10 kV小电流接地系统接地选线与保护

前　言按我厂现有 1 0ｋＶ系统配电情况 ,在 1 0ｋＶ两段分列运行时发生单相接地故障 ,每段电容电流值已超过 1 0ｋＶ系统的 2 0Ａ电容电流值的规定 ,即在一相接地时 ,接地电流较大 ,将出现断续电弧 ,引起过电压 ,可能导致线路上绝缘薄弱地点的绝缘击穿引起相间短路等事故发生。故已在 1 0ｋＶⅠ、Ⅱ段分别装设了一组消弧线圈 ,以便消除上述隐患确保安全运行。1　问题的提出图 1所示为消弧线圈接地电网 ,下面分析线路ⅢＡ相接地时的情况。图 1　消弧线圈接地电网由于接地电容电流ＩｊｄΣ 和流过消弧线圈的电感电流ＩＬ 都通过接地点 ,因此…     

锦化10 kV配电网采用自动调谐式消弧线圈接地补偿

前　言我公司 10ｋＶ配电网一直以中性点不接地方式运行。我国“电力设备过电压保护设计技术规程”中规定 3～ 10ｋＶ的电力网单相接地故障电流大于 2 0Ａ时应装设消弧线圈。随着配电网的不断扩大 ,电缆线路增多 ,配电网对地电容电流亦大幅度增加 ,我公司 10ｋＶⅠ段电容电流 (实测值 ) 31.2Ａ ;10ｋＶⅡ段 34Ａ ,由此带来一系列问题 :(1)当配电网发生单相接地时 ,接地电弧不能自行熄灭 ,必然发展成相间短路 ,造成停电和设备损坏事故 ;(2 )由于电容电流比较大 ,当发生断续性弧光接地时 ,弧光过电压比较突出 ,引起设备绝缘击穿造成大面积停电…     

小电流接地选线装置在1^#变电所的应用

我国大部分6—10kV配电网属于小电流接地系统,是中性点不接地或经消弧线圈接地或经电阻接地的电力系统,其最大优点是发生单相接地故障时,因单相接地时电流较小,不会破坏系统线电压的对称性,电力系统可继续运行1-2h,但此时系统中非故障相对地电压升高扫倍（即相电压变成线电压）,若不及时处理,极易击穿薄弱的绝缘而发展为相间短路,使故障扩大,所以要求运行人员必须尽快找出故障线路,消除故障,保证系统的稳定运行。     

风电场中性点非直接接地系统的接地故障分析

详细分析风电场中性点非直接接地系统发生金属性单相接地故障、中性点经电阻接地后的单相接地故障、中性点经消弧线圈接地系统的单相接地故障后系统电流、电压分布变化情况,以及中性点非直接接地系统中性点接地方式选择方法,可为风电场电气专业技术人员进行故障分析时提供理论依据。     

6千伏系统电容电流的自动跟踪补偿

针对沪天化发电机中性点经消弧线圈接地的6千伏系统随着系统电容电流增大的情况,提出利用微机技术实现自动跟踪补偿是消除接地危害的有效措施。在对电网实测研究的基础上,阐述实施新技术改造应综合考虑的有关技术问题。     

大型水泥厂中压供配电系统中性点接地探讨

0前言在我国的电网和工矿企业中,中压(6￣10kV)供配电系统一般采用中性点不接地或经消弧线圈接地方式。对于以架空线路为主的供电系统,中性点不接地或经消弧线圈的接地方式有利于提高供电连续性,适用于绝缘可自行恢复的架空线路供配电系统或者电容电流较小(<10A)的电缆线路供配电系统。随着工矿企业规模的扩大,中压电缆线路长度的增加,电容电流将变大(>10A),中性点不接地供配电系统就不太合适。1几种中性点接地方式的比较中性点系指发电机或三相变压器绕组的中性点,出于对供配电系统安全运行和电气设备绝缘以及人身安全的考虑,中性点通常…     

新电厂6kV系统消弧线圈是否应投运行及接地保护可靠性的分析

本文介绍了发配电系统中电气设备接地电容电流、各种运行方式下接地电容电流的计算方法及计算值，并论述新电厂６ｋＶ系统装设的消弧线圈现现运行方式下是否应投入运行和此系统在各种运行方式下接地保护动作的可靠性。     

某工业园区自动调谐消弧及选线成套装置技术分析与应用

介绍了某工业园区配电系统大量采用电缆线路,单相接地电容电流可达几十安培,提出了中性点经消弧线圈接地系统在单相接地故障时短时投入并联电阻的故障选线方式,实践证明该装置投运后,运行正常,功效良好。     

