Ⅱ～Ⅵ族半导体量子点合成方法的研究进展

半导体量子点是固体发光材料中的一个新兴领域,对它的研究涉及多学科的交叉.该纳米材料具有独特的结构和物理、化学性能,被广泛应用于生物探针、激光器、光电子器件等领域.主要介绍并分析比较了Ⅱ～Ⅵ族半导体量子点的合成方法、研究进展及各种方法间的优缺点.     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。     

量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成

光电子技术发展推动着信息时代的变革,作为其心脏的半导体光电子器件正带动着一个新兴产业--光电子产业。 量子阱激光器是半导体激光器发展的第三里程碑。因为其性能优越,成为一代理想的激光器,在光通信、光存储、光显示等方面得到应用。 目前,中国光电子产业已具雏形,已有多家光通信器件制造公司形成年产亿元以上产值。而以光存储、光显示为代表的非通信光电子器件发展势头极其迅猛。其国产化带动数字音像和数字存储产业、全色显示屏、汽车灯、交通灯以至固体白光灯等产业,年产值规模可望在百亿以上     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程.以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响.以此为基础,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导...     

“量子级联”激光器

“量子级联”激光器普通半导体激光器受化学结构制约，它大约以相当于导带价带差的能量向外辐射，因而不能发射中远红外范围的光。过去，为获得新的波长，人们在研制新的半导体合金上动了相当大的脑筋。而现在，美国电话电报公司贝尔实验室ＦｅｂｄｒｉｃｏＣａｐａｓｓｏ...     

半导体量子点/聚合物纳米复合材料研究进展

半导体量子点/聚合物纳米复合材料是在分子尺度上形成的先进光电功能材料,其综合了半导体和聚合物材料的各自优点,并呈现出独特的电学、光学和光电子学等特性.根据聚合物中掺杂纳米半导体量子点材料的种类不同,对半导体量子点/聚合物纳米复合材料的制备、分类、器件结构与特性和研究进展进行了概要评述,并展望了其发展趋势.     

半导体激光器特性自动测量系统

随着激光技术的广泛应用 ,尤其是光通信的迅猛发展 ,半导体激光器在工业和科研领域发挥着越来越大的作用 ,因此半导体激光器特性的自动测量具有非常重要的实用意义。文章介绍了一种计算机控制的半导体激光器参数采集和计算系统 ,能够自动完成半导体激光器的功率电流曲线、电压电流曲线、激光阈值、外量子效率的测量工作。其主要优点在于 :测量时间短、精度高 ,该系统适合用于大批量生产和使用半导体激光器的单位应用。     

808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

介绍了８０８ｎｍ高功率最子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低步电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明,８０８ｎｍ高功率量子阱远结半导体激光的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为１／ｆ噪声,且以阈值附近有量大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性。     

实用化GaInP—AlGaInP半导体量子阱可见光激光器

用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。     

半导体量子点玻璃的研究进展

介绍了半导体量子点材料禁阻类型,详细阐述了共熔法、溶胶-凝胶法、离子注入法等半导体量子点玻璃材料的制备方法,探讨了半导体量子点玻璃的尺寸效应、禁阻效应、库仑阻塞效应和非线性光学效应等特性及其未来应用前景.     

高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

通过对５０余只８０８ｎｍ的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期（前５２０ｈ）,阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达５７ｍＡ,从１０００ｈ多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为。初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力。     

实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器

用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。     

钢球表面缺陷检测用双光路光源稳定控制技术研究

半导体激光器作为光源产生器件进行钢球表面缺陷检测时，由于其自身的材质和结构，输出光功率受注入电流和温度变化的影响很大，光源很容易产生波动，这对检测结果产生了较大的干扰，影响钢球表面缺陷检测的准确率。本文设计了一种用于钢球表面质量检测的小功率半导体激光器功率稳定系统。通过上位机对单片机烧录程序实现对半导体激光器发光功率的自动控制，系统设计有光功率反馈模块、温度控制模块和光隔离模块，可以有效的消除电流浪涌现象、温度变化和反射光干扰等因素对激光器输出功率的影响，保证激光器发出恒定功率的稳定光。最后对1310 nm的激光器进行了测试，该系统将光功率的不稳定度从9.37%降低到1.42%，为后续的钢球表面缺陷检测奠定了良好的基础。     

准连续在功率二维层叠量子阱激光器列阵

研究了大功率列阵器件的量子阱结构，材料生长，列阵结构，了技术与封装技术，研制了６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ，电－光转换效率高达４３．３％。     

单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展

单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能.介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等;另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望.     

超宽禁带半导体材料的机遇与挑战

正近代半导体技术虽然仅有七十多年的历史,但已经彻底改变了社会的发展。追溯历史,不难发现半导体技术的蓬勃发展归因于半导体材料自身特殊的物理性质。半导体材料作为重要的基础材料广泛应用于晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域,已经发展成为衡量国家科技与国防实力的重要标志。同时,半导体器件由同质结、异质结转向基于量子阱、量子线、量子点器件的设计与制造,这一转向改变了半导体材料的     

半导体激光器在实时测温系统中的应用

该论文介绍了一种利用半导体激光器InGaAs I作光源 ,使用钽酸锂热释电探测器作光接收器件 ,以单片机为核心实现的中、高温度实时测量系统。该系统主要由光发射与接收系统、信号放大与处理系统及显示系统三部分组成。     

陈皓明:"十五"863光电子材料与器件主题成果

全固态激光器产业化规模处于国际领先地位，一系列半导体照明光源产业化所需的关键技术进展显警，光电子器件集成初见成效。光通讯用器件获新突破，光纤光栅等传感技术关键器件规模化成套生产技术攻克．光电子产业的某些新产业基础已经构建．发展态势令人鼓舞。[编按]     

非接触表面粗糙度测量仪

本文介绍了一种以半导体激光器作为光源，ＣＣＤ作为接收器件的光探针表在粗糙度测量仪，对仪器的测量原理，仪器的结构进行了讨论，用该仪器对标准样品进行了实际测量，得到了与实际相符的结果。     

量子点敏化太阳能电池光阳极的研究进展

介绍量子点敏化太阳能电池的发展现状及趋势,针对光阳极改性来提高量子点敏化太阳能电池转化效率的方法,从半导体薄膜、量子点共敏化、量子点掺杂3个方面综合分析光阳极的研究进展和相关技术。根据制约电池效率的主要因素,提出量子点敏化太阳能电池的未来发展趋势,包括继续优化光阳极半导体薄膜的组成及结构、探索新型的宽光谱响应量子点以及发展高效的界面修饰技术等。