整流天线中微波二极管的大信号整流特性研究

本文首次给出了一种可以直接测量微波二极管大信号特性的试验装置，利用此装置可直接测得二极管大信号S参数，进而可由软件仿真优化出二极管大信号的等效电路模型参数。本文对HSMS8202二极管10GHz时的大信号S参数进行了测量，并对其RF-DC的转换效率进行了研究，利用测得的大信号输入阻抗，设计了一个匹配电路，最终在9．75GHz，90mW输入功率和直流负载为200Ω下得到了70％的转换效率。此测量方法可广泛适用于一般固态器件大信号的特性测量。     

肖特基二极管与快恢复整流二极管之比较

本文对肖特基二极管与恢复恢复整 二极管在同样作为有效开发方面简要作一下比较。     

半导体整流器件的重要分支——高压二极管

整流器件是半导件器件中最常见的器件,可以说在任何家用电器和工业电气、电子设备中都能见到它的身影。随着科学技术的进步,一些过去人们知之甚少的分支获得愈来愈广泛的应用,高压二极管即是其中之一。下面就高压二极管的分类,结构特点,常规电特性及其安全使用注意事项作一简述。1.高压二极管的分类高压二极管在国内被俗称为高压硅堆。一般把标称反向电压大于2000伏的整流器件列于其中,这是因为它们具有相似的结构,即一个封装体内包含着两个或两个以上的整流单元(P-N结)。大多数情况下它们首尾相联,也就是顺向串联。但不排除其它联接方式。…     

一种2.45 GHz微波二极管整流电路

为了提高用于微波无线功率传输的微波整流效率,本文采用微带结构实现了一个2.45 GHz的微波二极管整流电路.仿真实验结果证明在输入功率约为20 dBm的情况下,获得了大于50%的整流效率.通过完善和改进电路,可以进一步提高整流的效率,并应用于微波整流天线.     

提高汽车整流二极管的工作可靠性

汽车整流二极管(2CZQ)是汽车硅整流交流发电机的一个重要组件。硅整流元件(简称元件)的质量及可靠性的好坏,直接影响汽车交流发电机的寿命。半导体器件是一种对外界环境、使用条件比较敏感的元件。特别在汽车工作环境中,在热量和瞬间电压的变化比较大的情况下,当工作条件处于某一值时,元件正常工作;超过某一值时,就可能导致某一元件的完全损坏。所以,对在不同工作条件下,元件的适应程度及变化的分析是很有必要的。     

硅整流二极管的可靠性评价

本文用电耐久性能试验，通过电路选择，试验结果的失效分析等对硅整充二极管进行可靠性评价。该方法简单易行。试验结果可信并符合国家标准要求。     

带有工作温度高达175℃的IGBT、续流二极管和整流二极管的一种新型600V整流-逆变-制动斩波模块

跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。     

一种915MHz紧凑型肖特基二极管微波整流电路

为了提高射频标签(RFID)中基于肖特基二极管微波整流电路的效率,采用微带结构实现了一种915 MHz紧凑型的整流电路。该微波整流电路具有质量轻、尺寸小、整流输入功率动态范围大等特点,设计的仿真和实验结果显示:输入微波功率在13 dBm~22 dBm的情况下,均获得了高于60%的整流效率。通过完善改进电路,可以进一步提高整流的效率,并应用于微波无线能量传输或大型RFID的微波整流天线。     

玻璃钝化功率整流二极管芯片国产化设计

从电极设计、台面造型和尺寸控制、降低高温漏电流及反向软恢复等四个方面提出了玻璃钝化整流二极管芯片的国产化设计方案。经二极管引进线的规模生产实施和相应的成品二极管整机批量使用,取得了满意的结果。     

改进表面钝化提高塑封整流二极管的可靠性

塑料封装整流二极管是电子仪器和设备的重要器件之一,主要用于彩色及黑白电视机、录放象机、收录机、组合音响、无线电通讯设备、雷达、自动控制等设备,国内每年需求量为14～16亿支。它具有工艺简单、成本低廉、外型一致性好、便于机械手装配等特点。 然而,塑封整流二极管与玻封整流二极管相比,却存在可靠性较差的弱点。为了提高彩色电视机及军用设备的可靠性,目前普遍采用价格比较昂贵的玻璃钝化塑封二极管。     

整流二极管在民航接入网电源中的应用改进

整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子,具有明显的单向导电性,可用半导体锗或硅等材料制造,主要用于各种低频整流电路。文中就民航接入网电源改造工程中整流二极管的应用实例来进行介绍。     

高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作

通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件.为了验证结构的优势,同时制作了用于对比的传统指型器件.通过大量测试,得到联U型器件的平均寄生电阻为2.38 Ω,约为指型器件的89.8％.零偏压下联U型器件的结电容为0.48 pF,约为指型器件的90.6％.联U型器件的平均截止频率为139 GHz,相比指型器件提高了约23％.在不增加寄生电容、不牺牲功率容量的情况下,降低了二极管的寄生电阻,大大提高了高频状况下GaN微波整流二极管的整流效率.     

Si基JBS整流二极管的设计与制备

基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。     

实现一种沟槽结构肖特基二极管的研发

文章提出了一种沟槽结构肖特基二极管,具有超低正向压降的特性。结合仿真设计软件,给出了器件参数优化设计方法,采用铜桥焊接,生产的LV10T100E产品性能优良,经过测试,达到了国外同类产品水平。