RF MEMS的关键技术与器件

文章介绍了RF MEMS的基本概念、基本特征与关键工艺技术。文章在介绍了RF-MEMS 元器件的基础上,对RF MEMS与MMIC进行了比较,分析了RF MEMS需解决的重点问题。最后对 RF MEMS的发展前景进行了展望。     

RFSOICMOS技术及其应用

介绍了RF SOI CMOS技术的特点。着重论述了RF SOI CMOS技术的低串扰特性、低损耗特性及其优质无源元件的性能。最后,阐述了RF SOI CMOS技术在RF系统片上集成方面的应用情况。     

射频微机电系统技术现状

较全面地介绍了 RF MEMS 器件、由 RF 器件构成的组件及应用系统,并给出了一些新的典型示例。通过比较 RF MEMS 器件与传统微波器件在性能、尺寸等各方面的差别,可以了解 RF MEMS 技术在相控阵雷达上运用的优势。     

InGaP HBT 大信号RF功率传输特性

本文实验研究了用于RF功率放大器的先进的InGaP HBT 器件大信号RF功率传输特性。研究了InGaP HBT在小信号和大信号状态下输出端的发射功率和反射功率及输入端的反射功率的规律。分析了InGaP HBT RF功率信号的多频率功率成份及其对大信号功率增益压缩,非线性和RF输出功率饱和的影响。     

μPD78F8056／57／58：16位微控制器

NEC电子近日推出三款满足家电RF遥控国际标准“ZigBee RF4CE”,且在RF发送及接收时的低功耗达到极高水平的16位微控制器产品。 新产品在56pin、8mm的QFN封装中,集成了低功耗的16位微控制器78KOR-L及低功耗RF发送接收电路.     

移动互联网络时代MEMS技术的创新发展(续)

1.6 RF MEMS1979年第一个RF MEMS诞生,是Si上的微机械薄膜开关,经多年的发展,RF MEMS主要包含薄膜体声波谐振器(FBAR)、微机械谐振器、电容开关/变容器和金属接触开关等。RF MEMS的诞生为射频电路中无源元件的小型化开辟了新的     

新型中端实时频谱分析仪实现数字RF测量的实时化

数字RF的迅猛增长，创造了一个异常复杂的技术环境。在拥挤的RF频谱中，数字RF信号承载着复杂的调制，从一个瞬态变化到下一个瞬态，在很短的时间内达到尖峰，然后消失。这些随时间变化的瞬态信号传输技术有助于RF设备避开干扰，     

系统EMC预测分析中的RF接收机敏感度模型

介绍一种在系统EMC预测分析中应用的RF接收机敏感度模型。在对通用RF接收机系统响应两级模型分析的基础上,得到与干扰信号相关的接收机敏感度模型,并给出两个计算实例。该模型既显示出了RF接收机对干扰信号的抗干扰性能,同时又能得到由干扰引起的RF接收机的降级特性。由此,可以有效地给出系统EMC预测分析中RF接收机的性能降级判据。     

RF MEMS开关失效因素的COMSOL仿真

针对RF MEMS开关的可靠性问题,利用有限元软件COMSOL,对悬臂式RF MEMS开关周围的电场分布,开关上的电荷分布和本征频率进行了分析;并研究了在静电场和结构力场耦合作用下悬臂梁的内应力情况,找出开关损坏的可能部位,探索RF MEMS失效的机理,为悬臂式RF MEMS开关的优化改进提供理论依据。     

IP网上的射频（RF）同播

一引言RF同播采用多个位置上分散的RF发射机．而这些发射机在相同的载波频率下运转并调制相同的节目素材。通过采用多个发射机,RF覆盖区域得到了扩大。RF接收机可以接收到来自多个发射机的多个信号的区域是重叠区域。在音频广播应用中,这一区域的RF接收机同时解调在多个RF载波上传输的音频节目。在该区域,音频调制应该与提供最佳接收质量的多部发射机进行相位调准。     

A Subthreshold CMOS RF Front‐End Design for Low‐Power Band‐III T‐DMB/DAB Receivers

This letter presents a CMOS RF front‐end operating in a subthreshold region for low‐power Band‐III mobile TV applications. The performance and feasibility of the RF front‐end are verified by integrating with a low‐IF RF tuner fabricated in a 0.13‐μm CMOS technology. The RF front‐end achieves the measured noise figure of 4.4 dB and a wide gain control range of 68.7 dB with a maximum gain of 54.7 dB. The power consumption of the RF front‐end is 13.8 mW from a 1.2 V supply.     

