Zn(BTZ)2发光层厚度对白色电致发光器件发光光谱的影响

制备了结构为ITO／TPD／Zn（BTZ）2Al的有机电致发光（EL）器件，经测试发现，Zn（BTZ）2发光层厚度对器件EL光谱有较大影响。当Zn（BTZ）2层厚度分别被控制在50和80nm时，EL谱中都只有1个峰，其峰值分别为580和470nm；当Zn（BTZ）2层厚度被控制在50～80nm时，EL谱同时出现470和580nm的2个峰，且它们的相对发光强度与Zn（BTZ）2层厚度也有关系，随着Zn（BTZ）2层厚度越接近80nm（或50nm）时，EL谱峰值为470nm的光就相对越强（或弱），峰值为580nm的光就相对越弱（或强）。通过调整Zn（BTZ）2层厚度，在65nm左右时得到色度较好的白光器件，其色坐标为（0．33，0．33）。为了研究器件的光致发光（PL）谱，制备结构为TPD／Zn（BTZ）2的有机薄膜，经测试发现，薄膜PL谱与Zn（BTZ）2层厚度无关，其光谱峰值在480nm处，与相关文献报道一致。对上述现象进行了分析。     

光泵亚毫米波激光的喇曼过程相互作用

在小型光泵ＮＨ３分子亚毫米波激光器中，喇曼过程的相互作用变成一个重要的效应，它直接影响了激光器的输出强度和频谱特性。用大功率ＣＯ２－９Ｒ（１６）谱线泵浦ＮＨ３分子时，两个喇曼过程ｓ→ａＰ（７，０）和ｓ→ａＰ（７，１）相互作用导致彼此增强；而当ＣＯ２－９Ｒ（３０）谱线泵浦时，出现多个喇曼过程相互竞争的现象。     

AlCN太阳能选择性吸收薄膜光学常数测定

本文讨论了太阳能选择性吸收薄膜ＡｌＣＮ各膜层的光学常数谱ｎ（λ）与ｋ（λ）的测定方法，用分光度计测量各膜层的反射率谱Ｒ０（λ），运用Ｋ－Ｋ关系，获得ｎ（λ）的谱值，最后用台阶仪测定各膜层的厚度，用分光光度计测量同适射率谱Ｔ０（λ）。运用Ｈａｄｌｅｙ方程，计算出反射率谱Ｒ和透射率谱Ｔ（λ），其值与分光光度计的实测值吻合。     

多孔硅中两种不同的光致发光谱

采用连续变化的单色光作为激发光源，测量了多孔硅的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＬＰＥ）谱．结果表明，多孔硅存在两种不同的ＰＬ谱．一种是人们通常观察到的ＰＬ谱，其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长（λｅｘ）的变短而蓝移，我们称其力量子限制型光致发光（ＱＰＬ）谱．另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λｅｘ而变化的ＰＬ谱，我们称其为非量子限制型光致发光（ＮＱＰＬ）谱．多孔硅还存在与ＰＬ谱相对应的两种不同的ＰＬＥ谱．与ＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱是双峰谱，与ＮＱＰＬ谱对应的ＰＬ     

库仑规范下谱域电并矢格林函数的纵向和横向分解

本文提出了一种推导谱城电并矢格林函数G．（K，r’）的新方法。在库仑规范下，以并矢狄拉克δ函数的纵向（无旋或片式）和横向（无散）分解为基础，导出了谱域电并矢格林函数G（K，r’）的纵向和横向分解表达式，并提供了同有关文献完全相同的G．（r，r’）的结果。     

NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀     

基于声音信号的特征提取方法的研究

主要介绍了利用MATLAB语言对声音文件的采集、调入和一些基本处理方法，对预处理过程及特征参数的选取做了详细的说明，并着重介绍了线性预测系数（LPC）及其倒谱系数（LPCC）和梅尔频率倒谱系数（MFCC），且对它们进行了比较。     

