PdCl2／SiO2 Pd—B／SiO2非晶态合金催化剂的Ramman光谱表征

采用共焦显微Ｒａｍａｎ光谱和Ｘ－射线衍射方法表征了负载型ＰｄＣｌ２／ＳｉＯ２和Ｐｄ－Ｎ／ＳｉＯ２非晶态合金催化剂的结构。结果表明ＰｄＣｌ２分散在ＳｉＯ２载体上后,与载体表面的相互作用使其在室温时即发生β→α构型转变。Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２非晶态合金的ｒａｍａｎ光谱在３００－５００ｃｍ＾－１区域内呈现一大的弥散峰。与无负荷Ｐｄ－Ｂ非晶态合金比较初步认定该弥散峰与Ｐｄ－Ｂ键振动有关,温度升高Ｐｄ－Ｂ／Ｓｉ     

PdO引入对CuO／γ—Al2O3催化剂结构与性能的影响

运用ＰＴＲ,ＳＥＭ,ＸＲＤ阶梯扫描及ＣＯ和ＣＨ４氧化活性测定表征技术研究了ＣｕＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂及负载ＰｄＯ对催化剂性能的影响。结果表明,ＣｕＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂上引入不同含量的ＰｄＯ,使ＴＰＲ还原峰温欠下降。对载体上ＣｕＯ平均晶粒大小的测定表明随ＰｄＯ含量的增加,ＣｕＯ平均晶粒逐渐减小;ＳＥＭ对ＰｄＯ－ＣｕＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂上Ｃｕ元素分布的面扫描测定亦证实了随ＰｄＯ含量的增加,催     

Pt/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂的光谱表征

利用拉曼光谱表征了不同方法添加ＣｅＯ２－ＺｒＯ２混合氧化物对Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３催化剂的影响,并采用了ＸＲＤ,Ｈ２化学吸附,ＢＥＴ表征了相应的分散度影响。结果表明：Ｃｅ、Ｚｒ、与金属Ｐｔ存在着强的相互作用,而ＣｅＯ２－ＺｒＯ２以盐的形式加入时,高度分散在Ａｌ２Ｏ３载体上,提高贵金属Ｐｔ的分散度,进而提高了反应的活性。     

等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜

本文报导了用等离子体辅助（Ｐｌａｓｍａ－ＩＡＤ）沉积技术沉积ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反及高反光学薄膜。在波长１０６４ｎｍ处，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反膜透过率大于９９．５％，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反膜反射率大于９９．５％。     

SO2-4/TiO2固体酸的红外和拉曼光谱研究

用ＩＲ、Ｒａｍａｎ光谱研究了ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２固体酸在不同烧温度下的结构、晶相转变和表面酸中心。结果表明,ＳＯ＾２－４与ＴｉＯ２表面的结合为螯合式双配结构。当烧结温度小于５００℃时,ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２样品具有较高的结构稳定性,晶相结构以锐钛矿为主,表面Ｂ酸位数目约是Ｌ酸位数目的２倍,当烧结温度大于５００℃时,随着烧结晶度的升高,表面结合的ＳＯ＾２－４逐渐流失,晶相从锐钛矿转变为金红石,表面Ｂ酸位减少并消失。     

富勒烯在SiO_2与SiO_2－TiO_2凝胶中的掺入及光谱特性研究

本工作以ＳｉＯ_２和ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２凝胶体系为基质，选择合适的溶剂，采用特定的溶胶一凝胶工艺，成功地将纯的Ｃ_（６０）和Ｃ_（６０）／Ｃ_（７０）混合物分别均匀掺入上述基质中．研究了吸收与荧光光谱特性．室温下观测到峰置位于６６０ｎｍ附近的较强荧光带．对上述光谱性质作了初步的解释．     

光催化剂SO2- 4/TiO2和TiO2 的光谱行为比较

用ＩＲ、Ｒａｍａｎ和ＤＲＳ光谱研究了ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂和ＴｉＯ２光催化剂的光谱行为差别。结果表明,ＴｉＯ２光催化剂的表面只有Ｌ酸中心,而ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂表面既有Ｌ酸中心也有Ｂ酸中心。ＴｉＯ２的硫酸化有效地抑制了晶相转变和晶粒度的增加。与ＴｉＯ２相比,ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂的锐钛矿相含量较多、晶粒较小、光谱吸收边蓝移,从而增大了光吸收阈值,增强了光生空穴和电子的氧化     

