共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压CMOS四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的PSPICE模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±1.5V时,功耗小于80μW,线性输入电压范围约为±0.5V;当输入电压范围限于±0.3V时,非线性误差小于1.3%;-3dB带宽约为3.2MHz。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。 相似文献
2.
讨论了基于MOS晶体管亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性,给出的PSPICE模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明,对于电源电压为1.5V(或±1.5V),当输入电压范围限于±0.08V时,非线性误差小于1%;-3dB带宽约为340kHz,静态功耗小于1μW。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中,特别适于在神经网络系统中的应用。 相似文献
3.
提出了一种采用有源衰减器和全差分电流传输器(FDCCⅡ)为核心的新型低压CMOS四象限模拟乘法器.PSPICE仿真表明,当电源电压为±1.5 V时,电路功耗小于75μW.该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1 V,当输入电压范围限于±0.8V时,非线性误差小于0.6%,-3 dB带宽约为10 MHz. 相似文献
4.
电流补偿型CMOS四象限模拟乘法器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出一种电流补偿型四象限模拟乘法器,该电路有两部分组成,第一部分是产生与输入电压Vx平方成正比的电流发生器。第二部分是迭式Gilbert单元。SPICE模拟结果表明在±5V电源下,两路输入信号在±3V范围内,其输出非线性小于0.9%。 相似文献
5.
6.
7.
提出了一种新型四象限CMOS模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于MOSIS2μmp-阱CMOS工艺参数的PSPICE模拟结果表明:当电源电压为±5V,输入范围为±4V时,非线性误差小于0.9%,乘法运算误差小于1.0%;在±3V的人非线性误差小于0.4%,乘法运算误差小于0.7%;-3dB带宽一端为130MHZ,另一端为720MHZ;整个电路静态功耗为4.90mW。 相似文献
8.
本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器。这种乘法器基于MOS晶体管的电流-电压平方关系,采用线性MOS跨导器、悬浮电压发生器和线性MOS电阻完成乘法运算。这种乘法器具有单端输出电压和较好的温度特性。文章比较详细地介绍了电路特点和工作原理,分析了电路的温度性能,并给出了SPICEⅡ的模拟结果。 相似文献
9.
10.
洪志良 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
介绍建立于MOS管平方特性,由28个CMOS管组成的四象限CMOS模拟乘法器。以P阱CMOS工艺制备的电路在电源电压1/3动态范围内,有最大线性误差小于2%的特性,乘法器带宽为62kHz,在±5V电源电压下,功耗为5mW,芯片面积为0.47mm2。 相似文献
11.
12.
13.
14.
本文分析了基于CMOS工艺设计的Gillbert单元乘法器,改进了原有电路工作电压高的缺陷,使它能在更低的电源电压下工作,并在乘法器的输入级加入有源衰减电路,增大乘法器的输入范围。本文采用上华0.6μmCMOS工艺进行设计,并用Cadence Spectre仿真器对电路进行了仿真,得到3V电源电压下,输入范围为0~2V的模拟乘法器。 相似文献
15.
提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为± 3V时 ,功耗小于 2 .5m W,线性输入电压范围大约± 2 V。当输入电压范围限于± 1.6 V时 ,总谐波失真和非线性误差均小于0 .8% ,- 3d B带宽大于 110 MHz。 相似文献
16.
17.
一种低压高线性CMOS模拟乘法器设计 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路.该乘法器基于交叉耦合平方电路结构,并采用减法电路来实现。它采用0.18μmCMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示,该乘法器电路在1.8V的电源电压下工作时,静态功耗可低至80μW,其线性输入范围达到±0.3V,-3dB带宽可达到1GHz,而且与先前低电压乘法器电路相比,在同样的功耗和电源电压下,具有更好的线性度。 相似文献
18.
设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器.通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V).该乘法器采用TSMC 0.35 μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW. 相似文献
19.
基于双极工艺设计了一种低功耗、高精度四象限模拟乘法器,主要包括:带隙基准源、乘法器单元、运算放大器三个模块。带隙基准包含启动电路和核心带隙模块,带隙基准引入二阶高温补偿使得温漂系数仅为2.3×10^(-6)/℃。乘法器采用基本的吉尔伯特单元作为核心,加入射极反馈电阻提高线性度,实现电流相乘后通过输出运放转换成单端电压输出。运算放大器为标准的差分输入、单端输出,用于对信号的缓冲,增强驱动能力。整体芯片供电电压为±5 V,电压输入范围为-2.5~+2.5 V,典型条件下线性误差仅为0.015%,总谐波失真为0.023%,电源电流为18.89 mA,电源抑制比为88.26 dB。同时端口带有ESD保护结构,保证电路在运输和使用过程中不发生损坏。 相似文献