CuPc/ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究

为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响     

膜层厚度对CuPc／ZnS多层复合薄膜光电性能的影响

为了找到制备CuPc/ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数,本文研究了CuPc/ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构,利用表面电位衰减仪、紫外－可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系,探讨了改变CuPc、ZnS膜层的厚度对CuPc/ZnS多层复合膜薄膜的光电导性能和结构的影响。     

膜层厚度对CuPc/ZnS多层复合薄膜光电性能的影响

为了找到制备CuPc ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数 ,本文研究了CuPc ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构 ,利用表面电位衰减仪、紫外 -可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变CuPc、ZnS膜层的厚度对CuPc ZnS多层复合膜薄膜的光电导性能和结构的影响     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备ＣｕＰｃ／ＺｎＳ交替多层复合薄膜,研究ＣｕＰｃ和ＺｎＳ的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外可见光谱仪和Ｘ射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能,探讨了有机／无机复合薄膜的光电导机理,提出了理论模型。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外 -可见光谱仪和 X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能 ,探讨了有机 /无机复合薄膜的光电导机理 ,提出了理论模型。     

ZnS:Mn沉积温度对薄膜电致发光器件亮度的影响

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL).整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.研究不同基板沉积温度对发光层性能的影响,并对器件的亮度-电压、亮度-频率进行测量.结果显示较高的ZnS:Mn沉积温度明显提高了无机发光器件的发光亮度.其原因主要是由于高的沉积温度提高了ZnS:Mn的成膜质量,提高膜层微晶尺寸大小,从而发光亮度提高.但是我们发现温度继续提高的同时,器件发光亮度趋于饱和,分析原因是由于掺杂Mn浓度过高,影响了发光效果.     

Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长及其性能

本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO/Cu、Cu/AZO和AZO/Cu/AZO三种复合结构多层膜,研究了生长温度对多层膜特性的影响,发现AZO/Cu双层薄膜具有最优的光电性能,其最佳生长温度为100~150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO/Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响,结果表明：合适的生长温度有...     

介质/金属/介质多层透明导电薄膜研究进展

综述了介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层透明导电膜材料的特点、制备方法、研究进展与应用现状,重点比较讨论了ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS的膜系结构、光电性能、化学稳定性、热稳定性等特点,以及与国内外的研究差距.ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS是目前光电性能最好,且无需引入过渡层的两种D/M/D膜系,但有关其热稳定性的评价和研究存在不同的观点.用资源丰富、价格便宜、无毒的掺铝氧化锌(ZAO)薄膜取代含有价格昂贵的贵金属铟的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,ZAO/Ag/ZAO膜系结构的设计、薄膜制备、光电性能与IMI的对比研究是目前国内外D/M/D研究中的热点课题和D/M/D发展的主要方向.     

C60—甲苯衍生物／类金刚石复合膜的光电性能研究

报导了C60-甲苯衍生物/类金刚石复合膜的荧光光谱和光电导性能,与C60比较,室温下观测到C60-甲苯衍生物峰值位于460nm的光致发光现象,随掺杂剂碘的加入,C60-甲苯衍生物的荧光强度递减。但薄膜的光电导性能却增加一个数量级,实验结果还表明,类金刚石膜的复合会使薄膜的光电导性能略微下降,但类金刚石膜可作为钝化膜使用。     

不锈钢表面沉积DLC膜的结构和性能

应用线性离子束复合磁控溅射技术在不锈钢和硅片基体上制备DLC膜,研究了基体偏压和过渡层的厚度和结构对DLC薄膜结构和性能的影响。结果表明,在过渡层相同偏压为-200 V的条件下,薄膜中的sp3键含量更低,但是薄膜结构致密性的提高使其硬度和膜基结合力反而提高;在偏压为-200V的条件下,随着过渡层厚度及层数的增加DLC薄膜中sp3含量均降低,同时过渡层和多层薄膜的硬度减小;在偏压为-100V条件下,过渡层厚度和层数对DLC薄膜sp3的含量没有明显的影响。当过渡层厚度为1.7μm、结构为Cr/CrC时,在11Cr17不锈钢基体上可制备出厚度为4.92μm、硬度为29.4 GPa、摩擦系数小于0.1、结合力高于70 N综合性能最佳的DLC薄膜。     

真空热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学、电学性能研究

为研究衬底温度对酞菁铜(CuPc)薄膜的结构、光学及光电导性能的影响,文中采用真空热蒸发方法制备了不同衬底温度的CuPc薄膜.X射线衍射和Raman光谱分析显示CuPc薄膜呈现很好的定向生长特性,随衬底温度的升高,CuPc薄膜的结晶性变好,其中α-CuPc的相对含量逐渐增加,而β-CuPc相应减少;场发射扫描电镜观察了不同衬底温度下薄膜的表面形貌和晶粒分布情况;用紫外可见光谱表征了CuPc薄膜的光学性能;CuPc薄膜的光敏性随衬底温度的升高表现出先增大后减小的变化规律.     

