Bi—2223／Ag超导带材长样的制备

本从提高超导材料的均匀性和致密性出发，采用硝酸盐热分解及多磨多烧工艺制粉，并掺入１０ｗｔ％Ａｇ２Ｏ粉，用冷等静压法压成密实棒材，经烧结且液Ｎ２淬火后装银管，拉丝后进行轧制，每道次采用１５％左右的无效变形量进行轧制，选用预烧结－高温短时熔化处理－后退火的热处理工艺，制备了厚度为０．０９ｍｍ，宽度为２．３ｍｍ，长度为０．５ｍｍ的Ｂｉ系带材长样，其Ｊｃ值达８０００Ａ／ｃｍ＾２。     

Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

低氧压对Bi－2223／Ag复合带组织与性能的影响

本文研究了０．１２ｍｍ×４．５ｍｍ的Ｂｉ－２２２３／Ａｇ试样在Ｐｏ２＝０．２１，０．１３，０．０８，０．０４ａｔｍ气氛中于Ｔ＝７８５～８４０℃中处理５０小时后，带材显微组织与超导性能的变化．实验发现低氧压下带材熔化温区大幅度降低，低氧压与Ａｇ共同作用促进了２２２３相的形成与取向，在低氧压下烧结氧化芯中心的第二相生长受到抑制，改善了带材截面的均匀性．低氧压烧结＋空气中退火，提高了临界电流密度，且改善了带材在磁场中的性能．对于本实验的试样，最佳处理条件为：Ｐｏ２＝０．０８～０．１３ａｔｍ，Ｔ＝８２０～８２５℃．     

低氧压对Bi—2223／Ag复合带组织与性能的影响

本研究了０．１２ｍｍ×４．５ｍｍ的Ｂｉ－２２２３／Ａｇ试样在Ｐｏ２＝０．２１，０．１３，０．０８，０．０４ａｔｍ气氛中于Ｔ＝７８５￣８４０℃中处理５０小时后，带材显微组织与超导性能的变化。实验发现低氧压下带材熔化温区大幅度降低，低氧压与Ａｇ共同作用促进了２２２３相的形成与取向，在低氧压下烧结氧化芯中心的第二相生长受到抑制，改善了带材截面的均匀性，低氧压烧结＋空气中退火，提高了临界电流密度，且改善     

旋转激光淀积厚度均匀的超导薄膜

应用一光学变换传输系统，使得激光束通过该系统后可绕一定的半径旋转，旋转的激光束消融淀积大面积ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜。以其片中心处的超导薄膜厚度的９０％为均匀区域界限，激光旋转半径为０，３ｍｍ和９ｍｍ时，淀积的超导薄膜厚度均匀区域面积分别为０．１４ｃｍ＾２、０．８２ｃｍ＾２、６．７９ｃｍ＾２。     

柠蒙酸盐热解法制备YBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体及其性能研究

本文采用柠檬酸盐热解法成功地制备了反应活性高、均匀、超微（～１００Ａ）超导原粉．在成份调节和粒度控制方面具有独到之处．用这种粉末合成的Ｙｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体，其主相为正交１２３相，ＴＲ＝０＝９１．２Ｋ，Ｊｃ（０Ｔ，７７Ｋ）＝１．８×１０５（Ａ／ｃｍ２），制备小烧结时间短。温度低（≤８８０℃），反应周期短（≤３６ｈｏｕｒｓ），是一种很有发展前途的方法．     

i线投影光刻曝光系统的光学设计

叙述具有同轴对准特性的光学投影物镜双远心结构和均匀照明光学系统原理。为了满足ｉ线光刻所需的光学传递函数要求，讨论了光刻分辨率和数值孔径的关系。设计了一种新的双远心投影物镜，其数值孔径ＮＡ＝０．４２，放大倍率Ｍ＝－１／５，像场尺寸１５ｍｍ×１５ｍｍ（直径２１·２ｍｍ），共轭距Ｌ＝６０２ｍｍ。用光学设计程序ＺＥＭＡＸ－ＸＥ计算此ｉ线物镜的像质。设计结果说明，整个视场内波差＜λ／４，ＭＴＦ＞０．５５，当空间频率为７１５ｐａｉｒｌｉｎｅｓ／ｍｍ，使用波长为３６５士３ｎｍ时。可以实现０．７μｍ光刻分辨率；照明均匀器，由８１个小方型透镜组成一方列阵。用本文模拟计算软件ＯＰＥＮＧ计算被照像平面上的光能分布，说明实际系统的照明不均匀性为土２％。     

Tl－1223／Ag复合带长样的制备

本文研究了Ｔｌ－１２２３／Ａｇ复合带长样的制各，０．５９米的长样统制在中３１ｍｍ的氧化铝管上，其Ｊｃ值最高可达ｌ．１０×１０４Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ，ＯＴ）．在ф９－３１ｍｍ的管径范围内绕制线圈，曲率半径对Ｊｃ的影响不大     

电子束泵浦KrF激光放大器增益与吸收的测量

为研制百焦耳级ＫｒＦ激光放大器，发展ＭＯＰＡ系统，我们用自探测法在百焦耳级电子束泵浦ＫｒＦ激光装置上进行了激光放大器的增益与吸收的测量。泵浦率约为０．６７ＭＷ／ｃｍ￣２，激光介质为８９．６％Ａｒ：１０％Ｋｒ：０．４％Ｆ＿２的混合气体，总气压０．２５ＭＰａ，实验测得激光放大器的小信号增益系数ｇ＿０＝６．６％ｃｍ￣（－１）、非饱和吸收系数α＿ｎ＝０．９３％ｃｍ￣（－１）、饱和光强Ｉ＿ｓ＝２．５ＭＷ／ｃｍ￣２。     

