中频交流反应溅射TiO2薄膜的制备及性能研究

利用中频交流磁控溅射设备用金属Ti靶制备出了TiO2薄膜。用椭偏仪测试了TiO2薄膜的厚度和折射率,用俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外及可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的表面成分、表面形貌、晶体结构及其紫外及可见光透射谱,并初步探讨了工艺因素对薄膜性质的影响。实验结果表明：所制备的氧化钛薄膜O／Ti比符合化学计量比,而且O／Ti比随O2流量的变化不大;TiO2薄膜结构主要为锐钛矿型;薄膜表面致密;TiO2薄膜光学性能较好,透射比较高;但O2流量较低时透射比明显下降。     

纳米TiO2微球的制备及光催化性能研究

以钛酸四丁酯为前驱体，在油酸和正己烷的混合溶剂中，采用溶剂热技术成功地合成了纳米TiO2微球。以X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）等方法对产物进行了表征，并对其光催化降解甲基橙溶液的性能进行了研究。实验结果表明：纳米TiO2微球的平均尺寸约为60nm，其中含有粒径平均约4.5nm的超细粒子。此种结构趋向于高的比表面积，与P－25型光催化剂相比，两者对甲基橙溶液的脱色具有相近的光催化活性。nm     

探索MOCVD法制备TiO2薄膜的最佳反应条件

用低压金属有机化合物化学气相沉积 (MOCVD法 ),以四异丙纯钛 (TTIP)为源物质,高纯氮气作为载气,氧气为反应气体,制备出了 TiO2薄膜。分析出了沉积温度、氧气流量等因素对沉积速率的影响。发现在不同反应条件下 TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制,为制备优质 TiO2薄膜提供了依据。     

中频反应磁控溅射TiO2薄膜对敌敌畏的光催化降解性能

作利用中频反应磁控溅射技术制备了厚度低于400nm的TiO2薄膜，并对其在紫外线作用下对敌敌畏(DDVP)的光催化降解性能进行了系统的研究。实验结果显示：敌敌畏的降解速率与光照时间和紫外辐照强度成正比，在TiO2薄膜催化下，125W紫外灯辐照4h后降解率可达97％。300℃下退火处理有利于提高薄膜的催化能力。薄膜厚度的增加亦可提高其催化能力。     

溶胶-凝胶法制备稀土掺杂多孔TiO2薄膜的表面形貌及性能研究

以溶胶－凝胶法,采用旋转涂膜工艺在玻璃表面制备了Ce,La掺杂的多孔TiO2薄膜,研究了玻璃表面TiO2薄膜在稀土掺杂及多孔化处理后的特征,发现稀土元素的掺杂使薄膜的多孔结构更加均匀一致,在近紫外的吸收率明显提高,同时对油酸有更高的光催化降解效率。     

TiO2薄膜的LPCVD法制备、表征及光催化性能

采用简单易行的低压化学气相沉积法(LPCVD)在GaAs、Si和玻璃衬底上沉积了TiO2薄膜,通过HRXRD、FESEM、EDS等手段对薄膜进行表征,结果表明基片对薄膜的晶相和微观形貌有明显的影响。薄膜的光催化实验结果显示,在可见光的照射下,分解甲基橙溶液时,砷化镓基和硅基TiO2薄膜表现出更强的光催化活性。并探讨了基片对薄膜晶相、微观形貌、光催化活性的影响。     

环保型TiO2薄膜玻璃性能的研究

采用溶胶－凝胶法在玻璃表面制备了TiO2薄膜和掺杂铈或镧TiO2薄膜，利用高效液相色谱仪（HPLC）、紫外－可见分光光度计、扫描电镜（SEM）等测试手段，研究了不同气氛条件下热处理的TiO2薄膜对油酸光催化降解的影响，TiO2薄膜中掺杂稀土铈或稀土镧对油酸光催化降解的影响，薄膜内TiO2晶粒的分布及形态，薄膜表面化学稳定性等。结果表明空气气氛下处理的TiO2薄膜光催化效率最高。掺杂铈或镧有利于提高TiO2薄膜的光催化降解效率，涂层有利于提高玻璃的化学稳定性，但提高的程度不一。     

NVD法制备TiO2薄膜及形貌的研究

采用一种新的制备薄膜的技术--超声雾化气相沉积法(NVD),初步研制了一套采用该法制备薄膜的设备,已成功地用该设备制备出了TiO2薄膜.对薄膜形貌进行了初步的分析和研究,并用拉曼光谱对其进行了定性分析.     

溶胶—凝胶法制备TiO2—CeO2薄膜

本文报道了用溶胶－凝胶法制备TiO2-CeO2薄膜的工艺过程及所制备薄膜的性能，研究了在不同Ce/Ti比及催化条件下浸涂液的成膜能力，胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明，在浸涂液中加入水或碱会使浸涂液迅速凝胶，而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解－凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响，随Ce/Ti比增大，浸涂液的成膜能力变坏，而薄膜的紫外吸收增大。     

常温下纳米TiO2薄膜的制备及其超亲水性研究

在室温下采用溶胶法制备锐钛矿型纳米TiO2薄膜，研究不同温度处理后薄膜的超亲水性，光催化能力，结果表明：在室温下制备，固化的薄膜具有良好的超亲水性，光催化能力和较高的可见光透射率，且薄膜厚度均匀，温度低于200℃的热处理，对薄膜的光致特性基本没有影响，而在450℃下烘烤1h后，其光催化性能有所下降。     

