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随着印制线路板产品的发展,好些电源类线路板面铜厚度已超出172 m或更高,对于大于172 m以上的厚铜板在制作过程中难度也越来越大。介绍了几种主要困扰厚铜板制作的特殊方法,来减少生产过程中的钻孔毛刺,蚀刻毛边,阻焊油墨气泡等厚铜板常有的几种问题,希望能给同行提供一些参考! 相似文献
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通过内外层多次蚀刻,使用特定的板料和叠层压板、运用特殊设计的钻刀钻孔、LINE MASK加正常印油的两次印油方式制作阻焊,确定在目前条件下制作内外层铜厚137.2μm~205.7μm的厚铜板的基本制作工艺。通过工艺开发确定目前能够制作最大底铜205.7μm的厚铜板。 相似文献
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对厚铜板进行长期稳定的量产是保证其快速而稳定发展的关键,我公司曾经运用特殊的断屑工艺,并通过对刀具、钻孔参数的优化等多方面的努力成功解决了超厚铜板在钻孔过程中存在的一系列问题。数控钻床主轴长期在重载荷作用下对其精度、扭力的损伤包括对特殊刀具的采购以及对现场管理等方面较高的要求等因素严重影响并制约了厚铜板的发展,如何使用常规刀具在中等扭力为300 g的主轴上对总铜厚3 mm以上的超厚铜板进行高速钻削成为新课题。本文就具体存在问题、解决方案、技术思路、效果展示等方面对厚铜板常规化量产的关键技术进行了详尽描述,主要着眼于钻孔量产时的几个关键点,即钻削抗力、切削温度、钻削参数、主轴维护保养等。 相似文献
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在厚铜板件的生产制作过程中,蚀刻一直是一个难点。为了达到蚀刻目的,制作上一般选择多次快速蚀刻或者一次性慢速蚀刻。本文通过对比不同面铜厚度的板进行蚀刻,分析比较不同蚀刻方式对蚀刻因子、线宽和线形的影响,并对其差异性进行原因分析。为生产和设计提供有价值的参考。 相似文献
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随着电子技术的不断发展,PCB上集成的功能元件数越来越多,对线路的电流导通能力和承载能力的要求越来越高,线路板的铜厚会越来越厚,而能够提供大电流和将电源集成的超厚铜(343μm及以上)印制电路板将逐渐成为今后线路板行业发展的一个趋势,在未来的电子领域中前景广阔。本文主要针对343μm超厚铜箔PCB的制作工艺进行研究,采用逐层叠加的方法,以铜厚137.2μm的底铜板料制成了成品铜厚达到μm的印制电路板,文章分析和讨论了几种制作工艺的可行性,同时对影响超厚铜箔印制板质量的关键工艺控制点进行了研究,通过改进和优化,进而找出了理想的工艺路线和工艺条件。 相似文献
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厚铜板铜厚≥102.9μm(3oz)层压出现的板厚不均匀及填胶不充分现象,主要原因是工程设计及压合设计两方面上,本文通过实际方案对比分析,探讨厚铜板在层压后板厚不均匀的问题改善。 相似文献
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RTR(Roll to Roll)方式制作25μm/25μmCOF精细线路的参数优化 总被引:1,自引:1,他引:0
随着电子产品小型化和液晶显示器IC封装技术的快速发展,COF(Chipon Film)技术的应用市场得到了迅速扩大。按照片式减成方法制作的线宽/线距在50μm/50μm以下的精细线路,常常会出现导线过细或断线等缺陷。论文采用目前先进的RTR(Roll to Roll)生产工艺,选用12μm钢箔、15μm干膜,使用玻璃菲林进行图形转移,并运用正交设计法对影响精细线路品质的曝光能量、显影速度、蚀刻速度、蚀刻压力等因素进行优化试验。以精细线路的线宽和蚀刻系数作为评价标准,找出最佳参数,并分析了蚀刻压力对精细线路的影响机理。将最优化参数应用到生产中,使25μm/25μm的COF精细线路的成品率提高20%。最终实现25μm/25μm的COF精细线路的小批量生产。 相似文献
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随着全世界汽车工业的快速发展,汽车用厚铜电源板的需求正呈现快速增长趋势,这就要求有能力生产厚铜电源板的厂家尽力寻求效率最高、质量最好的加工方法。然而众所周知,由于厚铜电源板铜箔太厚(普通板铜厚的5~12倍),在钻孔过程中会产生大量长度超过20000μm的钻屑,因此经常出现铜屑堵孔、堵塞机床真空管路、断刀、钻孔毛刺大、孔边铜箔突起、孔壁粗糙度大、孔位偏差大等严重影响产品质量与加工效率的问题,这些问题虽然通过降低叠层、增加跨孔停顿时间可以获得相对缓解,但却因此损失了较大的产能。随着线路板行业利润率越来越低、各企业都在研究各种先进工艺以提高生产效率并获取利润率的今天,这种低效率是不能忍受的。弊司在普通(120~160)krpm数控钻床上,运用独自研发的特殊断屑工艺、最佳的钻削参数以及对刀具的合理控制与研究,成功解决了钻屑堵孔及堵塞真空管路的问题,从而使钻孔过程中存在的其它一系列问题迎刃而解,真正实现了420μm以上超厚铜线路板的高速钻削。本文主要着眼于钻孔量产时的几个关健点,即钻削抗力、钻削参数、刀具控制进行技术分析评价。 相似文献
