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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 703 毫秒
1.
采用机械搅拌、冷压成型和烧结相结合的方法制备了TiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)微波介质复合材料,通过扫描电镜表征了TiO2颗粒存PTFE中的分散情况及复合材料的微观形貌,测定了材料的热膨胀系数、介电性能及吸水率等参数.重点研究了不同含量TiO2对复合材料热、介电性能的影响.结果表明,随着TiO2含量的增加,复合介质板的密度先增大到一个最大值然后减小,吸水率、介电常数和介电损耗随着TiO2含量的增加而增加,热膨胀系数则呈相反趋势.TiO2含量增加约65%时,复合材料的密度达到最大值(2.802 g/cm3),此时介电常数为8.89,介电损耗为0.002 5.  相似文献   

2.
采用化学旋蒸工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了PTFE SiO2复合介质材料中,不同粒径的SiO2 (4 μm,9 μm,13 μm,20 μm)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度、热膨胀系数、介电常数随着SiO2粒径的增大而增加,而介电损耗则随着SiO2粒径的增大而减小。当SiO2的粒径为20 μm时,PTFE能很好的在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17.58×10-6/℃)、介电常数(2.82)和低介电损耗(0.001 2)。  相似文献   

3.
采用化学旋蒸工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征.系统研究了PTFE-SiO2复合介质材料中,不同粒径的SiO2(φ4μm,φ9 μm,φ13 μm,φ20μm)对材料结构和性能的影响.结果表明,复合材料的密度、热膨胀系数、介电常数随着SiO2粒径的增大而增加,而介电损耗则随着SiO2粒径的增大而减小.当SiO2的粒径为φ20μm时,PTFE能很好的在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17.58×10-6/℃)、介电常数(2.82)和低介电损耗(0.001 2).  相似文献   

4.
采用热压烧结工艺制备了TiO2陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)复合基板材料。系统研究了TiO2陶瓷粒径对PTFE/TiO2复合材料显微结构、热导率、微波介电性能的影响。结果表明,复合材料的密度随TiO2粒径的增大而增大,而介电损耗、吸水率则随着TiO2粒径的增大而减小;相对介电常数和热导率随粒径的增大先减小,当TiO2粒径D50为6.5μm时达到最小值,然后开始增大。当TiO2的粒径D50为11μm时,复合材料具有较高的相对介电常数(εr=6.8),较低的介电损耗(tanδ=0.001 2)和较高的热导率(0.533 W/(m·℃))。  相似文献   

5.
采用类似于粉末冶金的工艺,制备了金红石型TiO2填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,研究了CaTiO3掺杂量对所制复合材料热学、介电性能的影响。结果表明:随着CaTiO3含量的增加,复合材料的密度减小,吸水率增大,介电常数和损耗增大,线膨胀系数增大到一个最大值后减小;当CaTiO3添加量达到质量分数16%时,复合材料的相对介电常数达到最大值11.60,损耗为0.002 0。  相似文献   

6.
SiO2含量对PTFE/SiO2复合材料性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用类似于粉末冶金工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了(1-x)PTFE-xSiO2(x为质量比)复合介质材料中,不同x值(x=0.35,0.40,0.45,0.50,0.55)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度随着SiO2含量的增加而减少,吸水率、热膨胀系数、介电常数和介电损耗随着SiO2含量的增加而增加。当SiO2质量分数为50%时,PTFE能很好地在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17μ℃-1)、介电常数(2.74)和低介电损耗(0.002)。  相似文献   

7.
采用湿法工艺,并通过马弗炉烧结与热压烧结,制备了SiO2与TiO2共同填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料。系统研究了两种填料不同掺杂比及不同烧结工艺对复合材料密度、显微结构、介电性能和热膨胀性能的影响。结果表明,与马弗炉烧结相比,热压烧结工艺制备的复合材料具有更稳定的密度和较小的吸水率,但介电损耗较高;ROM和Kerner模型能较好地对线膨胀系数进行预测,其理论值与实验值的变化规律一致。对于用2种烧结方法制备的复合材料,通过Lichtenecker对数法则计算所得介电常数与实验值均较吻合。  相似文献   

8.
高膨胀系数玻璃-陶瓷复合材料的性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
选用具有良好介电性能和膨胀性能的硼硅酸盐(SiO2-BaO-B2O3-Al2O3)和石英,采用固相法合成了一系列具有高热膨胀系数的玻璃-陶瓷复合材料,并对这些复合材料进行了XRD、SEM分析,及其热、力、电性能的测试。结果表明:所制复合材料的热膨胀系数和弯曲强度随着石英含量的增加而增大,其相对介电常数则随之减小。石英质量分数为40%的复合材料在980℃烧结时,析出了大量的方石英相,复合材料的热膨胀系数增大。最终制备的复合材料具有高的热膨胀系数[(10.3~25.5)×10-6/℃]、较高的弯曲强度(146MPa)、较低的相对介电常数(5.6~6.4)及介电损耗(0.10%~0.30%)。  相似文献   