Grains in Selectively Grown MoS2 Thin Films

Transition metal dichalcogenides (TMDCs) have recently been studied using various synthesis methods, such as chemical vapor deposition for large‐scale production. Despite the realization of large‐scale production with high material quality, a range of approaches have been made to solve the patterning issue of TMDCs focusing on the application of integrated devices; however, patterning is still under study to accurately represent nanoscale‐sized patterns, as well as the desired positions and shapes. Here, an insulating substrate is treated selectively with O₂ plasma, and MoS₂ growth is induced in the superhydrophilic area. Selectively well‐grown MoS₂ patterns are confirmed by atomic force microscopy and Raman and photoluminescence spectroscopy. In addition, the grain size, according to the growth size, and grain boundary are analyzed by annual dark field transmission electron microscopy (TEM) and spherical aberration‐corrected scanning TEM to confirm the selective growth. An analysis of the device performance and the optical properties reveals an enhancement with increasing grain size. This method presents the path of the growth technique for patterning, as well as the direction that can be applied to devices and integrated circuits.     

硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响

采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm-2·h-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.     

SiC纤维的B4C涂层研究

采用化学气相沉积（CVD）方法，在连续SiC纤维表面沉积一层B4C涂层，对纤维的强度，电阻率及介电参数等性能进测试，结果表明：SiC纤维涂层处理，可以大幅度提高纤维单丝的强度，调节纤维的电阻率，纤维的介电参量εr,εi随测试频率升高而显著降低，是一种电损耗较大的纤维，可用于结构吸波材料的增强材料。     

仿生超疏水聚丙烯/二氧化钛复合薄膜的构筑及性能研究

采用简便的相分离法制备出超疏水PP/TiO2复合薄膜。该复合薄膜表面与水的接触角为169°,滚动角小于4°。pH值为1~14的水溶液在其表面都具有很高的接触角,均大于160°。对其表面进行扫描电子显微镜分析可知,该薄膜具有类花瓣二元微纳米复合微观结构,这种结构可捕获空气,形成水与基底之间的气垫,对表面超疏水性的产生起到了关键作用。用Cassie理论对其表面超疏水进行分析,结果表明,约2.7%的面积是水滴和基体接触,而有约97.3%的面积是水滴和空气接触。     

LPCVD氮化硅薄膜的化学组成

分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌.XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33).AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%).AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm.     

二氧化钛纳米晶薄膜低温制备方法研究进展

二氧化钛纳米晶薄膜优异的性能使其成为研究焦点,低温制备二氧化钛纳米晶薄膜有着重要的现实意义.因此,探索低成本高效低温制备技术,不仅可以降低成本,而且还可以拓展此类薄膜在耐热性较差的高分子材料领域的应用.总结了近几年低温制备方法的研究进展,客观地评价了各种制备方法的优缺点,并简要评述了对其产业化进程.     

钢渗铬沉积金刚石膜的研究

用热解CVD装置研究了甲烷浓度、基底温度、室压对钢渗铬沉积金刚石膜的影响.结果表明,甲烷浓度越低,沉积得到的金刚石膜的晶形越好,甲烷浓度超过0.8%后,金刚石的形貌呈"菜花状";基体温度高时,难于在渗铬层上形成连续的金刚石膜,但基体温度高所得的晶形较好;室压越高,金刚石的形核密度越高,但随室压的升高,金刚石的形貌变差.菜花状金刚石膜是由大量二次晶核长大的微晶金刚石晶粒组成,含有较多的非金刚石碳相.     

等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构。     

二氧化钛片状粉末制备的研究

研究了二氧化钛片状粉末的制备。将配制的透明氧化钛溶胶涂覆于玻璃基片上,经干燥后形成胶态薄片,然后将胶态薄片剥离并经过高温煅烧,可获得具有明显片状结构、表面光滑平整的二氧化钛薄片。研究结果表明:四氯化钛的浓度、乙醇用量、HCl用量是制备溶胶的主要影响因素。胶态薄片的煅烧温度以600℃、时间3h为宜。XRD检测结果表明,煅烧后获得的二氧化钛薄片以锐钛型氧化钛为主。SEM图象显示其薄片的粒径大多在5～20μm之间,厚度小于1μm。     

Metal Organic Chemical Vapour Deposited Thin Films of Cobalt Oxide Prepared via Cobalt Acetylacetonate

The single solid source precursor, cobalt (Ⅱ) acetylacetonate was prepared and characterized by infrared spec-troscopy. Thin films of cobalt oxide were deposited on soda lime glass substrates through the pyrolysis (metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)) of single solid source precursor, cobalt acetylaceto-nate, Co[C5H7O2]2 at a temperature of 420℃. The compositional characterization carried out by rutherford backscattering spectroscopy and X-ray diffraction (XRD), showed that the films have a stoichiometry of Co2O3 and an average thickness of 227±0.2 nm. A direct energy gap of 2.15±0.01 eV was calculated by the data obtained by optical absorption spectroscopy. The morphology of the films obtained by scanning electron mi-croscopy, showed that the grains were continuous and uniformly distributed at various magnifications, while the average grain size was less than 1 micron for the deposited thin films of cobalt oxide.