单瓣近衍射极限输出的带外腔半导体激光器

实验研究了带外腔反馈注入的宽接触条形激光器，并用光线传输矩阵分析了该外腔结构。利用闪耀光栅及耦合输出反射镜对表面未镀增透膜的半导体激光器构成外腔，选择一定模式的激光反馈注入回激光器，从而限制了其他模式在半导体激光器内的振荡，压缩了激光器输出激光的光谱宽度。当激光器驱动电流为2．7倍阈值电流时，获得230mW输出功率，0．6nm谱宽，单瓣近衍射极限的激光输出。用一平面镜代替光栅作为外腔反射镜，获得了320mW输出功率，1．5nm谱宽的单瓣近衍射极限的激光输出。     

10 W近衍射极限输出的高效率窄线宽主控振荡放大半导体激光器

为研制近衍射极限的高功率半导体激光器,采用了片上光栅、窄脊型波导、锥形放大器一体集成的主控放大(Master Oscillator Power-Amplifier,MOPA)技术路线,以长度为8 mm、脊型宽度为3μm的波导为单模种子源,配合长度为7 mm、全角为3.3°的锥形放大器,实现了功率10.3 W、慢轴光束质量M²(1/e²)因子=1.06,3 d B线宽40 pm,工作电光效率50.5%的半导体激光输出,并采用片上电致加热光栅调谐技术,实现了中心波长在4 nm范围内连续可调。     

外腔半导体激光器的线宽

本文用量子力学的方法求得了外腔半导体激光器(LD)的线宽,给出了抑制LD线宽的最佳反馈条件。     

外腔半导体激光器输出双稳环形状分析

研究了因折射率与载流子相互关联而引起的外腔半导体激光器的双稳特性，分析了不同条件下各种不同形状的载流子密度双稳环，计算了相应情况下的功率双稳环。     

外腔半导体激光器频谱特性研究

本文在外腔半导体激光器的研究中引入了改进的速率方程组,用解析方法导出了稳态振荡条件和谱线宽度表达式,这些表达式适用于具有任意反馈量的外腔半导体激光器。理论分析与实验相符。     

大功率外腔半导体激光器的研究

介绍了一种用光栅作为外反馈元件，采用普通大功率半导体激光器管芯作为增益介质的方案。实验中实现了输出功率大于７０ｍＷ，边模抑制比大于３０ｄＢ。并对影响大功率外腔半导体激光器特性的参数进行了分析     

具有强耦合外腔的半导体激光器稳定性极限条件

从理论上分析了强耦合外腔半导体激光器的稳定性。在外腔半导体激光器速率方程分析中引人了强反偏因子近似，通过增益速率－频率平面中的特性分析得到如下结论：对于给定参数的外腔半导体激光器，存在有一个技术不能超越的稳定性的理论极限条件。强反馈和短外腔长度有利于提高外腔半导体激器的稳定性．     

半导体激光器参数的外腔法测量

通过测量运行在外腔中的半导体激光器的P-I(功率电流)曲线,可以确定二极管激光器的重要参量——吸收系数α、对电流的微分小信号增益系数dg/dI以及光子寿命等。     

可调外腔半导体激光器的绝对距离测量

提出了一种新型的可用于绝对距离测量的波长扫描光纤干涉仪。采用可连续调谐的外腔半导体激光器作为波长扫描光源。     

半导体激光器外腔长连续调频特性的研究

研究了半导体激光器的外腔长连续调频特性，在外腔长λ／２变化范围内，激光频率与外腔长度呈线性变化关系，线性连续调频宽度小于外腔纵模频率间隔。外腔长调频率与激光管本征频率成正比，与外腔长度成反比。实验测量结果与理论分析相一致。     

冷发射电子束掺杂磷

一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10~(20)/cm~3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。     

高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列

报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)阵列.通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布,且在工作电流0～6 A内远场发散角均小于20°.阵列山直径分别为200 μm,150 μm和100 μm成中心对称分布的5个单元组成,单元圆心间距分别为250μm和200μm.在室温连续工作条件下.阵列在注入电流4 A时达最大输出功率880 mw,斜率效率为0.3 W/A,具有0.56 A的低阈值电流,微分电阻0.09 Ω.与具有相同出光面积的4×4二维阵列相比,这种新型阵列在出光功率、阈值电流、光谱特性及远场分布等方面均具有优越性.模拟了阵列各单元叠加后的近场远场光强分布,结果表明得到的新型阵列的远场分布与实验结果吻合较好.     

外腔半导体激光器的宏模型

本文给出了外腔半导体激光器大信号宏模型。该模型可以作为光电集成ＥＣＬＤ的计算机辅助设计模型,亦可作为考察光反馈对单模ＬＤ影响的分析模型,模型可以用通用电路分析软件进行分析,分析结果与已报导的理论和实验基本一致。     

P型氮化镓退火及发光二极管研究

对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p-GaN在825°C、8min条件下退火可以取得较高的空穴浓度,而LED在750°C、30min退火可以使量子阱的半高宽展宽较小,积分强度降低百分比小,而且LED芯片正向电压也较小。     

Widely Tunable Micro-Mechanical External-Cavity Diode Laser Emitting Around 2.1 $mu$ m

A widely tunable $(Delta lambda/lambda =7hbox{%})$ micro-mechanical external cavity GaSb-based diode laser ($mu$ ECL) emitting around 2.1 $mu$ m is presented. A micro-machined grating with a rectangular grating profile, which can be tilted electrostatically, is employed as wavelength selective element within the external cavity using a Littrow configuration. An optimized grating profile leads to a high diffraction efficiency in the ${-}1$st diffraction order and therefore to a broad tuning range of 152 nm. The maximum output power of the fiber coupled $mu$ ECL system varied only moderately between 22 and 10 mW across the tuning range.      

城市光网中异常发光ONU检测技术创新思路——上海“城市光网”技术创新和应用实践之九

在全力推进“城市光网”建设的过程中,由于软件或硬件等原因造成的异常发光ONU故障严重影响了PON承载的业务质量,已经成为危害PON稳定运行的主要故障之一.但是异常发光ONU故障定位存在一定难度,给PON维护带来不小的压力,因此,尽快研究并提出一套行之有效的异常发光ONU检测方法,将为推动城市光网的发展产生重要的作用.本文通过对异常发光ONU的故障原因及检测机制进行深入分析和研究,提出了一种创新型故障检测思路.     

有限扫描反射面天线相控波束重构技术

该文研究一种采用聚焦馈源阵列馈电的反射面天线,相控阵馈源离开焦平面向反射面移动一定距离,位于焦散区,能够增强反射面天线的波束重构赋形能力和有限视角扫描能力。采用改进的投影矩阵法,利用仅相位控制技术,求解相控阵馈源的激励系数,有效综合了聚焦馈源偏置抛物面天线的方向图。对算例的设计达到了采用仅相位技术控制波束指向、波束赋形、旁瓣电平等性能要求,实现了相控阵馈电偏置抛物面天线的波束重构或扫描,并利用商用GRASP仿真软件验证了该文的设计结果,说明了该文方法的有效性。     

InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究

用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED).场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构.室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm...     

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 ,对此也作了系统的分析和探讨