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等离子清洗是刚挠结合板去钻污的最重要的一个过程,它影响着镀铜与孔壁表面之间的结合力。获得平整、均匀的表面是金属化孔可靠性的重要保证。本文将从等离子机的腔体空间的均匀性、等离子机蚀刻时间的均匀性等研究着手,为等离子蚀刻均匀性研究提供可靠的实验环境。通过等离子蚀刻刚挠结合板不同材料的实验,并利用均匀设计的方法获得刚挠结合板用聚酰亚胺、丙烯酸胶及环氧树脂等不同材料的蚀刻速率与等离子蚀刻参数之间的非线性拟合关系。最后再根据方程进行讨论,获得刚挠结合板用材料蚀刻均匀性的参数。根据实验中,实验分析中出现的各种现象,本文等离子蚀刻提出最合理的机理解释,并使用该机理定性纠正非线性拟合方程中的拟合偏差。 相似文献
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Moorhouse C.J. Villarreal F.J. Baker H.J. Hall D.R. 《Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on》2007,30(2):254-263
Single pulse drilling of copper foils and copper-coated dielectric circuit board materials, relevant to applications in micro-electronics packaging, has been investigated here using an enhanced peak power CO 2-laser. The plasma generated during copper laser ablation, under these conditions, has been found to be self-extinguishing once the copper has been punched through, and does not materially impact the process. The analysis of the undercut formation in the copper coated laminates illustrated a direct link with the energy delivered to the dielectric after the copper has been laser ablated. Holes with zero undercut were obtained by the use of an acousto-optic modulator, used as a pulse shutter, to control the energy delivered to the dielectric. For unmodulated laser pulses, holes with zero undercut were obtained when drilling copper foils 35-mum thick. In general, when drilling copper-coated dielectrics with unmodulated pulses, holes with low undercut were obtained for peak powers <1.2 kW. However, the stochastic nature of copper drilling dominates the process in this regime. At higher peak powers (up to 1.8kW), a yield of 100% holes in copper is obtained, but this also results in significant undercut 相似文献
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探究一种针对孔铜为70μm产品的制作方法,以优化流程,实现孔铜控制在70μm以上,蚀刻底铜控制在75μm以下,以减低相对孤立、细小线路的制作对蚀刻带来的难度。主要针对以下几类实现方式:镀孔+正片,假负片,负片+图镀,负片过程进行总结评估,最终确定负片+图镀为适合我司的最佳流程,同时,产品各指标性能符合客户要求。 相似文献
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提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术.还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系,并作了理论上的阐述.采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽,并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正,制造了具有理想侧壁形状的深槽,利于介质的完全填充,避免产生空洞.电隔离槽宽5μm,深92μm,侧壁上有0.5μm厚的氧化层作为电隔离材料.I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性:0~100V偏压范围内,电阻大于1011Ω,击穿电压大于100V.电隔离深槽被首次应用于体硅集成微机械陀螺仪上的微机械结构与电路之间的电气隔离与机械连接,该陀螺的性能得到了显著提高. 相似文献