首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
Li_(1+x)Ge_(2-x)Cr_xP_3O(12)系统的相关系与电导   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了Li_(1+x)Ge_(2-x)Cr_xP_3O_(12)系统的相组成与电导的关系。用Cr~(3+)置换LiGe_2P_3O_(12)中的Ge~(4+)在00.5时出现未知相。用少量Cr~(3+)取代Ge~(4+)后电导率即骤增,在固溶体范围内电导率随x值的增大而升高,在0.2≤x≤0.6区间都有较高的电导率。Lj_(1.3)Ge_(1.7)Cr_(0.3)P_3C在35℃、300℃、450℃时的电导串分别为2.9×10~(-5)、1.1×10~(-2)、4.6×10~(-2)(S/cm),电导活化能为0.37eV,电子迁移数在10~(-5)数量级。  相似文献   

2.
利用溶胶-凝胶法,经800℃焙烧10h合成了Ce1-xEuxO2-δ(x=0.05~0.50)固溶体.用X射线衍射仪检测了样品的结构,测量了样品的阻抗谱和电子顺磁共振谱.结果表明:当掺杂量x≤0.40时,固溶体的结构为单相立方萤石结构,晶胞参数随x的增加而增大.样品中存在Ce3 ,掺杂Eu3 可以抑制Ce4 离子的还原.通过掺杂使固溶体Ce1-xEuxO2-δ(x=0.10~0.40)的电导率提高,随着掺杂量x增加,电导率增大,并在x=0.20时达到最大值(500℃的电导率σ500℃=1.07×103S/cm);电导活化能减小,x=0.20时,电导活化能Ea达到最小值,为0.72eV.  相似文献   

3.
采用合理的制水工艺及流程,可较好的节省能源、减少环境污染,明显的提高产品质量。 一、制药行业对纯水的水质要求 制药行业对纯水(去离子水)的水质要求,就电阻率而言,没有电子行业高。电子行业普遍要求纯水电阻率≥15MΩ·cm(25℃),有些甚至≥18MΩ·cm(25℃)。而制药行业一般认为纯水电阻率达到0.5MΩ·cm(25℃)则可。但对纯水中的细菌、毒性物质要求很严,对水的浊度、铁、锰等金属含量及Cl~-、SiO_2等阴离子则尽量的低。如日本制  相似文献   

4.
江虹  郭瑞松  李永  郭浩龙 《硅酸盐通报》2014,(3):515-519,525
质子传导固体氧化物燃料电池具有广阔的应用前景,本文探索以BaCeO3为主体均相复合BaZrO3,采用ZnO为烧结助剂,制备了Y和Yb复合掺杂的BaZrO3-BaCeO3即BaCe0.5Zr0.3Y0.2-xYbxO3-δ(x=0、0.08、0.16)质子导体,重点研究了Y和Yb复合掺杂对质子导体材料烧结性、微观结构和电导率的影响。实验结果表明,x=0时,即BCZY-Z试样具有较好的性能,1350℃烧结6 h试样相对密度达到了97.1%,600℃电导率为6.3×10-3S/cm,700℃晶界电阻只有18Ω。  相似文献   

5.
研究了Na_3Zr_(2-x)Mg_xSi_(2-2x)P_(1+2x)O_(12)系统的组成、结构和电性能。结果表明:Mg~(2+)能在一定的组成范围内取代Na_3Zr_2Si_2PO_(12)中的Zr~(4+)形成固溶体,单相固溶体区域延伸至x=0.5;当x=0.4时固溶体的结构由单斜转变为三方。固溶体的电导率随x的增加而降低。本文还从结晶化学的角度讨论了Na_3Zr_(2-x)Mg_xSi_(2-2x)P_(1+2x)O_(12)系统的组成、结构和电性能的关系。  相似文献   

6.
采用甘氨酸-硝酸盐燃烧法合成了中低温固体氧化物燃料电池(SOFCs)的电解质材料Ce_(0.8)Y_(0.2-x)Sm_xO_(1.9)(CYSO,x=0.0~0.20)。通过热重-差热分析(TG-DSC), X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)及交流阻抗技术分析材料的性能.结果表明:初始粉体经700℃煅烧2 h后形成单相的结晶性能良好的具有萤石结构晶粒尺寸约为25 nm的CYSO纳米粉体,CYSO晶格常数随Sm掺杂量的增加而增大;CYSO纳米粉体烧结性能良好,在1400℃烧结5 h后样品的相对密度均超过95.0%。电化学性能研究表明Sm、Y共掺杂能改善CeO_2基电解质材料的性能,其中Ce_(0.8)Y_(0.2-x)Sm_xO_(1.9)在800℃时电导率高达0.050 S/cm,电导活化能低至0.386 eV。因此,甘氨酸-硝酸盐燃烧法合成CYSO有利于降低烧结温度,提高纯度,改善电解质的性能。  相似文献   

