研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法

运用高精度X射线双晶衍射议对GeSi/Si应变超晶格进行了分析研究,实验上观测到在卫星峰之间存在着干涉条纹(Pendellosung),建立了界面的随机概率模型.结合计算机模拟发现:Pendellosung条纹对界面的粗糙十分敏感,当界面粗糙度较小时,只影响Penderllosung条纹的规则排列,而当粗糙度较大时,不仅使Pendellosung条纹强度下降,规则排列受到破坏,并且还将导致高级卫星峰强度下降,峰形严重宽化. 关键词：     

粗糙界面对Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值影响的理论分析

以Bi2Te3/PbTe超晶格薄膜为例,分析电子在Bi2Te3量子阱中的输运过程,综合了薄膜的经典散射效应和理想量子效应,并以此混合效应为基础,在PbTe障碍层厚度一定时,模拟计算了两种混合效应中量子效应占不同比例时,Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值的变化.在镜面反射占混合效应的0 3时,得到的热电优值与当前报道的量子阱超晶格的实验值接近.     

粗糙界面对Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值影响的理论分析

以Bi₂Te₃/PbTe超晶格薄膜为例,分析电子在Bi₂Te₃量子阱中的输运过程,综合了薄膜的经典散射效应和理想量子效应,并以此混合效应为基础,在PbTe障碍层厚度一定时,模拟计算了两种混合效应中量子效应占不同比例时,Bi₂Te₃/PbTe超晶格热电优值的变化.在镜面反射占混合效应的0.3时,得到的热电优值与当前报道的量子阱超晶格的实验值接近. 关键词： 超晶格 粗糙界面 热电优值     

粗糙界面对铁磁半导体/d-波超导隧道结隧道谱的影响

考虑到铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配,运用推广了的Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了粗糙界面散射对铁磁半导体/d-波超导(FS/DS)隧道结的隧道谱的影响.研究表明:(1)铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配对系统的微分电导影响显著;(2)粗糙界面散射对Andreev反射有抑制作用.     

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

In_xGa_1-xAs缓冲层上生长In_yGa_1-yAs/GaAs超晶格（x＜y）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于Mathews-Blakeslee（M-B）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现，GaAs/In_yGa_1-yAs界面铟组分过渡区比In_yGa_1-yAs/GaAs界面铟组 关键词：     

半导体超晶格界面声子的拉曼散射与对界面本质的认识

介绍了对半导体超晶格中宏观和微观两种界面声子研究的最新结果，深入讨论了这些新结果的物理意义，以及有待进一步研究的问题 。     

InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程, 特别针对In_0.15Ga_0.85As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究. 发现In_0.15Ga_0.85As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程. 在低温低As等效束流压强下, 薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程, 起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式, 随着退火时间的延长, 大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态; 在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛, 退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态, 表面形貌将长期处于预粗糙状态.     

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)₁(InP)₁(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△E_v)的普遍适用的参考能级。研究了应变对 关键词：     

不同晶向、厚度的超晶格界面的平均键能行为

对三种不同晶面（（１００），（１１０）和（１１１））的超晶格（ＡｌＡｓ）₁（ＧａＡｓ）₁，（ＡｌＡｓ）₃（ＧａＡｓ）₃的电子结构进行了第一性原理的计算，采用冻结势万法系统地分析了在不同的晶向和不同的周期层厚度的情况下，超晶格界面处的电荷转移、平均键能的对齐行为和价带边的不连续性。进一步从第一性原理的数值计算上检验了以平均键能为能量参考的异质界面价带边不连续性的理论计算方法。 关键词：     

SIMULATION OF X-RAY DIFFRACTION OF MULTILAYER FILM WITH INTERFACIAL ROUGHNESS

In this paper, the X-ray diffraction profiles of multilayer with uncorrelated rough interfaces are directly simulated using kinematic theory of X-ray diffraction. The result shows that the decrease of the reflective intensity caused by the interracial roughness is more severe than that caused by random fluctuation of period of the same degree, and the decrease of the reflective intensity of high order Bragg deffraction is more rapid than that of low order ones. So it is very important to reduce the interracial roughness in the deposition and in the annealing of multilayer films.     