C_(60)-甲苯衍生物/类金刚石复合膜的光电性能研究(英文)

报导了 C_(60)－甲苯衍生物 /类金刚石复合膜的荧光光谱和光电导性能。与 C_(60)比较,室温下 观测到 C_(60)－甲苯衍生物峰值位于 460nm的光致发光现象。随掺杂剂碘的加入, C_(60)－甲苯衍生物 的荧光强度递减,但薄膜的光电导性能却增加一个数量级。实验结果还表明,类金刚石膜的复合 会使薄膜的光电导性能略微下降,但类金刚石膜可作为钝化膜使用。     

氧化锌/二氧化硅复合膜的结构色研究

采用静电自组装技术,以氧化锌（ZnO）和二氧化硅（SiO2）溶胶颗粒为前驱体,通过控制双组分膜层的不同厚度,制备出结构色鲜艳的ZnO/SiO2复合膜,并利用分光测色仪、多角度分光光度仪及扫描电子显微镜等研究复合膜的颜色、微观结构和形态特征。研究结果发现,ZnO/SiO2复合膜的亮度和色度均较单一组分薄膜的高,复合薄膜的颜色仍随厚度和观察角度的变化而变化。通过对薄膜的微观结构分析,结合其厚度随周期数的变化规律,发现复合薄膜的厚度随着自组装循环次数的增加而增加,薄膜中的纳米粒子并没有形成明显的高低折射率交替分布的双层结构,可能形成的是高折射率层（H层）、有效折射率层（eff层）和低折射率层（L层）的多层微观结构。这种特殊的多层结构与光作用发生干涉,形成了鲜亮度和饱和度更高的结构色。     

导电聚合物有序超薄膜材料特性的分析

首次采用LB膜诱导沉积法制备PEDOT高度有序导电聚合物薄膜,所采用的工艺是将十八胺(ODA)与聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT-PSS)先形成ODA包裹PEDOT-PSS纳米粒子的组装体,然后再将其铺展于气/液界面,制备PEDOT-PSS复合LB膜.研究了复合单分子膜在气/液界面的成膜性能,对不同层数的LB膜进行了较为详细的微观分析和结构表征.采用UV-Vis光谱对不同层数的复合膜进行了表征,发现ODA-SA/PEDOT-PSS膜具有比ODA/PEDOT-PSS膜好得多的成膜性,这是由于生成的氨基酸改善了复合膜的成膜性;FT-IR和XPS分析表明固态复合膜中存在静电作用力,复合膜靠静电力在气/液界面进行组装.实验表明,PEDOT-PSS纳米粒子对单分子层具有包裹作用,形成了稳定的复合单分子膜;在十八胺(ODA)和硬脂酸(SA)摩尔比2:1、亚相温度23℃、PEDOT-PSS浓度1×10-3mol/L、压缩速率5 mm/min、拉膜速率为1 mm/min的条件下薄膜具有较好的成膜性能.     

石墨烯纳米片/聚乙烯复合薄膜电磁干扰屏蔽

研制了一种取向性较高的石墨烯纳米片/低密度聚乙烯（GNS/LDPE）复合薄膜三明治结构,分析其电磁干扰屏蔽（EMIS）性能和机制。实验结果表明,GNS/LDPE复合薄膜的EMIS性能主要决定于其电学性质。根据材料电导率对多层复合膜进行理论计算,探讨GNS/LDPE复合薄膜多层结构的光吸收和多层反射机制。通过调整层结构的厚度和表面层深度及屏蔽材料的电导率可以提高EMIS性能,并且增加屏蔽层厚度可增强吸收屏蔽作用从而进一步提高总屏蔽性能。结构优化后的EMIS效率可以达到31 dB,证明GNS/LDPE复合薄膜具有显著的EMIS作用。纳米复合三明治结构的屏蔽机制为设计高EMIS性能纳米复合物提供了基本依据。提出了实现高性能GNS/LDPE复合薄膜的有效技术方法,在EMIS涂层领域具有潜在的应用。      

