基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计

介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关,具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区,其灵敏度可以高达30mV／℃以上,常温下也可达到23mV／℃左右;其上下限温度调整范围为-40～120℃,测温精度可达到±0．1℃。     

InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。     

新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器

研制的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器.与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高,频率响应宽.经实测,其提供的电信号的信噪比大于60 dB.这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等.     

一种新型流量计的研制

本文介绍了采用ＲＣＭ０１型强磁性金属薄膜磁敏电阻的低压损强耐磨不锈钢椭圆齿轮流量计的结构特点、工作原理和利用运算放大器失调电压调整输出脉冲占空比的检测电路。     

一种具有温度补偿的盐雾湿度传感器的设计

介绍一种抗盐雾型湿度传感器,它可实现温、湿度的双参数测量,通过温度补偿,提高了可靠性和精度。文中提供了系统的组成框图和实现方案,在介绍高分子湿敏电阻特性的基础上,分析了测量电路,给出了软件法温度补偿原理和具体方法,最后通过对补偿后曲线与实际曲线进行比较,讨论了试验结果。     

锑化铟磁敏电阻的研究

讨论了锑化铟(InSb)磁敏电阻的工作原理、设计与制备工艺,并介绍了InSb磁敏电阻作为一种非接触敏感器件的典型应用。     

一种新型高灵敏度磁传感器设计计算方法

通过对磁敏四极管测磁电路的测试分析,提出了应用于新型高灵敏度磁传感器设计的计算方法     

一种便携式TiO2薄膜乙醇气敏传感器的研制

研制了一种适合于乙醇检测的新型TiO2基薄膜气敏传感器.敏感材料是采用直流磁控反应溅射法制备在Al2O3陶瓷管上的TiO2薄膜,薄膜经过退火处理(500℃、3 h)后,得到对乙醇蒸汽具有很好选择性和灵敏度的锐钛矿相TiO2,其最佳工作温度为270℃左右,响应时间2 s,恢复时间3 s.测量电路采用以ARM7为核的LPC2131微控制器实时监测电源电压,自动调整占空比,从而实现对加热温度的精确控制.通过测量敏感薄膜的电阻,并与乙醇气体浓度进行校准,最终显示被测气体的浓度.整个传感器采用低功耗设计,具备报警功能,同时提供了一个友好的用户界面.     

一种实用型温度监控器的设计

本设计基于日常生活的需要,利用单片机和NTC电阻设计了一种室内温度监控器。该系统采用控制器和电热器分离的设计理念,解决了电热器的高温影响监控器工作的问题,通过提高温度控制灵敏度的方法,提高了人员舒适度,并起到节能降耗的作用,该监控器安全可靠,节能效果明显。     

一种染色机温度控制器的设计

以染色过程的温度跟踪控制系统为背景,针对温度对象动态范围宽,其动态特性随温度变化且存在结构变化,常规PID控制不能适应的特点,设计了一种参数可变的PID控制器。在详细分析染色过程温度对象动态特性的基础上,根据染色过程的实际温度和温度偏差．应用模糊推理实时改变控制器增益,并引入了积分分离算法,有效地克服了积分饱和问题。实际运行结果表明,该控制器能适应染色过程动态特性的变化,保证了温度控制的精度,可有效地提高染色质量。     

一种检测薄膜型InSb-In磁阻元件灵敏度的便捷方法

本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量.利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度.本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法.     

基于InSb-In磁阻元件的液体流量开关设计

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体开关。此种液体开关是利用液体流动时的冲击力推动置于液体管道中的涡轮转动。该涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产生交变信号。经过对信号的处理,最后送入单片机进行计数,当脉冲频率低于某一设定值或高于某一设定值时,通过单片机输出高电平,起到报警的目的。本流量开关是基于四分管设计,其监测的流量范围为1.5~8.4 L/min。     

基于InSb-In磁阻元件的液体流量计的设计

设计了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体流量计,该流量计中的转动涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产生交变信号。经过对信号的处理,单片机进行计数,可以得到瞬时流量和累积流量。本流量计采用西6mm管径设计,实验中采用自来水作为被测液体,每脉冲代表液体流量为0．8776mL,其有效测量量程为0．05—0．5m^3／h,测量误差在±0．4％左右,能满足低流速测量工业现场的使用要求,并能降低制造成本。     

InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。     

CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究

用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。     

新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器.它由两对对称轴方向互相垂直的InSb-In磁敏元件构成,可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面,并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理,应用中可提高检测信号的准确性.经实测, 在机械振动的中低频率检测范围内,传感器的有效频带不窄于4～760Hz,其通频带内信噪比为30～32dB,经换算得灵敏度为16mV/gn.同时,得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线.     

InSb-In磁阻式角度传感器温度特性研究

研究发现,在磁阻元件构成的角度传感器中,由于生产工艺造成的磁阻元件的不对称性与InSb-In磁阻元件本身的温度特性的综合导致了传感器输出的温漂.本文从该传感器结构与工作原理出发,分析了输出温漂的成因,并针对实际生产的情况,提出了一种简便的补偿方案,给出了相应的计算方法.     

低温漂巨磁阻抗磁敏开关的设计

Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金薄带在540℃下17.8 MPa拉应力退火后具有宽平台和陡峻下降沿的巨磁阻抗特性,据此研制了一款新型磁敏开关。文中介绍了磁敏材料的GMI特性及磁敏开关的电路设计原理,对磁敏开关的磁场和温度特性进行了测试,结果表明:该磁敏开关的重复性好,迟滞误差小,温漂低。