离子蒸镀

离子蒸镀是最近才发展起来的一种新的表面处理技术。它是利用辉光放电之能量进行离子镀膜的,故称做离子蒸镀。 离子蒸度的基本原理是由低压气体的放电所产生的等离子体中,包含有大量的离子、电子以及被活化的气体原子等高能粒子;置于负高压的试料(阴级)彼等离子包围,由于离子的轰击作用而使其表面达到清洁处理目的(在氩气存在的条件下);另一方面,从蒸发源蒸发出来的气化原子(如金属或非金属),由于等离子体中的电子的作用而电离,其离子在电场力的作用下被加速到试料表面上,从而形成镀膜。 离子蒸钦法,基片和镀层不论是金属或非金属均可,若不…     

OVPD技术在OLED蒸镀装置中的应用

将OVPD(有机气相沉积)技术应用于OLED(有机电致发光显示器件)蒸镀装置中,研制了一台实验设备,并通过实验验证了其可行性和可控性.该技术克服了常规点源蒸发所产生的有机材料利用率低、膜层均匀性差、不适合大基片镀膜等缺点,为OLED量产设备的研制奠定了基础.     

氧化物蒸镀薄膜

本文从技术发展、制备方法、原辅材料、工艺要点、产品特性、产品指标以及技术进展等方面,对氧化物蒸镀薄膜进行了介绍说明,为读者从技术层面全面认知氧化物蒸镀薄膜提供指导与帮助。     

钛合金表面高温真空蒸镀钛涂层的组成和结构

对钛合金表面高温真空蒸镀钛涂层进行了研究,并将钛合金表面蒸镀层及附近的组成和结构与未作蒸镀处理的钛合金的组成和结构作了对比分析,对经蒸镀处理后的钛合金试样表面元素含量的变化作出了初步的解释。     

真空蒸镀聚乙烯醇薄膜

采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布于衬底表面,且以梯田状台阶式长大.衬底温度是影响PVA薄膜沉积速度的主要因素.红外光谱分析表明其蒸镀薄膜的主要化学结构特点是羰基代替了部分羟基.     

真空蒸镀氧化铟透明导电膜

一、前言 本文介绍一种制造透明导电膜的方法,即用高纯铟作膜料,通过电阻蒸发制成氧化钢透明导电膜。由于它不是用合金而是用高纯铟作膜料,故节省了原料。由于它用电阻蒸发镀膜而不用电子束蒸发,所以省去价格昂贵的具有电子束蒸发的镀膜机,另外由于此法可以一次成膜,不必再在大气中进行退火处理。因此又节省了人力和电力,因而是一个经济、简便、切实可行的方法。透明导电膜既透明又导电,具有良好的光学性能和电学性能,因而有着重要而广泛的用途,譬如可用作绝热玻璃的红外反射层;车辆、船舰、飞机、宇宙飞船、人造卫星等玻璃的电热层(用于防…     

高阻隔透明陶瓷膜蒸镀技术

对高阻隔透明陶瓷膜的发展概况及应用进行了综述,介绍了陶瓷膜的真空蒸镀技术、PECVD蒸镀技术的原理、特点和应用,并对陶瓷膜蒸镀技术的发展趋势进行了展望.     

电子束蒸镀半导体发光二极管的减反射膜

用电子束蒸发设备，制备了用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明，对发光波长为０．８５μｍ和０．９０μｍ的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二级管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３减反射膜，输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入下，可增加２５￣３５％，最大可增加５０％。但对于１．３μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ型红外发光二极管，用ＺｒＯ２作减反射膜，比用Ａ     

蒸镀TiO2薄膜的面料

采用真空蒸镀法制备了负载纳米TiO2织物。利用扫描电镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）分别分析了其表面形貌和晶体结构,探讨了负载TiO2和热处理对棉织物的抗紫外线性能的影响。萁结果表明：在蒸镀条件相同的前提下,蒸镀时间为13s且经过热处理的负载纳米TiO2织物的抗紫外线性能较好。     

