CCD电离辐射效应损伤机理分析

研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理.分析了总剂量效应导致OCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理.研究了单粒子瞬态电离辐射导致OCD单粒子瞬态电荷产生的机理,研究了瞬态脉冲电离辐射导致OCD信号电荷损失的机理.     

CCD型束流截面探测器

CCD型束流截面探测器的主要特点是使用电荷耦合器件做传感器,用束流同步光中的可见光成份做为信号源。该探测器同时具有模拟量和数字量两种输出,工作周期短,速度高,不影响束团粒子寿命,在电子储存环物理运行中,是一种有效的探测设备。     

电离辐射法污水处理设备及其方法

本发明涉及一种电离辐射法污水处理设备，包括椭圆容器(1)内置筒形限流管(3)，贮源管(6)及放射源^60Co(7)，若干环形导流隔板(8)，污水进口(4)与沉沙池相连，出水口(5)。本发明还公开了一种电离辐射法污水处理的方法。本发明的污水处理设备和方法是一种结构独特、操作简单、高效、设备投资和处理费低，技术安全可靠，使污水处理达一级排放标准，COD为60mg／L，BOD为20mg／L，无二次污染和污物转移，百分之百灭活细菌，是新一代污水处理设备和方法，可广泛用于各种生活污水、工业污水和中水回用中。     

国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究

分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置.     

Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究

本论文主要分析了SiN4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用.同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷.     

典型光电器件~(60)Co γ射线辐照试验研究

用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。     

非人类物种电离辐射照射影响评价——参考植物的评价研究现状

从参考植物及其几何模型、剂量计算、环境照射假设条件等方面,比较了欧共体ERICA方法和美国能源部分级方法(RESRAD-BIOTA)在参考植物剂量评价程序方面的异同。讨论目前在参考植物辐射照射影响评价方面的难点和不足,并就开展我国的非人类物种参考植物电离辐射照射影响评价研究提出了建议。     

表面n沟CCD的电离辐射损伤

本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy时,通过调整“胖零”注入仍可工作。在高剂量辐照期间,不同栅偏压器件的转移效率退化存在较大差异。应用高频和准静态C-V技术分析了参数退化的原因。     

电离辐射诱发的基因组不稳定性和旁效应

近10年来,对于基因组不稳定性和旁效应的研究已成为生物学和放射生物学领域的一个热点。随着对辐射损伤研究的深入,电离辐射引起的非靶效应（如基因组不稳定性、旁效应等）将对与辐射照射有关的危险评价提出新的挑战。本文就体内、外电离辐射诱发的基因组不稳定性,体内、外旁效应以及二者之间的关系做一简要概述。     

SOS—CMOS电路的电离辐照响应特性

本文通过对ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路４０８２进行不同偏置条件下的电离辐照实验，研究了电离辐照环境中引起ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路失效的几种重要漏电机制，。探讨了ＳＯＳ－ＣＭＯＳ电离辐射损伤的最劣辐照偏置条件。     

注F MOS电容的电离辐射效应

对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注量范围是5×10~(14)—2×10~(16)F/cm~2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO_2界面和SiO_2中的行为将直接影响MOS器件的辐照效应,而F的行为依赖于F注入的工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。     

电离辐射诱发的非靶效应及其生物学意义

辐射诱发的非靶效应包括基因组不稳定性、旁效应、断裂因子以及亲代受照射后的遗传效应。非靶效应在辐射致癌、辐射防护、放射治疗、辐射危险评估以及细胞衰老等方面有重要的生物学意义。本文主要从辐射诱发的基因组不稳定性和旁效应两方面介绍辐射诱发的非靶效应及其生物学意义。     

电离辐射对男性生殖及内分泌功能的影响

性腺、甲状腺及肾上腺是人体对电离辐射敏感性较高的器官,是辐射防护的重点。本文介绍电离辐射对男性生殖和性腺功能的影响,以及对甲状腺、肾上腺皮质内分泌功能的影响。     

细胞遗传学技术在辐射生物剂量估算中的应用

细胞遗传学技术作为生物剂量测定方法,已在生物剂量估算特别是急性照射剂量估算方面得到广泛应用和验证。本文重点综述染色体畸变、微核、早熟染色体凝集作为生物剂量测定方法在剂量估算应用中的优缺点,扼要介绍近年来发展起来的一些分子生物学指标用作生物计量估算的进展。     

典型DC/DC电源变换器电离辐射效应研究

研究了典型DC/DC电源变换器辐照后不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,DC/DC电源变换器输出电压等参数变化情况与辐照剂量之间的关系.研究结果表明,DC/DC电源变换器输出电压衰减程度随输出负载功率增大;输入电压变化对输出电压特性的影响程度较小.     

不同类型电离辐射对聚醚聚氨酯材料的辐射效应

文章讨论聚醚聚氨酯材料经γ射线和电子束两种电离辐射辐照后的辐射效应。采用气相色谱、差示扫描量热分析和电子自旋共振技术，研究材料经不同类型电离辐射辐照后材料的热性能和自由基强度的变化及其辐解气体产物的种类和G值。结果表明，γ射线和电子束辐照聚醚聚氨酯材料时，二者对材料的作用机理虽相同，但能量淀积方式却不同，导致自由基数量和强度有所不同，同时材料的热性能和辐解气体小分子也存在差异。