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设计了一款应用在433MHz ASK接收机中的射频前端电路。在考虑了封装以及ESD保护电路的寄生效应的同时,从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论了低噪声放大器和下混频器的电路设计。采用0.18μm CMOS工艺,在1.8V的电源电压下射频前端电路消耗电流10.09 mA。主要的测试结果如下:低噪声放大器的噪声系数、增益、输入P1dB压缩点分别为1.35 dB、17.43 dB、-8.90dBm;下混频器的噪声系数、电压增益、输入P1dB压缩点分别为7.57dB、10.35dB、-4.83dBm。 相似文献
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介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900MHz/1800 MHz)GSM/EDGE;E系统.射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器.该电路采用0.13 μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9 mm×1.0 mm.芯片测试结果表明:射频前端在90... 相似文献
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介绍了超外差接收机的基本原理,并给出一种应用于6~18 GHz测频接收机射频前端的设计,通过分析其杂散来源介绍了射频前端的混频方案. 相似文献
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本文简要介绍了软件无线的概念、特点和基本结构,分析了软件无线电技术对射频前端的性能要求,着重阐述了具体设计宽带线性射频前端的技术难题和解决方案。 相似文献
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C波段CMOS射频前端电路设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一款工作在C波段(4.2 GHz)的CMOS射频前端电路,电路包括低噪声放大器和Gilbert型有源双平衡混频器.其中低噪声放大器采用共源和共栅放大器方式,实现了单端输入到差分输出的变换;而混频器的输出端采用电感负载形式.电路采用SMIC 0.18μmRF工艺实现,测试结果表明,混频器的输出频率约为700 MHz,电路的功率增益为24 dB,单边带噪声指数为8 dB,在1.8 V工作电压下,电路总功耗为36 mW. 相似文献
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433 MHz ASK接收机射频前端版图设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一款433 MHz ASK接收器射频前端电路(包括低噪声放大器和混频器)的版图。射频段电路对寄生效应特别敏感,设计对版图的复杂程度、面积以及由版图造成的寄生进行折中,最大程度地降低寄生对电路的影响。针对低噪声放大器电路对噪声以及混频器电路对于对称性的高要求,着重阐述了设计中对噪声的处理和实现对称性的方法。采用UMC 0.18μm工艺库进行设计和流片。将后仿真及流片测试结果与前仿真结果进行对比,得出该设计能够较好地维持原电路性能,满足系统设计要求。 相似文献
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宽带数字接收机在无线电频谱管理领域内具有重要的应用,其中射频前端电路指标对整机设备性能的影响显著。文中介绍了一种射频前端电路通用的设计方案,重点分析了各射频器件性能指标对接收机链路的影响,以及对无线电监测与测向结果的影响。最终提出了改进电路拓扑结构设计的措施与办法,并给出了基于该设计思路的具体工程应用实例,取得了良好的应用效果。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(2)
介绍了一种应用于5.8GHz频段的专用短距离无线通信接收机前端,采用超外差低中频正交架构,通过合理规划接收机前端两次混频的频率可以有效解决镜像干扰和两条正交通路的失配。该前端包括低功耗的噪声抵消的低噪声放大器,其负载采用电容电感谐振电路,谐振频率可调,并具有一定的工艺稳定性。第一次混频采用电压模式无源混频器,第二次混频采用电流模式无源混频器。提出了一种简单有效的用于混频开关的偏置电路,射频混频开关采用反馈的方式确定偏置电压,中频混频开关的直流电压利用跨阻放大器的输出共模电压分压得到。芯片于TSMC 180nm工艺下流片,前端电路的有效面积为0.1mm2,整个链路的接收灵敏度达到-65dBm,接收数据率可以达到256kbps,在1.8V的工作电压下,消耗10.8mA的电流。 相似文献