7.
掺纳米Al2O3的纳米ZrO2(4Y)固体电解质的电性能   总被引:8,自引:1,他引:8  
以纳米ZrO2(4Y)粉和纳米Al2O3粉为原料, 单轴成型, 1 200, 1 300 ℃无压烧结. 对掺不同质量分数(0.0~5.0%)Al2O3的ZrO2(4Y)烧结体, 用XRD, SEM和TEM研究了相组成和微观结构. 在不同温度下(300~1 000 ℃)测试了交流阻抗谱, 发现掺很少量的纳米Al2O3可降低ZrO2(4Y)的晶粒电阻. 但随着Al2O3掺入量的增加, 晶界电阻增大, 晶粒电阻也有所回升. 晶粒和晶界电导活化能则随Al2O3掺入量的变化不大. 对1 200 ℃,2 h烧结样品, 在1 000 ℃时, 掺0.5% Al2O3的ZrO2(4Y)样品有最大电导率, 为3.8×10-2Ω-1·cm-1.  相似文献   

8.
铜粉导电胶的制备研究   总被引:12,自引:6,他引:6  
一种铜粉导电胶 ,由E51环氧树脂、密胺 -脲醛树脂MF ,铜粉及少量添加剂组成 ,固化温度为 1 0 0℃ ,体积电阻率≤ 3.6× 1 0 - 3Ω·cm ,该导电胶可应用在电子工业中。  相似文献   

9.
采用固相合成法在1 650℃分别合成了Zr0.92Mg0.08O1.92和Zr0.92Y0.08O1.962种固体电解质,其相对密度分别为96.19%和95.12%。XRD分析表明在Zr0.92Mg0.08O1.92和Zr0.92Y0.08O1.96固体电解质中均含有立方固溶体相,SEM分析表明2种材料微观结构致密。采用交流阻抗法分别测定了Zr0.92Mg0.08O1.92及Zr0.92Y0.08O1.96固体电解质在1 000~1 600℃的电导率。结果表明:随着温度的升高,Zr0.92Mg0.08O1.92固体电解质的电导率不断增大,但Zr0.92Y0.08O1.96的电导率在1 400℃时达到最大值(7.24×10—2 S/cm),随后降低;在1 000~1 450℃,Zr0.92Y0.08O1.96的电导率高于Zr0.92Mg0.08O1.92,在1 500~1 600℃,Zr0.92Mg0.08O1.92的电导率高于Zr0.92Y0.08O1.96。分析得到Zr0.92Mg0.08O1.92和Zr0.92Y0.08O1.96在1 000~1 450℃温度区间的电导激活能分别为1.61和0.20eV,在1 450~1 600℃温度区间的电导激活能分别为0.55和0.85eV。  相似文献   

10.
本文介绍了WB卷式超滤组件的研制及在17~18MΩ·cm(25℃)超纯水中运行,电阻值下降<0.5MΩ·cm(25℃)。能有效地去除水中的颗粒,细菌和微生物等,已达到国外同类产品技术指标,同时卷式超滤组件在酶制剂工业中的应用。  相似文献   

11.
<正> 该耐寒护套级电缆料原料立足于国内,采用聚氯乙烯与热塑性弹性体共混改性料制成。耐寒温度-35℃,20℃体积电阻率≥1×10~10Ω·cm,击穿强度≥18kv/mm,断裂伸长率≥300%。建德有机化工厂建立了1000吨/年的生产车间,并进行了试生产。产品经  相似文献   

12.
采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜,并研究了Ni掺杂对Cu3N的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶面向小角度偏移;随着Ni含量的增加,Cu3N薄膜的电阻率从1450×10-6Ω.cm减小到184×10-6Ω.cm,光学能隙从1.09eV增加到1.52eV。  相似文献   

13.
Al2(1-x)MgxTi1+xO5体系固溶体的合成及其热性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
张联盟  方青  沈强 《硅酸盐学报》2002,30(4):451-455
通过固相法以MgO*2TiO2为稳定剂合成了Al2(1-x)MgxTi1+x O5 (简称AMT) (x=0, 0.01, 0.05,0.1, 0.3)体系固溶体粉末.研究了该固溶体粉末的物相组成、以及热分解性能与x值变化的关系.采用无压烧结法对制备的固溶体AMT粉末进行烧结,用热膨胀仪测试了烧结体热膨胀性能.粉末X射线衍射结果表明随着x 值的增大, 固溶体AMT晶格常数线性增大、热稳定性越高.当x=0.05时,将该固溶体在1 100 ℃保温10个 h, 仅有9%的分解率.通过热膨胀仪测试烧结体, 其结果表明在室温至550 ℃范围内AMT体系的热膨胀率均小于零.当x=0.1时, 固溶体AMT有相对较低的热膨胀率, 并对其原因进行了分析.  相似文献   

14.
采用溶胶-凝胶法制备出Ce0.8Y0.2-x Cax O2-δ(0.02≤x≤0.10)系列电解质材料。通过红外、热重、X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、交流阻抗和热膨胀系数测试对试样进行分析。结果表明:采用溶胶-凝胶法经600℃煅烧所得粉体形成了单相立方萤石结构,平均晶粒尺寸在5~10nm之间;Ce0.8Y0.2-x Cax O2-δ超细粉体具有较高的烧结活性,在1 400℃烧结得到的Ce0.8Y0.2-x Cax O2-δ系列电解质陶瓷的相对密度均大于96%。在该系列材料中,Ce0.8Y0.1Ca0.1O1.85具有良好的离子导电率、较低的电导活化能和适中的热膨胀性能。它在800℃时的离子电导率为0.041S/cm,电导活化能为0.81eV,热膨胀系数为13.5×10-6 K-1(常温~800℃)。  相似文献   

