类镍钨离子共振激发速率系数

本文利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法,细致研究了类镍钨离子从基态到3l-14l'(l=s,p,d;l'=0-3)各组态共106条单激发态能级,通过类铜双激发态3l174l'n"l"和3l175l'n"l"的电子碰撞共振激发速率系数.本工作的结果与R矩阵计算值相比较存在较大差别.     

Au52+离子的双电子复合速率系数

利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法计算了从类钴金离子的基态3s23p63d9(J=5/2) 经过类镍的3l17nl"和3l164l'nl"电子组态的双电子复合速率系数,并考虑了级联辐射到可自电离能级退激的影响,给出了包含级联辐射在内的能级到能级的外推方法.     

Au52+离子的双电子复合速率系数

利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法计算了从类钴金离子的基态3s23p63d9(J=5/2)经过类镍的3l17nl″和3l164l′nl″电子组态的双电子复合速率系数,并考虑了级联辐射到可自电离能级退激的影响,给出了包含级联辐射在内的能级到能级的外推方法.     

基态类Ne锗离子双电子复合的半相对论计算

采用半相对论多组态Ｈａｒｔｒｅｅ一Ｆｏｃｋ模型，计算了类Ｎｅ锗离子经过３ｌ３ｌ＇和４ｌ４ｌ＇双激发态到类Ｎａ离子单激发态的态对态双电子复合速率系数，同时给出了描写上述复合过程的参数Ｂ和。通过对求和而获得的部分双电子复合速率系数与其它理论计算结果进行了比较。     

组态相互作用和相对论修正对类He离子双电子谱的影响

研究了组态相互作用和相对论修正对低Z(原子序数)及中等Z类He离子双电子谱的影响,使用准相对论及非相对论的Hartree-Fock自洽场方法计算了描写双电子伴线的原子参数。计算结果表明,(1)组态相互作用对类He离子双电子诺有显著影响;(2)对中等Z的类He离子,仅以能量微扰的形式计入相对论修正是不足够的,为了获得更加精确的计算结果,不仅要考虑相对论修正对单、双激发态能量的影响,而且要考虑该效应对径向波函数的影响。     

Au~(34+)离子双电子复合过程的理论研究

复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au~(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考.     

Au^52＋离子的双电子复合速率系数

利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法计算了从类钴金离子的基态3s^23p^63d^9（J=5／2）经过类镍的3l^17nl＂和3l^164l’nl＂电子组态的双电子复合速率系数，并考虑了级联辐射到可自电离能级退激的影响，给出了包含级联辐射在内的能级到能级的外推方法．     

高离化态Hg和U离子的双电子复合过程的理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上,利用近期发展的计算双电子复合截面的程序,系统研究了高离化态类氦到类硼Hg和U离子的KLL双电子复合过程. 讨论了Breit效应和量子电动力学(QED)效应对Hg离子共振双激发态能级的贡献,得到了双激发态的共振能、总线宽和相应的双电子复合共振强度,所得结果与其他理论和实验结果都符合得很好. 在此基础上进一步研究了高离化态U离子的KLL双电子复合过程,并与已有的实验和理论结果作了比较. 关键词： 双电子复合 MCDF     

类镍钨离子共振激发速率系数

本文利用基于相对论组态混合的扭曲波近似方法，细致研究了类镍钨离子从基态到3l^-14l＇（l=s，p，d；l’=0—3）各组态共106条单激发态能级，通过类铜双激发态3l^174l’n＇l＂和3l^175l’n＂l＂的电子碰撞共振激发速率系数．本工作的结果与R矩阵计算值相比较存在较大差别，     

高离化态Hg和U离子的双电子复合过程的理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上，利用近期发展的计算双电子复合截面的程序，系统研究了高离化态类氦到类硼Hg和U离子的KLL双电子复合过程. 讨论了Breit效应和量子电动力学(QED)效应对Hg离子共振双激发态能级的贡献，得到了双激发态的共振能、总线宽和相应的双电子复合共振强度，所得结果与其他理论和实验结果都符合得很好. 在此基础上进一步研究了高离化态U离子的KLL双电子复合过程，并与已有的实验和理论结果作了比较.     

