（100）和（111）BGaAs衬底上的In0.14Ga0.86As／GaAs量子阱的发光特性…

在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ衬底上，同时用ＭＯＣＶＤ生长出Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ多量子阱子结构，对两种晶向的样品进行了低温（２Ｋ）光致发光谱特怀性地比研究，测量与理论的光发射能量对比表明；（１００）面样品两一致，而（１１１）Ｂ样品比测量值高出１０－１５ｍｅＶ，这一差别用（１１１）Ｂ面量子阱中的压电效应产生的知建电场引起的发射能量红移作出解释。     

MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光

用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽．     

MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究

用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同的选择性．这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利．用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱以及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究．结果不仅证明了ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＡｓ和Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的独特选择性，也证明了在Ｖ字形沟槽底形成了量子线．     

用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质

本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生     

In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．     

有序Ga_（0．5）In_（0．5）P光致发光的研究

本文用光致发光（ＰＬ）研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质．发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，最后又减弱．我们提出了一个有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的模型，认为有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层是阱定随机分布的Ⅱ型多量子阱结构，能带边之下存在带尾态。并用该模型对实验结果进行了较好的解释．     

GaAs／Al_（0．4）Ga_（0．6）As多量子阱红外探测器光吸收计算

本文在有效质量理论基础上计算了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ多量子阱子带间光吸收谱以及电子态密度。具体讨论了两种情况的吸收．第一种情况是量子阱中只存在一个基态；第二种情况是量子阱中存在一个基态同时还存在一个激发态．最后与有关实验进行比较．     

高电场下In_（0．53）Ga_（0．47）As／In_（0．52）Al_（0．

研究在外加电场０～５０ｋＶ／ｃｍ范围内，Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８ＡＳ宽量子阱电透射光谱中１１ｈ激子跃迁的谱线宽度（ＦＷＨＭ）．它可分解为由温度及界面粗糙度引起的非均匀展宽（高斯型）和由外场引起的均匀展宽（劳伦兹型）．用线性叠加的近似公式代替高斯和劳伦兹方程的卷积，再与实验光谱拟合．谱线总宽度、高斯展宽成份及线性叠加系数η均作为拟合参数得到，从而可得劳伦兹展宽．将与外场的关系曲线与理论作比较，在数量级上一致．     

In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化．用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８．用Ｘ射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际Ｉｎ组分．用光致发光谱（ＰＬ）、吸收谱（ＡＳ）、光伏谱（ＰＶ）确定出了样品中的激子跃迁能量．对量子阱中的激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化进行了理论计算．结果表明：对给定阱宽的量子阱，随着Ｉｎ组分的增大，量子阱中１１Ｈ和１１Ｌ激     

MBE CdTe／GaAs光致发光研究

在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好．     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

InxGa1—xAs／AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

MBE生长InGaAs／GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究

采用ＶａｒｉａｎＧｅｎⅡＭＢＥ生长系统研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阶（ＳＳＱＷ）激光器结构材料。通过ＭＢＥ生长实验，探索了Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ｔＡｓ／ＧａＡｓＳＳＱＷ激光器发射波长（λ）与Ｉｎ组分（ｘ）和阱宽（Ｌ＿ｚ）的关系，并与理论计算作了比较，两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响，主要包括：Ⅴ／Ⅲ束流比，量子阱结构的生长温度Ｔ＿ｇ（ＱＷ），生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础，通过优化器件结构和ＭＢＥ生长条件，获得了性能优异的Ｉｎ＿（０．２）Ｇａ＿（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阱激光器：其次长为９６３ｎｍ，阈值电流密度为１３５Ａ／ｃｍ￣２，微分量子效率为３５．１％。     

In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光

本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．     

GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜

国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

匹配In0.53Ga0.47As／InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

在国产ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（１￣１８ｎｍ）的高质量的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且锐，每个阱的激子跃迁峰清晰可辨，当阱宽大于６ｎｍ时，阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好；当阱宽小于６ｎｍ时，实验值小于理论值；对阱宽相同的窄阱而言，我们样品的实验值高于Ｔｓａｎｇ的实验