Pd-Mo-K/Al2O3催化剂的结构及合成醇性能

采用ＸＲＤ、ＥＸＡＦＳ技术研究了不同Ｐｄ含量的Ｐｄ－Ｍｏ－Ｋ／Ａｌ２Ｏ３催化剂结构,并关联其合成低碳混合醇性能。结果表明,在氧化态Ｍｏ－Ｋ／Ａｌ２Ｏ３催化剂体系中添加Ｐｄ后,“Ｋ－Ｍｏ”物相晶粒变小,分散度提高,说明钯可能和钾钼物种发生了较强的相互作用。经硫化还原处理后,发生了氧硫交换,钼主要以ＭｏＳ２物种形式存在,其粒度随着Ｐｄ含量的增加而明显减小。尺寸的显著变化可能导致ＭｏＳ２与载体作用形式的     

ZrO2在Rh/γ-Al2O3催化剂中对NO催化还原反应的作用

测定了含ＺｒＯ２的Ｒｈ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂上ＮＯ＋Ｃ２Ｈ４和ＮＯ＋Ｃ２Ｈ４＋Ｏ２的反应活恬性,并应用ＴＰＲ、ＸＲＤ、ＢＥＴ比表面等表征了ＺｒＯ２的加入方式和晶型对Ｒｈ／γ／Ａｌ２Ｏ３催化剂活性和结构的影响。结果表明,ＺｒＯ２的加入一定程度也抑制了Ｒｈ＾３＋与γ－Ａｌ２Ｏ３之间的相互作用和Ａｌ２Ｏ３的相变,提高了催化剂的热稳定性,明显提高了８５０℃老化样品的ＮＯ＋Ｃ２Ｈ４反应活性。对于ＮＯ＋Ｃ２     

KrF Laser-induced Damage to ZrO_2/SiO_2 Coatings

ＫｒＦＬａｓｅｒ－ｉｎｄｕｃｅｄＤａｍａｇｅｔｏＺｒＯ_２／ＳｉＯ_２Ｃｏａｔｉｎｇｓ￥ＷＡＮＧＮａｉｙａｎ；ＧＡＯＨｕａｉｌｉｎ（ＣｈｉｎａＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｔｏｍｉｃＥｎｅｒｇｙ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ２７５－７，Ｂｅｊｉｊｎｇ１０２４１３，Ｃｈｉｎ...     

TiO2/SiO2的表面化学修饰及其DRS和Raman光谱分析

以氯化醇钛盐表面反应法制备系列TiO2/SiO2,根据XRD,Raman和DRS表征分析,载体表面具有分子级分散的锐钛矿型TiO2微晶粒子和非晶TiOx物种.与本体TiO2相比,TiO2/SiO2的吸收带边显著蓝移,能隙增大为3.96 eV.当金属M(M:Pd,Cu和Ni)负载于TiO2/SiO2表面,可使其光吸收域扩展到可见光区,并引起吸收带边红移.相对Pd的负载,Cu,Ni的负载对TiO2/SiO2的LMCT带影响更大,其中Cu-TiO2/SiO2的能隙减小为3.68 eV.当金属氧化物MoO3负载于TiO2/SiO2上时,可以调变TiO2/SiO2的吸收带边并增强对可见光的吸收;随MoO3载量的增加,表面物种的相互作用增强,形成Mo-O-Ti复合结构,增强了LMCT带的吸收强度,并使能隙减小为3.81 eV.     

SiO2薄膜的液相沉积及特性

将基片浸入到低温SiO2过饱和的六氟硅酸（H2SiF6)溶液中,在其表面上沉积SiO2薄膜,这种新的生长工艺称之为液相沉积（LPD）。本文着重介绍LPD工艺及LPDSiO2薄膜的特性。     

nc-Si/SiO2多层膜的制备及蓝光发射

在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中，采用a-Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a-Si∶H/SiO2多层膜 (ML)；利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a-Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML，并观察到室温下的蓝光发射；结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc-Si/SiO2 ML的结构特性；通过对晶化样品光致发光谱和紫外-可见光吸收谱的研究，探讨了蓝光发射的起源. 关键词： 纳米硅多层膜 等离子体氧化 蓝光发射 热退火     

