共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
3.
本文主要针对用于ESD防护的SCR结构进行了研究。通过对其ESD泄放能力和工作机理的研究,为纳米工艺下的IC设计提供ESD保护。本文的研究主要集中在两种常见的SCR上,低触发电压SCR(LVTSCR)与二极管辅助触发SCR(DTSCR)。本文也对以上两种SCR结构进行了改进,使得其能够在不同工作环境和相应电压域下达到相应的ESD防护等级。本文的测试与分析基于传输线脉冲测试仪(TLP)与TCAD仿真进行,通过对SCR中的正反馈工作机理的阐述,证明了SCR结构是一种新颖有效的ESD防护器件。 相似文献
4.
为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR)。利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压。分析了提高NHTSCR维持电压的可行性,详述工作原理,并给出实现步骤。基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明,该NHTSCR的维持电压从传统器件的1.34 V提高到3.72 V,在3.3 V工作电压、0.35 μm SiGe BiCMOS工艺下,有效避免了闩锁效应。 相似文献
5.
6.
当集成电路工艺进步到鳍式场效应晶体管(FinFET)技术节点时,二极管仍广泛用于输入/输出端口(I/O)的静电放电(ESD)防护工程,但二极管单位宽度鲁棒性比平面工艺有所降低。文章基于14 nm FinFET工艺,对栅隔离型二极管的失效电流(It2)、失效电压(Vt2)、单位宽度失效电流(It2/Width)以及单位面积失效电流(It2/Area)进行了详细研究,并给出了ESD器件特性随尺寸参数的变化趋势。实测数据表明,It2/Width随着Fin数目(nfin)、沿Fin方向的倍乘因子(Fn)、垂直于Fin方向的倍乘因子(Yarray)等的增加均会有所降低,但It2/Area却有所提高,且开启电阻几乎不受nfin和Fn的影响。 相似文献
7.
一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计 总被引:4,自引:0,他引:4
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SKT构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P—SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。 相似文献
8.
提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提高了器件的反向静电放电(ESD)和浪涌冲击能力。经流片验证,采用该结构的10A150VSBD产品和10A200VSBD产品均通过了反向静电放电(HBM模式)8kV的考核,达到目前业界领先水平。该结构工艺实现简单,可以应用于100V以上SBD的批量生产。 相似文献
9.
提出了一种新颖的、更加通用的环形栅器件版图等效宽度提取方法,用于解决目前商用SPICE模型中版图宽度提取方法不适用于环形栅器件这一问题.该方法基于环形栅中沟道电场分布特性,可用于提取多种形状环形栅版图宽度.提出了SPICE模型中模型参数的修改方法,使SPICE环形栅器件模型仿真更为精准.通过TCAD(计算机辅助设计)等多种仿真途径对该模型进行验证,结果表明该模型具有较高的精确度. 相似文献
10.
提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点 (Vgs > Vth, Vds = 0 V)的等效电路模型, 推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。 相似文献
11.
12.
本文中,在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下, 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。 相似文献
13.
14.
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案。应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低。 相似文献
15.
通过在常规双向可控硅器件(DDSCR)内部嵌入一个PNP结构,提出了一种新型的静电防护(ESD)器件DDSCR-PNP,以提高器件的维持电压(Vh),降低闩锁风险。首先,分析了DDSCR-PNP器件的工作机理,理论分析表明,内嵌PNP结构(PNP_2)使器件具有很好的电压箝位能力。然后,基于0.35 μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺制造了实验器件,并利用Barth 4002传输线脉冲测试系统进行了分析。测试结果证明了DDSCR-PNP的Vh比传统DDSCR高得多,而且通过调节P阱宽度可进一步增加Vh。然而,当P阱宽度超过12 μm时,DDSCR-PNP的漏电流(IL)出现明显波动。最后,利用Sentaurus仿真分析了影响Vh和IL的原因。结果表明,横向PNP_2有助于提高Vh并降低IL,但其作用随着P阱宽度的增大而减弱,导致IL随之增大。这种新型的DDSCR-PNP器件为高压集成电路的ESD防护提供了一种有效的解决方案。 相似文献
16.
The trigger voltage walkin effect has been investigated by designing two different laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistors with an embedded silicon controlled rectifier (SCR). By inserting a P+ implant region along the outer and the inner boundary of the N+ region at the drain side of a conventional LDMOS transistor, we fabricate the LDMOS-SCR and the SCR-LDMOS devices with a different triggering order in a 0.5/zm bipolar-CMOS-DMOS process, respectively. First, we perform transmission line pulse (TLP) and DC-voltage degradation tests on the LDMOS-SCR. Results show that the trigger voltage walk-in effect can be attributed to the gate oxide trap generation and charge trapping. Then, we perform TLP tests on the SCR-LDMOS. Results indicate that the trigger voltage walk-in effect is remarkably reduced. In the SCR-LDMOS, the embedded SCR is triggered earlier than the LDMOS, and the ESD current is mainly discharged by the parasitic SCR structure. The electric potential between the drain and the gate decreases significantly after snapback, leading to decreased impact ionization rates and thus reduced trap generation and charge trapping. Finally, the above explanation of the different trigger voltage walk-in behavior in LDMOS-SCR and SCR-LDMOS devices is confirmed by TCAD simulation. 相似文献
17.
对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电阻与维持电压之间的关系。 相似文献
18.
文中以某高校图书馆为研究对象,针对现有布局在使用过程中存在的问题,将改进的AHP-模糊综合评价方法引入图书馆设施布局优化设计。先利用SLP方法对图书馆物流和非物流关系进行分析,综合考虑各要素相关关系,设计了三种可行的图书馆设施布局方案;再通过改进的AHP-模糊综合评价法建立评价指标,对三种可行方案进行评价选择,获得最优设计方案,并与现有布局方案进行对比分析。分析结果表明,文中所研究方法对图书馆设施布局优化决策提供了科学的依据,是一种值得推荐的设计方法。 相似文献
19.
The proposed device has a high holding voltage and a high triggering current characteristic. These characteristics enable latch-up immune normal operation as well as superior full chip electro-static-discharge (ESD) protection. The device has a small area in requirement robustness in comparison to gate-grounded NMOS (ggNMOS). The proposed ESD protection device is designed in 0.25 μm CMOS technology. In the experimental result, the proposed ESD clamp has a double trigger characteristic, a high holding voltage of 3.8 V and a high trigger current of greater than 120 mA. The robustness has measured to HBM 8 kV (HBM: human body model) and MM 400 V (MM: machine model). The proposed device has a high-level It2 of 52 mA/μm approximately. 相似文献