可调的透明导电膜研究进展

简述了透明导电薄膜材料，特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物（TCO）及金属基复合透明导电多层膜的发展现况和趋势：同时从选材、膜层设计、制备方法到工艺制定，研究透明导电膜光电性能诸多影响因素和规律，探讨D／M／D多层膜的微观结构与其光电性能的内在联系，以及多层膜的热稳定性和界面反应等问题，并采用电介质TiO2与金属Ag交替生成TiO2／Ag／TiO2三明治结构制备了几种具有优异光电性能的透明导电膜。经优化设计的纳米多层膜具有奇特的光电性能可调性，根据需要，用于平面显示器透明电极，太阳能电池板等的在可见光区具有高的透过率（T550≥90％）和在红外光区高的反射率（R2500≥90％），其方块电阻仅为5Ω／sq；而用于紫外固化的则在紫外固化的主峰365nm处具有高的透射率（T365≥80％），而在1600nm的红外波段反射率也超过了90％。     

TiO2/ Al2O3复合薄膜的亲水性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2／Al2O3复合薄膜，通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角的测量，研究了Al2O3与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率的影响。结果表明：Al2O3的加入和膜厚度的增加均有利于TiO2薄膜亲水性的改善；热处理温度对TiO2／Al2O3复合膜的亲水性有较大影响，其中经450℃热处理的薄膜亲水性最好；Al2O3的加入未降低复合膜的可见光透光率，其平均透光率大于80％。     

TiO2/SnO2复合薄膜的亲水性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2／SnO2复合薄膜，通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角、光催化降解甲基橙等的分析，研究了SnO2与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率及光催化活性的影响。结果表明：复合膜的亲水性和光催化活性均优于单纯TiO2，当SnO2与TiO2的摩尔比为1％-5％时，所制备的薄膜具有超亲水特性；热处理温度为450℃时薄膜亲水性最好，膜厚度的增加有利于亲水性的改善。     

原位聚合 ( PSS/ PANI) n复合膜的静电层2层自组装

基于静电相互作用 , 从苯胺单体出发原位聚合、现场掺杂、层2层自组装制备多层聚苯乙烯磺酸钠( PSS) /聚苯胺 ( PANI) 复合膜。为了明确控制 PSS/ PANI复合膜纳米结构的因素 , 以紫外2可见 (UV2Vis) 光谱跟踪 PSS/ PANI复合膜的成膜过程 , 系统地研究了基片性质、 氧化剂用量及沉积时间等溶液因素对单个双层复合膜纳米结构的影响 , 得到了制备单个双层复合膜的较优条件。在此基础上变换苯胺单体浓度 , 制备了不同纳米结构的多层复合膜 ( PSS/ PANI) n, 并用原子力显微镜 (AFM) 、 扫描电镜 (SEM) 及椭偏仪等对该多层复合薄膜的形貌结构进行了表征。结果表明 , 通过控制沉积条件 , 每双层复合膜的厚度可控制在 40～100 nm , 电导率可达- 12. 675 mS·cm , 并且可制备增长均匀的 8 个双层的 ( PSS/ PANI) 8复合膜。热失重分析 ( TGA) 表明 , ( PSS/ PANI) n多层复合膜的热稳定性优于普通 PSS/ PANI复合膜。     

遮阳可控性低辐射玻璃的制备及性能

本研究通过常压CVD法在玻璃基板上分别镀制单层SnO2∶Sb(ATO)薄膜和SnO_2∶F(FTO)/ATO复合薄膜,研究单层ATO薄膜和复合薄膜对玻璃光电性能的影响。结果表明:单层ATO薄膜和复合薄膜均为四方金红石型多晶SnO_2薄膜,且结晶性能良好,结晶度高。单层ATO薄膜可明显降低玻璃的透过率,改善玻璃的导电性和遮阳性。复合薄膜相对于单层ATO薄膜,导电性、遮阳性和辐射性能均有较大的提升,薄膜电阻率、遮阳系数和辐射率随着复合薄膜膜厚的增加而逐渐降低,薄膜晶粒增大。当复合薄膜厚度为821nm时,薄膜电阻率为4.9×10~(-4)Ω·cm,遮阳系数和辐射率分别为0.50和0.06,远红外反射率达到93.9%。