2.1GHz CMOS低噪声放大器

采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。     

1.8 GHz CMOS有源负载低噪声放大器

提出了一种新的变压器型有源电感负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压器型有源电感负载低噪声放大器可以得到更低的噪声系数。     

2.4 GHz、增益可控的CMOS低噪声放大器

介绍了一种基于 0 35 μmCMOS工艺、2 4GHz增益可控的低噪声放大器。从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度详细分析了电路的设计方法 ,讨论了寄生效应对低噪声放大器性能的影响。仿真结果表明在考虑了高频寄生参数的情况下 ,低噪声放大器依然具有良好的性能指标 :在 2 4GHz工作频率下 ,3dB带宽为 6 6 0MHz,噪声系数NF为 1 5 8dB ,增益S2 1为 14dB ,匹配参数S11约为 - 13 2dB。     

用于GPS接收机的130 nm PD-SOI低噪声放大器

基于130 nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性能的影响。测试结果表明,在3.3 V电源电压、1.575 GHz工作频率下,该LNA的噪声系数仅为1.49 dB,增益为13.7 dB,输入回波损耗S11、输出回波损耗S22均小于-15 dB,输入P1 dB为-13 dBm,IIP3为-0.34 dBm。     

0.18m CMOS工艺3.1～5.2GHz低噪声放大器

基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1～5.2GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12dB,噪声系数NF<3.1dB。电源电压为1.8V,功耗为14mW。     

应用于GPS接收机的宽带低噪声放大器

本文介绍了一种适用于GPS接收机的CMOS宽带低噪声放大器,带宽设计在1．16Hz-1．7GHz。采用源极电感负反馈结构,并在输入端加入了宽带匹配网络来扩展带宽,放大器提供30dB的增益,使用了两级放大,第二级采用了电流复用技术来节省功耗,最后一级使用了源极跟随器,用来阻抗匹配。采用TSMC55nmCMOS工艺,仿真结果表明,噪声系数小于1．3dB,S21大于29dB,S11小于-10dB,1．2V电源供电下功耗为20mW。     

一种3.3 V 2-GHz CMOS低噪声放大器

介绍了一个针对无线通讯应用的2-GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用标准的0.6μm CMOS工艺，电源电压为3．3V，设计中使用了多个片上电感。对低噪声放大器的噪声进行了分析，模拟结果显示，该电路能提供18dB的正向增益(S21)及良好的反向隔离性能(S12为-44dB)，功耗为33．94mW，噪声系数为2．3dB，IIP3为-4．9dBm。     

应用与GPS前端的CMOS低噪声放大器的研究与设计

随着特征尺寸的不断减小，MOS器件已经能够在900MHz-2．5GHz这个频段工作。本文介绍了一个采用0．5μm CMOS工艺实现的用于GPS接收机的单片低噪声放大器，在信号频率为1．575GHz时，信号放大增益为19dB，噪声系数(NF)为6dB，功耗为12mW。     

增益可控CMOS低噪声放大器

设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,并提出了优化措施。芯片测试结果表明:在1.56GHz中心频率下,-3dB带宽约为150MHz,输出最大电压增益为27dB,此时噪声系数NF约为2.33dB,IIP3约为4.0dBm,可变增益范围为7dB。在3.3V电源电压下消耗电流8.2mA。此设计方法可以应用到诸如GSM、GPS等无线接收机系统中。     

深亚微米CMOS低噪声放大器的设计

通过一个符合性能指标的，用于射频接收系统的CMOS低噪声放大性能的设计，讨论了深亚微米MOSFET的噪声情况，并在满足增旋和功耗的前提下，对低噪声放大噪声性能进行分析和优化，该LNA工作在2.5GHz电源电压，直流功耗为25mW，能够提供19dB的增益（S21），而噪声系数仅为2.5dB，同时输入匹配良好，S11为-45dB，整个电路只采用了一个片外电感使电路保持谐振，此设计结果证明CMOS工艺在射频集成电路设计领域具有可观的潜力。     

CMOS 射频低噪声放大器的设计

讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题,对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析,并综述了几种提高其综合性能指标的方法。在此基础上,采用SMIC0．25μm CMOS工艺库,给出了3．8GHz CMOSLNA的设计方案。HSPICE仿真结果表明：电路的功率增益为13．48dB,输入、输出匹配良好,噪声系数为2．9dB,功耗为46．41mw。     