运动目标模拟器相参性分析

分析了基于数字射频存储器（DRFM）的运动目标模拟器（MTS）相参性。由于DRFM延时的离散性，引起了MTS输出信号相位的改变，破坏了信号的相参性，使MTS输出信号频谱发生变化，不仅使谱线位置移动，而且还产生了附加的寄生谱线。分析结果表职，延时更新率（Fc）决定了谱线间隔，并通过sinc函数决定谱线的幅度，而雷达信号频率与所模拟目标的速度共同决定谱线的移动。     

不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和致发光谱研究

用拉曼谱和光致发光谱研究了不同掺杂类型和掺杂浓度的单晶硅衬底上制备的多孔硅（PS）。根据拉曼谱估计了不同衬底PS的硅残留体的尺寸，结果与其它实验的结论相符。把由拉曼谱得到的PS尺寸和由光致发光谱得到的PS荧光峰能量相对比，发现单纯的量子限制模型不能统一解释不同衬底PS的光发射现象。     

掺铒光纤放大器及其在波分复用系统中的应用

介绍了掺铒光纤放大器（EDFA）的原理、组成结构和所用元器件，阐述了EDFA的增益、噪声和增益谱特性，并对EDFA应用于波分复用（WDM）系统中带来的增益谱平坦问题进行了讨论。     

高效红外反射偏振器的研究

文中给出了在低折射率透明基底上涂镀高折射率透明薄膜构成高效、Ｐ分量抑制的红外反射偏振器的实例。对于未被抑制的Ｓ偏振分量的反射率可达ＲＳ≥９５％,因此可以与金属基底的薄膜反射偏振器相比,并且避免了对升温的强迫制冷要求。同时研究了薄膜厚度、入射角及波长的微小变化（或误差）对于该偏振器消光率的影响。     

Monte Carlo simulation for the sputtering yield of Si3N4 thin film milled by focused ion beams

The sputtering yield of the Si3N4 thin film is calculated by Monte Carlo method with different parameters. The dependences of the sputtering yield on the incident ion energy, the incident angle and the number of Gallium (Ga) and Arsenic (As) ions are predicted. The abnormal sputtering yield for As at 90 keV occurs when the incident angle reaches the range between 82°and 84°.     

Monte Carlo simulation for the sputtering yield of Si3N4 thin film milled by focused ion beams

The sputtering yield of the Si3N4 thin film is calculated by Monte Carlo method with different parameters. The dependences of the sputtering yield on the incident ion energy, the incident angle and the number of Gallium （Ga） and Arsenic （As） ions are predicted. The abnormal sputtering yield for As at 90 keV occurs when the incident angle reaches the range between 82° and 84°.     

基于偏振光反射多点法测量薄膜参数

依据偏振光反射原理和多角度测量的多点拟合算法,实现了对薄膜材料折射率和厚度的精确测量。将高准直半导体激光入射到薄膜样品与空气分界面上,逐步旋转样品或改变样品表面的入射角,得到待测样品的反射率随入射角变化曲线。在曲线上取不同入射角处所对应的反射率,根据计算公式求解出多组薄膜厚度和折射率。利用已测量的多组反射率与求解出的薄膜参数相应反射率拟合后可确定出薄膜参数最优解。在求出的薄膜参数附近拓展一定范围再次拟合,可求出更精确的薄膜参数。基于此方法测量了SiO2薄膜的折射率和厚度,测量折射率误差不超过0.3%,厚度误差不超过0.07%。     

Thin film AlGaInP light emitting diodes with different reflectors

The reflectivity versus incident angle of a GaP/Au reflector,a GaP/SiO_2/Au triple ODR(omni-directional reflector) and a GaP/ITO/Au triple ODR was calculated.Compared to AlGaInP LEDs with a GaAs absorbing substrate, thin film LEDs with a Au reflector,a SiO_2 ODR and an ITO ODR were fabricated.At a current of 20 mA,the optical output power of four samples was respectively 1.04,1.14,2.53 and 2.15 mW.The Au diffusion in the annealing process reduces the reflectivity of the Au/GaP reflector to 9%.The differe...     