9.
采用传统固相反应法制备CaTiO_3掺杂Mg2B2O5微波介电陶瓷。使用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和微波介电性能测试等手段,研究了CaTiO_3掺杂对样品微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,Mg_2B_2O_5相和CaTiO_3相二者能够共存,随着CaTiO_3掺杂量的增加介电常数和谐振频率温度系数会增大,而品质因数会有所下降。当CaTiO_3的质量分数为5%时,样品在1 085℃烧结4h后获得了最佳微波介电性能,即介电常数εr=7.03,品质因数Q×f=42 221GHz,谐振频率温度系数τf=-2.8×10~(-6)℃-1。  相似文献   

10.
采用Ba-Bi复合掺杂对Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷进行改性,以降低其烧结温度并改善其介电性能。在固定Bi2Ti2O7掺杂量为质量分数8%的基础上,研究了BaCO3掺杂量对陶瓷微结构、烧结性能和介电性能的影响。结果表明:当w(BaCO3)为1%时,在较低的烧结温度(约1280℃)下保温2h制备了一种新型中介电常数Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷。该陶瓷具有较好的介电性能:在1MHz下,εr≈72.5,tanδ≈2.5×10-3;在微波频率(5.03GHz)下,εr=72.1,Q·f值为2241.0GHz。  相似文献   

11.
利用传统固相烧结法制备了ZnO-B2O3玻璃掺杂的Mg2TiO4微波介质陶瓷,研究了ZnO-B2O3玻璃掺杂对所制陶瓷相成分、微观形貌和微波介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3玻璃掺杂能使Mg2TiO4陶瓷的致密化温度降低200℃左右。当Mg2TiO4中掺杂质量分数2%的ZnO-B2O3玻璃时,经1 300℃烧结所得陶瓷微波性能较好:εr=13.62、Q.f=101 275 GHz、τf=–51×10–6/℃。  相似文献   

12.
邓新峰  李波  田宝 《压电与声光》2012,34(3):442-445
采用固相反应法制备了高膨胀系数的钡硼硅系微晶玻璃,研究B2O3/SiO2比对钡硼硅系微晶玻璃性能的影响,并对其进行了热、力、电性能测试及XRD、SEM分析表征。结果表明:提高B2O3/SiO2比会促进液相烧结的进行,能有效降低烧结温度,并影响晶相组成;但B2O3/SiO2比过高或过低都会破坏材料的力学性能,降低抗弯强度,热膨胀系数和介电常数则随其含量增加呈减小趋势。B2O3质量分数为12%的微晶玻璃在950℃下烧结1h,有大量的方石英相析出,材料的抗弯强度最大。最终制备了具有优良介电性能的微晶玻璃,其热膨胀系数为17.87μ℃-1,抗弯强度为175MPa。  相似文献   

13.
采用传统的固相反应法制备了0.4CaTiO3.0.6(Li1/2Nd1/2)TiO3(CLNT)微波介质陶瓷,研究了复合添加BaCu(B2O5)(BCB)和2ZnO-B2O3(ZB)玻璃对CLNT陶瓷的烧结特性、相组成、微观形貌及介电性能的影响.结果表明:复合添加质量分数3%的ZB玻璃和5%的BCB能使CLNT陶瓷的烧...  相似文献   

14.
研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和最大的视在介电常数(εra=1.5×105)。  相似文献   

15.
采用熔融法制备出不同SiO2含量的TeO2-PbO-Bi2O3-SiO2系玻璃粉,研究了SiO2的加入量对该系玻璃结构、线膨胀系数αl、膨胀软化温度ts和热稳定性的影响。结果表明:SiO2以[SiO4]四面体的形式参与玻璃网络形成,随SiO2含量的增加,玻璃粉的膨胀软化温度升高,线膨胀系数先减小后增大,热稳定性则表现出相反的规律。当SiO2的加入质量分数为5%时,玻璃粉的线膨胀系数最小,为90.12×10–7/℃,玻璃粉热稳定性最好。  相似文献   

16.
采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响.XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与MgO反应生成Mg2SiO4.质...  相似文献   

17.
掺钛和锆改性的钙硼硅系微晶玻璃之性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
以TiO2、ZrO2为改性剂,制备CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。对其烧结和介电性能进行了研究,并采用XRD,SEM对微观结构进行了探讨。结果表明:添加适量的TiO2或是混合添加TiO2、ZrO2均能改善CaBSi系微晶玻璃的性能。混合添加比单一添加TiO2更有效。结合材料的烧结性能、介电性能和微观结构,以840℃烧成的添加w(TiO2)为2%、w(ZrO2)为2%的试样性能最佳,其εr为7.1、tanδ为3×10–3,在20~400℃之间的热膨胀系数为7.8×10–6℃–1。  相似文献   

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