类铍钛离子态-态双电子复合速率研究

 研究了类铍Ti¹⁸⁺离子三类态-态双电子复合过程,基于多组态准相对率自洽场方法和扭曲波方法,计算了该离子在电子温度 0.01~1.0keV范围内的态-态双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型和上下能态的变化。     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

高离化金和铅离子双电子复合速率研究

 基于多组态准相对论自洽场方法和扭曲波方法,理论研究了类铍金和 铅离子三类双电子复合过程,计算了这些离子在电子温度0.6～10.0keV范围内的双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型及原子序数的变化。     

高离化金离子态-态双电子复合速率系数

研究了类铍Au⁷⁵⁺离子三类态-态双电子复合过程，基于多组态准相对论自洽场 方法和 扭曲波方法，计算了该离子在电子温度0.6—10.0keV范围内的态-态双电子复合速率系数， 并讨论了它们随电子温度、复合类型和上下能态的变化. 关键词： 75+离子')" href="#">Au⁷⁵⁺离子 态-态双电子复合     

Dielectronic recombination rate coefficient for Cu-like Au^50＋ ion

The rate coefficients α^{DR} of dielectronic recombination (DR) for Cu-like Au^{50+} ion collided with the incident free electron are calculated based on the quasi-relativistic multi-configuration Hartree－Fock theory. The results clearly show that the α^{DR} of all recombination channels exhibits resonance characters with electron temperature. At lower temperatures, the recombination for electrons caused by 4s excitation is dominant through outer electron radiative transitions among the intermediate doubly excited autoionizing levels, in which the most components come from 3d^{10}5pns states, whereas with increasing electron temperature, DR caused by 3d excitation turns out to be dominant, and the contribution from the 3d^94s4fnf state to the total rate coefficient of electron 3d is the largest with α^{DR}=1.15×10^{- 11} cm^3·s^{-1} at an electron temperature of T_e=0.35 keV. Under this condition, there exists a strong competition between the two types of recombination channels.     

氙激光等离子体的双电子复合过程研究(英文)

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Statistical dielectronic recombination rates for multielectron ions in plasma

We describe the general analytic derivation of the dielectronic recombination (DR) rate coefficient for multielectron ions in a plasma based on the statistical theory of an atom in terms of the spatial distribution of the atomic electron density. The dielectronic recombination rates for complex multielectron tungsten ions are calculated numerically in a wide range of variation of the plasma temperature, which is important for modern nuclear fusion studies. The results of statistical theory are compared with the data obtained using level-by-level codes ADPAK, FAC, HULLAC, and experimental results. We consider different statistical DR models based on the Thomas–Fermi distribution, viz., integral and differential with respect to the orbital angular momenta of the ion core and the trapped electron, as well as the Rost model, which is an analog of the Frank–Condon model as applied to atomic structures. In view of its universality and relative simplicity, the statistical approach can be used for obtaining express estimates of the dielectronic recombination rate coefficients in complex calculations of the parameters of the thermonuclear plasmas. The application of statistical methods also provides information for the dielectronic recombination rates with much smaller computer time expenditures as compared to available level-by-level codes.     

Ti、Cr类氦双电子复合速率系数的量子力学计算

本文用全量子力学方法计算了Ti、Cr类He总双电子复合速率系数和态-态双电子复合速率系数,给出了Ti、Cr类He态-态双电子复合速率系数与旁观主量子数、与原子实耦合对称性,以及与谱项多重性、对称性和角动量之间的关系.计算结果显示1s2pnp→1s2np和1s2pnd→1s2nd两衰变通道的双电子复合速率系数占总双电子复合速率系数的75%,成为对总双电子复合速率系数贡献最大的两个复合通道.本文得到了能用于冕区等离子体诊断目的的Ti、Cr类 He双电子复合数据.     

Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Theoretical partial dielectronic recombination rate coefficients for ground-state helium-like argon

Theoretical dielectronic recombination rate coefficients are calculated for ground-state helium-like argon. Partial dielectronic recombination rate coefficients are obtained by summing over the individual lines within the five transition arrays. 1s2lnl′ → 1s²nl′ for n = 2, 3 and 4 and 1s2lnl′ → 1s²2l for n = 3 and 4. The partial rate coefficients are presented for electron temperatures corresponding to values of kT_e ranging from 0.4 to 10 keV.