Monte Carlo Simulation of Damage Depth in Focused Ion Beam Milling Si3N4 Thin Film

The damage properties of Focused Ion Beam（FIB） milling Si3N4 thin film are investigated by the detailed analyzing images of nanoholes and simulation of Monte Carlo. The damage depth in the Si3N4 thin film for two different ion species（Gallium and Arsenic） under various parameters（ion energy, angle of incidence） are investigated by Monte Carlo method. The simulations show the damage depth increases with the increasing ion energy, the damage depth is dependent on the angle of incident ion, the curves of the damage depth for Ga ion and As ion at 30 keV nearly superpose, while the damage depth for Ga with 90 keV ion is more than that for As ion with the same energy.     

Design and experimental study of compensation fitting on the angle-tuned filters

For a 100 GHz DWDM angle-tuned filter with low polarization dependent loss, the insertion loss and the Gaussian- transformation tendency of the transmission spectrum will become more serious as the incident angle is increased. It is because of that the optical path and the transmission modes of the thin film filter will change when the incident angle is varied. According to the thin film matrix theory, the analysis model is established, the displacement change of the transmis- sion field is simulated, and a dynamic compensation fitting is also designed and fabricated in the paper. The experimental results show that it can effectively reduce the insertion loss and the phenomenon of Gaussian process. Using the compen- sation fitting, the tunable range of the filter is at about 20 nm which coincides with the theoretical design.     

双金属层表面等离子体共振传感器灵敏度优化

为了优化表面等离子体共振传感器的灵敏度,基于薄膜光学理论,分析了银-金双金属层表面等离子体共振传感器的反射率和灵敏度随金属薄膜厚度变化的规律。发现在满足共振角反射率小于1%的条件下,银膜和金膜厚度存在一定的取值范围; 在此厚度范围内,传感器的灵敏度随着金属薄膜（银膜与金膜）厚度的增大而提高,灵敏度增量最大可达5°/RIU。结果表明,在保证一定共振角反射率的前提下,可通过增加双金属层中金属薄膜的厚度提高双金属层表面等离子体共振传感器的灵敏度。     

补偿强反光体表面红外测温误差的算法研究

针对运动强反光体表面温度实时测量困难、精度低这一难点,本文从红外测温原理入手,分析并揭示了红外测温精度易受到被测物体反射率、测量距离、测量环境、红外入射角等因素的影响。根据铝板材加工设备轧辊表面测温实际需要设计了一种利用红外传感器实现对强反光体表面温度点对点测量的方案。通过对测量数据的研究分析建立了一种基于斯忒藩定律的红外入射角度补偿算法,以此减小因红外入射角度变化产生的测温误差。实验结果证明本方法能较好地弥补红外入射角度变化产生的测温误差,提高测温精度。该补偿算法运算简单,适应性强,为改善入射角度变化对测温精度影响提供了新的方法。     

薄膜AlGaInP发光二极管中不同反光镜的研究

本文计算了GaP/Au 反光镜, GaP/SiO2/Au 三层ODR and GaP/ITO/Au 三层ODR的反射率随角度的变化值。制作了GaAs衬底的AlGaInP LED,Au反光镜、SiO2 ODR和ITO ODR的薄膜AlGaInP LED。在20mA下,四种样品光输出功率分别为1.04mW, 1.14mW, 2.53mW and 2.15mW。制作工艺退火后,Au扩散使Au/GaP反光镜的反射率降至9％。1/4波长的ITO和SiO2透射率不同造成了两种薄膜LED光输出功率不同。ITO ODR中加入Zn可以大大降低LED的电压,但并不影响LED的光输出。