超高频射频接收系统的ADS优化设计与仿真

针对射频接收系统在无线通信环境中的应用,使用ADS软件设计了一种915MHz射频接收系统.射频接系统中的关键模块均根据实际的集成射频模块的参数设计,在选择模块中加入了可变增益放大器和衰减器,使衰减器控制VGA的增益,系统的噪声系数大幅度下降.使用ADS软件对接收系统进行仿真,并利用ADS软件的HARMONIC BALA...     

一种新型的5GHz自适应偏置及可变增益低噪声放大器

该文提出了一种新型的自适应偏置及可变增益低噪声放大器(LNA),利用电荷泵(亦称电压倍增器)将LNA输出信号转换成与LNA射频输入信号功率成比例变化的直流信号,以此信号同时反馈控制LNA的偏置和增益,来实现自适应偏置以及可变增益低噪声放大器, 从而极大地改善了LNA的输入线性范围。鉴于5GHz频率下,Bipolar相对于CMOS更好的频率特性和低噪声特性,该项研究采用了BiCMOS工艺,实现了低于3.0dB的噪声系数(高增益状态下)和大约13dBm的输入三阶交调点IIP3的控制范围以及大于15dB的增益控制范围。     

基于分档切换的射频宽带放大器的设计

针对现行的增益放大器对于低频10M赫兹和高频段的放大特性不能满足增益的一致性,同时每个增益放大器都需级联才能满足0~60d B可调,但级联会产生指标的降低的问题,文中提出一个射频宽带增益放大器。其高频段模块电路是由输入电路、三级16d B放大电路和四选一切换器、增益可调放大器和输出驱动电路组成的模拟电路构成,系统控制模块以STC单片机为主,可完成增益设定、控制四选一切换器、增益可调电路等功能。测试结果表明文中提供的射频宽带放大器,相比传统的射频宽带放大器,在提供较低频段和高频段增益放大且提供增益一致性的同时,能够提供更高的线性度。     

VHF／UHF波段接收机动态范围问题研究

针对VHF-HF波段接收机射频模拟前端（RFAF）对动态范围的影响问题,在多射频接收链路模型中添加中频自动增益控制（IFAGC）电路模块,仿真结果表明使用IFAGC电路进行二次增益调节,可保证接收机稳定工作,同时能够减小由RFAGC电路引起的瞬时动态范围的波动变化。     

一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA

高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13m RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76 mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8 GHz,最大增益为21.8 dB、最小增益8.2 dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7 dB,典型的IIP3为-7 dBm。     

VHF跳频电台接收机射频前端的仿真设计与研究

通过对VHF跳频电台接收机射频前端设计指标和具体结构的介绍,运用Agilent公司的射频设计仿真软件ADS,对整个接收机射频前端电路进行仿真和电路设计,构建了一个由保护电路、跳频预选滤波器、低噪声放大器和自动增益控制电路组成的射频前端电路模型,并对其进行仿真.最后的实验结果表明,所设计的射频前端的性能指标达到了系统的设计要求,并有所提高.     

PIN二极管原理及其在射频增益控制放大器中的作用

文章主要介绍PIN二极管的原理及在射频增益控制放大器中的作用.     

一种无过冲RF功率控制技术的研究及实现

为了解决大功率RF功率控制中存在的过冲问题,提出了一种新的基于控制功放增益正向增长的控制方法。该方法在理论上可以保证闭环控制器具有单位阶跃激励下的无过冲暂态响应特性,从而能大大提高RF功率放大器的可靠性。实验电路的测试结果表明该方法有效。     

一种具有精确增益控制的CMOS可编程增益放大器

采用0.13μm RF CMOS工艺,设计了一款具有精确增益步长控制的宽带可编程增益放大器.在传统电阻网络衰减器的基础上,提出了一种新的增益控制方法.该方法采用两个互相重叠的反馈环路,通过改变环路中跨导的比值以实现精细的增益步长控制.测试结果表明,当电源电压为1.2V时,功耗为24 mW,-3 dB带宽为600MHz....