GPS与北斗二代双频接收机低噪放模块设计实现

设计并实现了一款覆盖GPS L1波段和北斗二代B1波段的低噪放模块。该模块中的低噪声放大器使用分立元件搭建,匹配电路调试灵活,满足了模块对输入输出驻波的高要求。测试结果表明,低噪放模块增益为26 dB,带内增益平坦,输入输出驻波＜1.5,噪声系数＜2 dB,带外抑制度80 dBc,输出1 dB压缩点8 dBm,满足了导航系统接收机前端对低噪放模块的要求。     

多模式卫星导航接收机中双频段LNA设计

设计出一款应用于多模式卫星导航接收机射频前端的双波段LNA,该电路可以工作在1.575GHz和1.267GHz两个波段附近,覆盖了当今各种卫星导航系统的载波频段.LNA的输入阻抗和输出阻抗均被匹配到50Ω,电路采用0.18μmCMOS工艺实现.测试结果表明该电路在1.575GHz和1.267GHz两个波段上噪声系数分别为0.88dB和0.78dB,功率增益分别为25.5dB和25.9dB,S11分别为-16dB和-12.5dB,1dB压缩点分别为-23.4dBm和-23.6dBm,1.8V供电电压条件下静态工作电流均为4.0mA.电路在上述两个频段上稳定性均满足要求.     

应用于802.11a的5.7GHz CMOS LNA设计

使用0.18μm CMOS工艺设计应用于802.11a WLAN的U-NII高频段5.7GHz的LNA.首先选取LNA结构,推导出噪声模型,然后选取在固定功率消耗下最小噪声系数对应的晶体管尺寸,再进行输入输出阻抗匹配和电路调整优化.在使用Bond Wire不加Pad时提供-22.014dB S11,-44.902dB S22,15.063dB S21,-39.44dB S12,2.453dB/2.592dB的噪声系数(NF),-4.1915dBm的三阶互调输入点(IIP3),-15.6dBm的功率1dB压缩点(P1dB)和10mW的功率消耗(Pd).完全考虑Bond Wire和Pad效应的性能参数也已经给出,但噪声系数恶化为3.21/3.23dB,S参数在电路调整优化之后变化不大,整体性能比较突出.     

低功耗CMOS低噪声放大器的分析与设计

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低功耗约束下的CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在共源晶体管的栅源间并联一个电容,以优化噪声;并引入一个电感,与级间寄生电容谐振,以提高增益;通过减小晶体管的尺寸,实现了低功耗。模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,增益大于14 dB,噪声系数小于1 dB,直流功耗小于2 mW。     

工作在0.5V电压下用于无线传感网的低噪声放大器设计与优化

本文阐述了一款用于无线传感器网络可工作在0.5V电压下的低噪声放大器芯片的设计和优化方法。该芯片采用0.13 um CMOS工艺实现。本文中对其电路进行了详细分析,并提出了一种新的优化设计方法。该芯片的测试结果显示,此款低噪声放大器的功率增益为14.13dB,噪声系数最低为1.96dB,直流功耗3mW,输入1dB压缩点为-19.9dBm。S11和S22均在-10dB以下。测试结果显示此款低噪放完全适用于低电压低功耗应用。     

WLAN中带ESD保护的低噪声放大器设计

介绍了一个基于IBM0.18μmCMOS工艺,用于无线局域网(WLAN)IEEE802.11a的带ESD保护电路的低噪声放大器(LNA)。通过分析电感负反馈共源共栅放大器的输入阻抗、增益和噪声系数,以及ESD保护电路对低噪声放大器性能的影响,对该5GHz低噪声放大器进行设计和优化。测试结果表明,当电源电压为1.8V时,消耗电流为6.5mA,增益达到10dB,输入匹配达到-18dB,噪声为4.29dB,线性度IIP3为4dBm。     

一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器

基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器,其输入输出均匹配到50Ω。加入封装、ESD电路和PAD模型,采用Cadence Spectre RF进行仿真。结果显示,在1.8 V工作电压下,1.575 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.9 dB、18.2 dB和5.7 mA;1.2 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.8dB、16.8 dB和5.3 mA。