,由于金 属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实 现低的比接触电阻率;而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×10¹⁸ cm－3时,并且经过退火,比接 触电阻率能达到4.0×10－7 Ω·cm²;Al与n型Ge和n型Si接 触电极相比,后者可形成良好的 欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n⁺Si接触 电阻率能达到5.21×10－5 Ω·cm²,达到了制作高性能Ge 光电器件的要求。     

Cu—Zn—Al合金马氏体结构的电镜研究

一般认为Cu—Zn—Al合金电子浓度大于1.454时,马氏体为18R和2H两种类型的长周期结构,其基面(001)面上的原子有序排列,X射线分析初步判断18R型马氏体为单斜晶系,点阵参数为a=4.45A,b=5.29A,c=38.3A,β=88.7°。但X射线法难于肯定地排除它是基面原子无序排列,因而b与c都减半的9R结构,因为18R中的超结构反射强度非常弱。此外,还须区别β=90°的N18R与β(?)90°的M18R两种结构。为此,对Cu—Zn—Al合金中马氏体的结构进行了电子显微镜研究。     

东芝和NEC合作开发32nm工艺

继东芝和NEC从2006年2月共同开发45nm工艺技术后，两公司又于2007年11月底达成协议，合作开发下一代32nm工艺。开发工作将仍在东芝公司设在横滨的先进微电子中心进行。这次开发工作仅就32nm基础技术达成了协议，其他技术将另作协议。     

NEC在DAC上展示先进软硬件协同验证系统

NEC的研究人员声称研制成功软硬件协同验证(HW／SW co-verification)的新方法，日前在设计自动化大会上(Design Automation Conference，DAC)公布了这种组合仿真和模拟系统的细节。该方法集成了一个C++仿真器和一个低成本的FPGA模拟器，采用共享寄存器通信。     

磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响

因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。     

华虹NEC推出业界领先的银行卡工艺平台

上海华虹NEC电子有限公司宣布,基于公司成熟的0.13μm嵌入式EEPROM工艺,成功地开发出了满足双界面银行IC卡产品的设计要求的银行卡工艺平台,进一步巩固公司在国内智能卡产品,尤其是安全类芯片领域的领导厂商地位。     

NEC电子与东芝共同开发45nm工艺

NEC电子和东芝日前宣布将合作开发45nm CMOS逻辑制造工艺。这两家公司开始讨论全面结盟的可能性,把合作范围扩大至从设计和产品开发一直到产品制造。东芝很早就介入了45nm工艺技术的开发,而且它们拥有各类合作开发的经验。NEC电子与东芝之间的上述声明,意味着NEC电子加入索尼/东芝的团队,该团队在东芝位于横滨的先进微电子中心开展工作。在双方同意合作开发45nm工艺之后,关于在系统芯片产品方面开展全面合作的讨论即将开始,涉及设计环境、产品开发和制造等方面的合作。发言人表示,两家公司都在使用90nm工艺生产系统芯片,但都没有迁移…