浅析消弧线圈在小电流接地系统中的应用

35kV及以下电力网为非直接接地电网,接地时接地点的间歇性电弧可能在电网中引起过电压,使非故障相的绝缘薄弱点发生第二点接地,造成扩大事故。本文介绍了小电流接地系统发生单相接地故障时的特点及消弧线圈在小电流接地系统中应用的必要性,阐述了消弧线圈的工作原理、容量选择,并对技术特点不同的小电流接地系统绝缘监察装置浅谈一些认识。     

6kV电力系统消弧线圈的运行与设备故障、接地保护误动作的关系分析

本文简要介绍了公司6kV电力系统情况，并对安装消弧线圈后，系统接地电容电流的变化及系统接地动作情况进行了分析，最后，对系统的接地保护提出整改方案。     

电压互感器高压熔断器熔断原因分析及对策

对电压互感器高压熔断器由于单相接地或匝间、层间、相间短路、二次侧短路、系统发生单相间歇性电弧放电、树竹接地,使系统产生铁磁谐振过电压等熔断的原因进行详细分析,并提出了相应的防止措施。     

接地故障小电流的稳态分析及应用

分析了小电流接地系统故障特性,指出了经过渡电阻和消弧线圈单相接地时零序电流的特征,并详细阐述了基于时序鉴别法的选线装置的工作原理.长期现场数据和运行结果证明:该选线方法可以准确、可靠地查找配电网单相故障.     

浅谈井下漏电保护问题

分析井下供电系统单相接地的危害，介绍几种常见的漏电保护方法。     

低压配电系统接地接零及应注意的问题

随着我国国民经济迅猛发展,用电安全,尤其是低压配电系统的安全措施必须完善。介绍几种接地接零措施的原理,接地制式和保护接零中应注意的问题,根据电气施工中经常出现的一些不安全的做法,强调设备的工作零线Ｎ和外壳保护线ＰＥ必须分开,即要求Ｎ线和ＰＥ线在总开关前处才接在一起,民用电气施工中也要把Ｎ线和ＰＥ线分开,确保用电安全。     

化工企业户外照明系统接地型式及保护探讨

通过对两种接地形式（TT、TN）在户外照明系统中应用的优缺点分析,得出了在化工企业中户外照明宜采用TN-S系统,并将其PE线作为全厂接地干线,另外设置过电流保护作为主保护,漏电保护作为后备保护的方式。     

DCS的接地分析及处理措施

阐述了DCS交流接地 ,直流接地及屏蔽的措施。提出为满足INFI 90DCS接地系统要求而对供电、接地的处理办法。     

低压配电系统接地问题的探讨

配电变电所的接地关系到低压用户的用电安全 ,低压网络的接地故障引起的低压用户人身电击和电气火灾事故的危险远多于变电所高压侧的接地故障引起的危险 ,并对总等电位联结的作用作了说明。     

化工装置电子信息设备接地系统的理论与实践

详细论述了电子信息设备接地系统的理论基础与工程实践。     

浅谈智能建筑中弱电系统的防雷接地

对智能建筑弱电系统的防雷接地进行详细阐述 ,并对防雷击电磁脉冲部分着重说明。以郴州移动综合楼为例 ,具体介绍了如何对大楼通信设备进行雷电防护。     

Structure and properties of ta-C films prepared by vacuum cathodic arc with an unbalanced external electromagnetic field

ta-C thin films were deposited by vacuum cathodic arc technology with an unbalanced external electromagnetic field. The intensity of the magnetic field was adjusted by changing coil current and its effect on structure and properties of ta-C films was studied. FEM simulation results showed that as coil currents increased, the transverse, normal magnetic field and the magnetic intensity from arc cathode to substrates holder gradually increased. The UBM system increases the magnetic field intensity of the entire vacuum chamber by mainly improving the normal magnetic flux density near the arc cathode. The surface morphology, microstructure, tribo-mechanical properties of ta-C films were analyzed by SEM, Raman spectrometer, XPS, 3D surface profiler, Nano-indentation and ball-on-disk tribometer. Results showed that as the coil current increased, the average target voltage increased from 21.14 V to 25.97 V and target power rose from 845 W to 1043 W. Changes of magnetic field affected the plasma in vacuum chamber and the number of ions reaching the substrates, which had significant influences on film structure and properties. With a proper magnetic field (at coil current of 4A), ta-C films perform the highest hardness of 58.8 GPa, and the highest sp³ content of about 71% with the lowest ratio of I_D/I_G (0.38). During the wear process, the transfer layer was formed by oxidation and graphitization of contact surfaces. High hardness provided good support for transfer film, which leads to a low wear rate.