光刻对准技术研究进展

回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。     

纳米光刻对准方法及其原理

对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。经过分析,从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度,而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。因此,基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。     

用于光学光刻生产的提高型整片对准技术

本文从对准系统与对准过程、提高型整片对准计算、激光步进对准测量系统、以及激光步进对准探测中对准标记形貌的作用等几个方面，介绍了Ｎｉｋｏｎ公司研制的一种用于光学光刻生产的提高型整片对准技术（ＥＧＡ）。研究结果表明，该技术的生产效率接近标准的整片对准技术，套刻精度达到逐场对准的技术水平     

斯塔克电光调制技术在CO2激光器稳频中的应用

文中介绍了将斯塔克(Stark)电光调制技术应用于CO_2激光器稳频的基本原理与实验装置,并分析了实验结果。实验表明:应用Stark电光调制技术于CD_2激光器的稳频可获得10~(-9)～10~(-10)量级的频率稳定度。     

在紫外光激励成极性的锗硅光纤中的电光调制

本文报道了迄今在锗硅光结中测到的最高电光效应。     

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

本文主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度.分析了影响光刻对准的各个主要因素.主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。     

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法.     

底面对准曝光中的对准技术研究

主要论述了底面对准光刻机的对准原理、工作台结构以及对准标记的形式和尺寸的选择。     

一种数字光栅无掩模光刻对准方法

针对数字微反射镜装置(DMD)无掩模光刻系统,提出并研究了一种数字光栅无掩模光刻对准方法,将硅片的微位移放大显示在数字光栅与硅片物理光栅叠加产生的叠栅条纹中。建立了基于DMD的数字光栅无掩模光刻对准模型,设计了对准标记以及具体的实现方案,并对模型进行了数值仿真和初步的实验验证。结果表明,采用频率可变、图像干净、具有良好周期性结构的数字光栅代替传统的真实掩模光栅,真正实现了零掩模成本;并且采用变频率数字光栅可以扩大测量范围,减小位移测量误差。最终可以实现深亚微米的对准精度,满足目前无掩模光刻对准精度的要求。     

X射线光刻对准边缘增强技术及性能研究

针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证。采用一种新的测试方法，即先通过软件得到大量的数据，然后再进行数据分析，得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好，而改进后的SOBEL II算子的对准时间最短，对准精度也很高。     

电光调制的新方法

本文介绍了一种电光调制的新方法。与一般的电光调制过程相比较,具有半波电压低,通光孔径大等优点。实验结果与理论分析极其相符。     

Novel Nano-scale Overlay Alignment Method for Room-temperature Imprint Lithography

A novel nano-scale alignment technique based on Moiré signal for room-temperature imprint lithography in the submicron realm is proposed. The Moiré signals generated by a pair of quadruple gratings on two templates respectively are optically projected onto a photodetector array, then the detected Moiré signals are used to estimate the alignment errors in x and y directions. The experiment result indicates that complex differential Moiré signal is sensitive to relative displacement of the pair of marks than each single Moiré signal, and the alignment resolutions obtained in x and y directions are ±20nm(3σ) and ±24nm(3σ). They can meet the requirement of alignment accuracy for submicron imprint lithography.     

基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的研制

介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的原理,详细分析了此系统的硬件设计、软件设计以及扫描场的校正过程。利用硬件获取扫描图像,并进行实时标记校正,利用软件进行标记位置识别和校正参数计算,满足了曝光机对准系统在性能和精度上的要求。在100μm扫描场下进行拼接曝光实验,达到了77.3 nm(2σ)的拼接精度。     

玻璃基片双面光刻对准工艺流程的研究

介绍了双面光刻对准原理及技术新发展,表明了不变焦对准的技术优势.针对玻璃基片设计了十字加方框的对准图样,经重新调焦,利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现对准,不再采用静态存储的掩模数字图像作为精对准基准,规避了可能由物镜侧移带来的对准误差.最后提供了几种常用的对准标记图样,并为了加工操作的便利引入了辅助搜索线.     

SiGeC薄膜表征对于光刻对准性能的影响研究

Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAs HBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。