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添加剂粉料的颗粒度对ZnO压敏电阻通流能力的影响 总被引:9,自引:4,他引:5
ZnO压敏电阻的原材料中,除了主原料ZnO粉的颗粒形状和大小对压敏电阻性能产生影响外,添加剂粉料的颗粒度也会对压敏电阻性能产生影响,尤其会影响压敏电阻的通流能力。本文采用液相化学方法制备了颗粒细的添加剂粉,结果表明,采用液相化学方法对添加剂进行处理是提高压敏电阻通流能力的一条有效途径。 相似文献
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采用籽晶法研制低压敏电压的ZnO陶瓷,研究了ZnO陶瓷的制备工艺,测试了材料的微观结构。考查了原料种类对ZnO陶瓷电学性能的影响,并进行了ZnO压敏陶瓷的工业化实验研究。 相似文献
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ZnO元件以基准电压UnmA/mm来评价,新研制的高电位梯度ZnO元件的基准电压约为普通ZnO的二倍;介绍了高电位梯度ZnO元件在22kV~765kVSF6绝缘罐式避雷器中的应用情况。 相似文献
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BaO—ZnO—La2O3—B2O3系统玻璃结构的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
ZnO-La2O3-B2O3玻璃具有高折射、低色散的特点。但该系统玻璃容易析晶失透,常需加入一些高价金属氧化物,如V2O5,Nb2O5等。本研究通过加入BaO,提高了该系统的玻璃形成能力。研究表明,加入少量的BaO,使玻璃网络中〔BO4〕和〔ZnO4〕数量上升,非桥氧数量下降,玻璃网络趋于稳定,玻璃形成能力提高。实验表明,在BaO-ZnO-La2O3-B2O3玻璃网络中Zn^2+离子的配位与BaO 相似文献
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本研究着重进行了配方组成、ZnO预处理、电阻片规格尺寸、成型工艺等方面的研究。实践证明,ZnO原料本体的预处理,添加适量的Al3+和采用相应的工艺条件,能降低ZnO晶粒本体电阻,可以改善ZnO电阻片在大电流下的非线性特性,并且根据配方组成,确立了合理的成型制度,提高了性能,在国内达到了较高的水平。 相似文献
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化学合成法制备ZnO压敏电阻的研究 总被引:4,自引:4,他引:4
化学合成法是一种制取超细、均匀分布粉体的有效方法。本文综述了化学合成法在制备ZnO压敏电阻粉体方面的应用研究,并对其性能进行了概述。其中包括化学共沉淀制取ZnO压敏电阻粉体、EDS(Evaporative Decomposition of Solutions)法制取ZnO压敏电阻粉体和溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制取ZnO压敏电阻粉体。还对化学合成法制取ZnO压敏电阻粉体材料的发展作了概述。 相似文献
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小尺寸、大通流ZnO电阻片是一种流行趋势。本文采用优化电阻片配方及工艺,增涂低温玻璃釉的方法,有效地提高了ZnO电阻片耐受大电流冲击的能力。 相似文献
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开发棒形悬式瓷绝缘子的展望 总被引:2,自引:2,他引:0
简要介绍了棒形悬式瓷绝缘子的结构特点及发展史。通过与盘形悬式瓷和玻璃绝缘子对比 ,说明了其特有的优良性能 (如没有零值劣化现象、耐污闪能力较强等 )。通过与复合绝缘子对比 ,说明其几乎不存在老化问题。如果采用半导体釉新技术 ,在耐污性能上甚至可以超过复合绝缘子。另外 ,还介绍了半导体釉的发展和使用情况 ;对棒形悬式瓷绝缘子制造成本与经济效益进行了初步估算 ;最后指出目前技术成熟 ,条件具备 ,生产棒形悬式瓷绝缘子有着良好的经济效益和社会效益 相似文献
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化学合成法改进对ZnO压敏电阻片复合粉体的影响 总被引:10,自引:5,他引:5
通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。 相似文献
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