15.
用化学法制备了(1-xmol%)BaTiO_3-xmol%(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3(BBNTx,x=1,2,3,4,5)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coefficient of resistivity, PTCR)陶瓷。XRD表明所有的BBNTx陶瓷形成了单相的ABO_3四方钙钛矿结构。电阻温度特性表明空气中烧结的所有BBNTx陶瓷都能够半导化,具有明显的PTC特性。其中0.2 mol%Y掺杂BBNT1陶瓷,室温电阻率大约为500Ω·cm,电阻突跳比(最大电阻/最小电阻)在2.7个数量级左右,电阻突变温度约130℃。材料的电阻突变温度会随着BNT的增加而略有增加。但BNT的增加会导致室温电阻率明显增大,并且PTC效应也会降低。BBNT5陶瓷的电阻突变温度能够增加到145℃左右,但室温电阻率超过105Ω·cm,电阻突跳只有1个数量级。  相似文献   

16.
复合掺杂(Ca+Nd)α-sialon的研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
用热压制备了原始组成为(Ca,Nd)xSi12-3nAl3nOnN16-n(x=1.0)[其中x=2n/v,v为(Ca+Nd)的价态],不同Ca∶Nd置换比例的复合掺杂(Ca+Nd)α-sialon.藉助XRD和SEM研究了相形成规律和显微结构.结果表明:复合掺杂系统的致密化优于单一掺杂Nd α-sialon; 其在1 750 ℃热压后的相组成包括α-sialon、黄长石固溶体和AlN多型体.随设计组成中Ca/Nd摩尔比的增加,α-sialon含量升高,α-sialon晶胞也变大.材料的显微结构中同时存在等轴状和长颗粒的α-sialon晶粒形貌.EDS分析结果表明:Ca大多进入α-sialon 晶格,而Nd主要构成晶界相.  相似文献   

17.
抗静电纤维是一种电阻率比普通纤维小的导电性纤维。自第 1代抗静电导电性金属纤维实用化以来 ,人类又开发了第 2代导电性涂层纤维 ,第3代导电性复合纤维和第 4代白色导电性纤维 ,2 0世纪 90年代业已开发多种低熔点复合纺丝的导电性纤维。目前市场上的抗静电用导电性纤维有直径 8~ 50 μm,电阻率 1 0 - 5Ω·cm金属纤维 ,电阻率1 0 - 2 Ω· cm的电镀金属纤维和电阻率 1 0 - 2 ~ 1 0Ω·cm的有机导电性纤维。它们与电阻率 1 0 14 Ω·cm和 1 0 12~ 1 0 13 Ω·cm的普通合成纤维相比 ,其导电大些。导电性纤维根据电阻值大小 ,分为低电阻类…  相似文献   

18.
系统研究了(Ti-Cr)_(100-x)V_x(x=30,40,50,60;Ti/Cr=0.7~0.75)合金的微结构及储氢性能。XRD及SEM分析表明,当V含量x=30时,合金中由体心立方(bcc)结构的钒基固溶体主相和微量α-Ti第二相组成;当V含量增至x=40~50时,合金为单一的bcc相;当x=60时,合金中出现了C15型Laves第二相。储氢性能测试表明,随着V含量的增加,合金的活化性能下降;室温最大吸氢量和90℃有效放氢容量均先增加后降低,并在x=50时达到最高值。合金的P-C-T曲线平台比较宽,吸放氢压力滞后均较大。当V含量x=50时,合金的综合性能相对较佳,室温最大吸氢量可达393ml·g~(-1),90℃有效放氢容量为210ml·g~(-1)。  相似文献   

19.
利用DTA、XRD等手段对C11A7·CaCl2 的形成进行了研究 ,发现C11A7·CaCl2 在 85 0℃左右开始形成 ,随着煅烧温度的升高 ,C11A7·CaCl2 的形成化合程度逐渐提高 ,但其形成反应速率增加不显著。对C11A7·CaCl2 的形成动力学研究表明 ,C11A7·CaCl2 的形成反应可用Ginstling动力学模型很好地描述 ,其反应活化能为 5 0 5kJ·mol 1,处于一般化学反应活化能数值的下限 ,因此其形成反应速率随煅烧温度的升高增加不显著  相似文献   

20.
用固相反应法制备了Na_3Zr_2Si_2PO_(12)(Nasicon)固体电解质陶瓷。研究了各种因素对烧结的影响。用固相反应法制备的Nasicon陶瓷具有细晶显微结构,相对密度达96~98%,在350℃时电阻率为3Ω·cm。这种高的电导率是由于Nasicon在140℃附近发生可逆相变所致。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号