纳米Zn_2SiO_4∶Mn包覆SiO_2颗粒的制备及表征

采用水热合成方法添加KOH在SiO2颗粒表面包覆Mn2+掺杂纳米Zn2SiO4,通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱、光致发光(PL)光谱仪对产物的晶体结构、形貌及光学性能进行表征,并对Zn2SiO4晶体在水热反应过程中的反应机制进行了讨论。XRD测试结果表明:220℃水热条件下,添加少量KOH,反应不同时间后,可在石英砂表面生成一层Zn2SiO4;SEM照片显示所生成的Zn2SiO4为六棱柱形,并且不同反应条件下Zn2SiO4的包覆程度不同。反应产物经光致发光性能研究表明:Mn2+掺杂纳米Zn2SiO4包覆SiO2样品中显示两套光致发光谱,一套为250nm左右激发产生的522nm绿色发光带,另一套为340～410nm宽带激发的440nm蓝色发光带,前者为典型的Mn2+离子发光,后者440nm发光带则有可能来源于基体SiO2的氧空位缺陷。     

a-Si/SiO2多量子阱材料制备及其晶化和发光

本文研究用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法淀积SiO2和非晶硅(a-Si)时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系。选择合适的淀积条件制备了a-Si/SiO2多量子阱结构材料。用激光扫描退火方法使其晶化,当a-Si和SiO2层厚度分别为4nm和6nm时,形成了颗粒大小为3.8nm的硅晶粒。晶化后的样品在10K下可以观察到较强的光荧光发射,三个峰值波长分别为810、825和845nm.     

TiN/SiO2纳米多层膜的晶体生长与超硬效应

高硬度的含氧化物纳米多层膜在工具涂层上具有重要的应用价值.研究了TiN/SiO2_{2纳米多 层膜的晶体生长特征和超硬效应.一系列具有不同SiO22和TiN调制层厚的纳米多 层膜采用多 靶磁控溅射法制备；采用x射线衍射、x射线能量色散谱、高分辨电子显微镜和微力学探针表 征了多层膜的微结构和力学性能.结果表明，虽然以单层膜形式存在的TiN和SiO22分别形成 纳米晶和非晶结构，它们组成多层膜时会因晶体生长的互促效应而呈现共格外延生长的结构 特 关键词： 2纳米多层膜')" href="#">TiN/SiO22纳米多层膜 外延生长 非晶晶化 超硬效应}     

原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究

采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.改变a-Si:H层的厚度，首次在室温下观察到来自a-Si:H/SiO2多层膜较强的蓝色光致发光和从465到435nm的蓝移.x射线能谱证明，SiO2层是化学配比的SiO2；C-V特性表明，a-Si:H/SiO2界面得到了很好的钝化；透射电子显微镜表明，样品形成了界面陡峭的多层结构.结合光吸收谱和光致发光谱的研究，对其发光机理进行了讨论.用一维量子限制模型对光致发光峰随着a-Si:H层厚度的减小 关键词： a-Si:H/SiO2多层膜 光致发光     

掺杂Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO_2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO_2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO_2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO_2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO_2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考.     

Silicon nanoparticles formation in annealed SiO/SiO2 multilayers

We present a study on amorphous SiO/SiO₂ superlattice performed by grazing-incidence small-angle X-ray scattering (GISAXS). Amorphous SiO/SiO₂ superlattices were prepared by high-vacuum evaporation of 3 nm thin films of SiO and SiO₂ (10 layers each) onto Si(1 0 0) substrate. After the deposition, samples were annealed at 1100 °C for 1 h in vacuum, yielding to Si nanocrystals formation. Using a Guinier approximation, the shape and the size of the crystals were obtained. The size of the growing nanoparticles in the direction perpendicular to the film surface is well controlled by the bilayer thickness. However, their size varies more significantly in the direction parallel to the film surface.     

AlP/SiO2纳米复合材料的光致发光研究

本文对用溶胶-凝胶方法制备的xAlP/100SiO₂凝胶玻璃的光致发光进行了研究,表明585nm附近的发光是凝胶玻璃中的AlP纳米晶粒表面态和缺陷复合发光.发光峰位与AlP的参杂量无关,但发光峰的强度随x的增加而减弱;另外与H₂的反应时间越长,发光强度减弱.