晶体表面畸变的X射线双晶衍射研究

本文介绍了表面畸变的晶体中X射线动力学衍射分层模型的计算原理和通过计算机模拟双晶摇摆曲线获得畸变层信息的方法,讨论了不同的双晶排列方式对摇摆曲线和模拟计算的影响,分析了畸变层内应变、损伤分布与摇摆曲线的关系,并以B⁺注入Si(100)晶片为例,给出了模拟结果。 关键词：     

X射线双晶衍射摇摆曲线本征半峰宽的理论计算

本文应用X射线衍射动力学理论,推导出Bragg衍射几何X射线双晶衍射反射率的数学表达式。多种晶体、不同衍射的摇摆曲线计算结果表明,σ偏振的摇摆曲线的峰值和积分强度均比π偏振的高。而且半峰宽较宽。同时指出,对圆偏振X射线入射或者A,B两晶体不同类或者两者的衍射级数不相同时,很多文献给出的双晶衍射摇摆曲线半峰宽的近似表达式2^1/2∞不再适用。 关键词：     

退火对W/C周期性多层膜X射线衍射性能的影响

对W/C周期性多层膜的退火行为进行了精密X射线衍射测量,引入折射率修正,准确计算了多层膜的周期。观测到退火过程中多层膜周期变大的现象,同时二、三级Bragg衍射强度增大。用C层的密度下降对这些现象进行了解释。 关键词：     

微尺度下壁面粗糙度对面向导热影响研究

随着空间尺度的缩小,界面对导热的影响就会越来越明显。本文采用非平衡分子动力学模拟方法模拟了壁面的粗糙度对面向导热的影响,并给出微尺度下的粗糙度定义。在模拟中构造了不同的壁面粗糙度,得到了面向热导率随着壁面粗糙度增加而减小的结果。分析认为壁面的镜面反射率随着粗糙度增加而减小,而镜面反射率减小将导致热导率下降．     

双势垒超晶格结构的同步辐射及X射线双晶衍射研究

利用高精度的Ｘ射线双晶衍射和同步辐射散射对可用于半导体红外探测器的双势垒超晶格材料进行了研究，并运用Ｘ射线衍射动力学理论进行模拟计算，得到了与实验结果符合得很好的理论曲线．同时发现包络函数节点处的卫星峰对结构参数的变化极为灵敏．以此进行模拟计算，可准确地确定出样品的结构参数，厚度误差范围为±０.１ｎｍ．并利用Ｘ射线衍射运动学理论对实验中观测到的卫星峰调制现象给予了解释     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究

利用透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层的结构特点及其X射线衍射摇摆曲线分析方法,解释了AlGaAs/GaAs外延层摇摆曲线半峰宽和其衍射角角位移随外延层生长温度升高而增大的现象.     

X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响

利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的X射线衍射技术，研究了活化剂Sb对于Ge在Si上外延过程的影响．当没有活化剂、Ge层厚度为6nm时，外延Ge层形成岛状，应力完全释放．当有Sb时、Ge在Si上的生长是二维的，并且应力释放是缓慢的，即使Ge外延层厚为6nm，仍有42%的应变没有弛豫． 关键词：     

应变弛豫InGaAs/GaAs超晶格的X射线双晶衍射及形貌研究

应用X射线双晶衍射及双晶形貌术,对应变弛豫的InGaAs/GaAs超晶格作了研究,通过对双晶衍射摇摆曲线的计算机模拟,得到了超晶格的结构,应变弛豫机制,弛豫比,超晶格层与衬底的取向差等重要参数。从双晶形貌,得到了超晶格与衬底界面处和超晶格中的位错分布。 关键词：     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究

本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布,阐明了GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射的分析方法,最后给出了实例.