化学蒸镀法制作透明导电膜

日本中国涂料公司,最近发表了采用有机锡化合物的化学蒸镀法(CVD法),制作透明导电膜的新技术。此法称为反跳反转化学蒸镀法,可防止过去化学蒸镀法白雾状浑浊的弊病。与物理蒸镀法制作透明导电膜相比,成本可更低,予期透明导电膜应用于工业的范围,将会有进一步扩大。一般电的良导体是不透过可见光的,然而透明导电膜是具有高导电性和透明性的特     

塑料薄膜的真空蒸镀技术和应用

塑料薄膜在真空中蒸镀铝、锌等金属已有二十余年工业化历史。蒸镀金属后的薄膜具有金属光泽和导电性,用来制造金银丝、贴花等装饰品和电容器。近年来由于这种材料具有优良的综合性能、又比较经济,因此在包装方面的应用发展很快。随着薄膜的成型和表面处理技术的改进,再加真空中镀膜既省能又无公害,所以塑料薄膜的真空镀膜技术日益受到人们的重视,真空蒸镀薄膜的用途也越来越广泛。     

苏联现代真空蒸镀工艺一瞥

几年前,自从在 SVC 年会上提交了一篇题为《苏联电子束蒸镀工艺》的文章之后,苏联真空沉积领域内出现了一些令人关注的重大进展。本文将以这些成就为题,主要叙述真空镀膜的一些方法,其中主要包括电子束蒸发沉积的不同方法。     

无氰镀镉钛镀液的稳定性分析

为了研究无氰镀镉钛镀液的稳定性情况,通过陈化试验和连续镀试验检测了无氰镀镉钛镀液的稳定性,并利用X射线衍射仪(XRD)分析了镀液的沉淀产物。结果表明:镀液pH值应严格控制在6.70左右,前期时应在低温或室温保存,否则产生白色沉淀,且沉淀物不可溶解,沉淀产物主要是Ti(OH)_4、TiO_2、H_2Ti_2O_(11)·3H_2O、NH_4Cl;连续镀28 d镀液良好,无白色沉淀,镀层钛含量在0.1%~0.7%之间。     

确定真空蒸镀起始压强的方法

真空蒸镀时镀膜室内的环境压强如何选择才合适，这是获得优良薄膜的重要前提。本文简要论述压强Ｐｒ与工件相对蒸发源距离Ｌ间的关系，从而确定蒸发镀膜时所需的起始压强大小。     

电子束蒸镀半导体光电器件的增透膜

用自动电子束蒸发设备，蒸镀用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二极管的增透膜。结果表明，对波长为０．８μｍ左右的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二极管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３介质膜后，其输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入，可增加２５－３５％，最大可增加－５０％。对１．３μｍ波长的ＩｎＰ系列红餐发光管，用ＺｒＯ２作介质增透膜效果更好。     

用钛吸气和壁碳化改善WSIP—RFP装置的等离子体性能

用钛吸气方法制备清洁表面净化环形反场箍缩装置内真空室以及原位壁碳化改善ＳＷＩＰ－ＲＦＰ装置器壁状态，减少了该装置等离子体中的杂质水平，提高了等离子体性能。     

用钛吸气和壁碳化改善SWIP－RFP装置的等离子体性能

用钛吸气方法制备清洁表面净化环形反场箍缩（ＳＷＩＰ－ＲＦＰ）装置内真空室以及原位壁碳化改善ＳＷＩＰ－ＲＦＰ装置器壁状态，减少了该装置等离子体中的杂质水平，提高了等离子体性能。     

电子束熔炼、焊接、加工、蒸镀与区域熔炼等装置

这次去日本主要参观了日本真空技术株式会社(以下简称日本真空)及日本电子株式会社(以下简称日本电子)两家电子束装置的设计制造工厂,也参观了几家这类装置的使用厂与研究所。 目前在日本已将电子束应用于熔炼、焊接、精密加工、金属蒸发、区域提纯、电子显微镜与电子衍射仪等设备、仪器上。对长聚焦电子束的结构有些研究,似乎积累一些设计与制造的经验及数据。从电子束的设计、结构与应用方面来看,日本电子似乎较为专业化、产品种类较多,但日本真空,对电子束的设计应用也进行了一些工作,能做各种冶炼、焊接、区域熔炼与蒸发镀膜等装置。我…