电子束泵浦KrF激光放大器增益与吸收的测量

为研制百焦耳级ＫｒＦ激光放大器，发展ＭＯＰＡ系统，我们用自探测法在百焦耳级电子束泵浦ＫｒＦ激光装置上进行了激光放大器的增益与吸收的测量。泵浦率约为０．６７ＭＷ／ｃｍ￣２，激光介质为８９．６％Ａｒ：１０％Ｋｒ：０．４％Ｆ＿２的混合气体，总气压０．２５ＭＰａ，实验测得激光放大器的小信号增益系数ｇ＿０＝６．６％ｃｍ￣（－１）、非饱和吸收系数α＿ｎ＝０．９３％ｃｍ￣（－１）、饱和光强Ｉ＿ｓ＝２．５ＭＷ／ｃｍ￣２。     

柠檬酸盐热解法制备YBa2Cu3O7—δ超导体及其性能研究

本采用柠檬酸盐热解法成功地制备了反应活性高、均匀、超微（～１００Ａ）超导原粉，在份调节和粒度控制方面具有独到之处。用这种粉末合成的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体，其主相为正交１２３相，ＴＲ＝０＝９１，２Ｋ，Ｊｃ（０Ｔ，７７Ｋ）＝１．８×１０＾５（Ａ／ｃｍ＾２），制备中烧结时间短，温度低（≤８８０℃），反应周期短（≤３６ｈｏｕｒｓ），是一种很有发展前途的方法。     

光谱—电化学法对铁,铅的测定方法研究

在０．１５ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－ＮＨ４Ａｃ支持电解质中，使用０．１ｇ／Ｌ的邻菲罗啉（ｏ－Ｐｈｅｎ）采用经典极谱仪测定其离子络合物吸附波，分光光度法测定铁离子，检出下限分别达到：铅离子为１．５０×１０＾－１０ｍｏｌ／Ｌ，铁离子为３．５８１×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ。该方法在回收率为９９．２％－１００．４％之间，具有较好的选择性。     

铊系超导单昌的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生工。生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ＾３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ＾３。Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶。     

铊系超导单晶的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－ＣＵ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度分别为８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生长．生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ３，Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶．采用蠕爬型助熔剂可以降低熔点而不引进其它非组元杂质，但导致熔料蠕爬，对生长大块单晶不利．采用蒸发型复合助熔剂克服了熔料的蠕爬现象，减少了铊的损失，对生长多铜氧层的单晶有利．     

用低能电子衍射研究ⅢA—VA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表…

用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５±０．０２Ａ，其键角α＝１０１．２１°±２．１°，β＝１０７．８６°     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

1kA级铋系高温超导模型电缆的研制

我们研制了一根１０００Ａ级铋系高温超导模型电缆。电缆由不锈钢波纹管骨架、导体层、层间绝缘和外绝缘绑扎带组成。电缆的导体层由６层共１７１根Ｂｉ－２２２３／Ａｇ多芯带材绕制而成，电缆外径为４５．２ｍｍ，长度为１ｍ。在液氮下的通电实验表明，电缆的临界电流超过１１８０Ａ（１μＶ／ｃｍ判据），接头总电阻小于０．０６μΩ，均超过设计指标。经两次热循环实验，电缆的临界电流仅退化２．７％，在半小时传输电流１ｋＡ的     

特殊YBCO高温超导双面膜的研制

本报导用倒筒式直流磁控溅射法在直径为１０．５ｍｍ、高为５．８ｍｍ的ＬａＡｌＯ３单晶圆柱体上通过放置基片使基两面同时均匀淀积出高度外延的ＹＢＣＯ超导薄膜。两面薄膜样品的Ｔｃ值均大于９１Ｋ，ΔＴｃ≤０．２Ｋ，ＦＷＨＭ≤０．２９，在７７Ｋ、１８．９ＧＨｚ下的Ｒｓ≈３ｍΩ。该优质薄膜适合于应用在高频微波器件上。     

光谱－电化学法对铁、铅的测定方法研究

在０．１５ｍｏｌ／ＬＨａｃ－ＮＨ_４Ａｃ支持电解质中，使用０．１ｇ／Ｌ的邻菲啉（ｏ－Ｐｈｅｎ），采用经典极谱仪测定其铅离子络合物吸附波，分光光度法测定铁离子，检出下限分别达到：铅离子为１．５０×１０（－１０）ｍｏｌ／Ｌ，铁离子为３．５８１×１０（－７）ｍｏｌ／Ｌ。该方法的回收率为９９．２％－１００．４％之间，具有较好的选择性。     

纯铝中微量镓,硼的光电直读光谱分析

本文利用ＤＶ－４１０００型光电直读光谱仪对纯Ａｌ中微量Ｇａ、Ｂ的测定方法进行了研究，自制标样，其均匀性用数理统计的方法进行了检验，Ｇａ、Ｂ的含量用化学法确定，该系列标样线性关系良好。分析范围：Ｇａ０．００１％－０．０４％，Ｂ０．０００２％－０．０１％，光源参数选用火花电感方式，冲洗２秒，预燃５秒，曝光７秒。该法简单、迅速、灵敏度和准确度较高，与化学法的分析结果对照，数据十分一致。