金刚石表面Cr金属化的界面扩散反应研究

利用直流磁控溅射法在金钢石颗粒表面沉积了厚度为１５０ｎｍ的金属Ｃｒ薄膜。ＳＥＭ研究表明在金刚石表面形成的Ｃｒ膜基本均匀,但有小的金属聚集体存在。俄歇深度剖析研究发现,在镀膜过程中Ｃｒ膜和金刚石基底间发生了显著的界面扩工用作用。相应的俄歇线形分析表明,沉积过程中在界面上发生化学反应形成了部分Ｃｒ２Ｃ３物种。溅射沉积功率对金刚石颗粒与金属Ｃｒ膜的界面反应有较大的影响,提高溅射功率可大大促进Ｃｒ元素的扩     

金刚石CVD金属化及其应用

为了提高金刚石表面浸润性和焊接性,使金刚石与胎体实现牢固冶金结合,采用金刚石化学气相沉积(CVD)表面金属化的方法来改善金刚石表面性质。通过扫描电镜和能谱分析仪对金刚石表面金属化层进行表面形貌和成分分析;同时采用金属化处理的80目金刚石、综合性能较好的球形硬质合金和低熔点合金粉末以及新型焊接用粘结剂A2B,按照一定的配比制成堆焊焊条,进行钢齿牙轮钻头材料表面堆焊强化处理和耐磨性试验研究。结果表明:①采用CVD在金刚石表面沉积一层较厚的合金层,既保证了包覆的均匀性,也可以避免金刚石的多次高温受热,降低发生金刚石石墨化的几率;②CVD金属化层组织均匀、致密,镀层主要成分为Ni元素;③含有CVD金属化金刚石的自制焊条堆焊后总磨损量仅为江钻焊条的27.27%,耐磨性能非常好;④金刚石CVD金属化能够对金刚石表面进行改性,实现金属化金刚石、硬质合金和基体之间的良好结合。     

金刚石表面金属化的研究现状

主要介绍了金刚石表面金属化的原理、模型;金刚石表面金属化的几种制备方法:化学镀加电镀、真空镀、盐浴镀以及各种方法的优缺点,并综述了国内外金刚石表面金属化的研究进展;同时归纳总结了金刚石表面金属化的表征方法.     

金刚石膜上电子束蒸镀Ti/Ni/Au多层膜

经过相图分析提出了CVD金刚石膜上蒸镀Ti/Ni/Au的体系。采用该体系、富氧预处理工艺和电子束真空镀膜方法 ,金刚石膜和多层金属膜之间获得了良好结合强度。研究发现 :富氧预处理对多金属膜和金刚石膜之间的结合强度影响显著。进一步利用俄歇电子能谱 (AES)证实 :C向Ti中扩散层有 15 0nm之多 ,并出现了厚度约为 90nm稳定含量层 ,说明有确定化学比的反应产物生成 ;富氧处理在金刚石膜与Ti金属层之间增加了氧的含量 ,为形成TiO和TiC提供了合适的条件。     

金刚石薄膜的表面金属化及与Ti薄膜的界面扩散反应的AES研究

利用磁控溅射的方法在金刚石薄膜表面沉积了２５０ｎｍ厚的金属Ｔｉ层，通过３００￣６００℃的真空热处理，促进了Ｔｉ与金刚石之间的界面扩散反应。利用俄歇电子能谱研究了Ｔｉ／金刚石薄膜界面的结合状态，发现在界面上形成了Ｔｉ的碳化物。并发现Ｔｉ与金刚石薄膜发生了大幅度的界面扩散反应，Ｔｉ元素渗入金刚石层达６００ｎｍ，促进了Ｔｉ与金刚石之间形成良好的化学结合，为获得高性能的金刚石切削工具提供了可能。界面扩散反     

Ag/Ni多层膜的界面自由能研究

利用多层膜零蠕变法，直接测量si(111)单晶片上沉积的Ag／Ni多层膜界面自由能。通过基片曲率法实时测量Ag／Ni多层膜升温退火过程中的应力变化，在450℃保温，发现此时多层膜达到平衡状态，最终的平衡应力为0．57MPa，计算出Ag／Ni的界面自由能％。为0．63J／m^3，最后结合XRD测试结果和SEM剖面形貌，从界面能角度对多层膜的稳定性进行了分析讨论。     

Cr/Cr2O3多层膜的研究

用真空蒸镀及自然氧化方法在玻璃基底上制备纳米量级的4、5、6、7对层的Cr／Cr2O3多层膜。采用称重法测定薄膜的厚度；在常温和低温下使用三点法测定多层膜的电特性；用扫描电镜（SEM）观察薄膜的表面和截面的形貌及成分；用X射线衍射仪检测相结构。结果表明：制备的是纳米量级非晶态的Cr／Cr2O3多层膜，在常温和低温（77K）下均具有类似负阻的特性。     

钼片上CVD金刚石膜的界面研究

借助金相显微镜，ＳＥＭ、ＥＤＸＡ对钼片上ＣＶＤ金刚石膜的界面形貌和成分进行了研究，对比了加磁场与不加磁场所沉积的金刚石膜的横民面形态特征，结果表明：加磁场与否在ＣＶＤ金刚石膜和钼基体之间均存在数μｍ厚的Ｍｏ２Ｃ中间层，它呈细小柱状昌方式生长，该层以下的钼基体发生了再结晶细化；加磁场沉积的金刚石膜较致密，（显微）空隙数量较小、金刚石颗粒尺寸较小、金刚石膜背面粘附较多的Ｍｏ２Ｃ聚集物。压痕试验法评定的     

AlN基片金属化Ag—Pd厚膜导体研究

在ＡｌＮ基片上采用Ａｇ－２０％Ｐｄ浆料实现了厚膜金属化布线，膜层的附着力、表面电阻，电焊性及耐焊料的腐蚀能力都不亚于Ａｌ２Ｏ３基片上的情况。在烧结过程中，熔化的玻璃料向基片表面流动富集，而导体粉料变成网状结构。结果，界面附近的玻璃与导体层之间形成“交联”结构，而与基极之间形成“镶嵌”结构。为了获得这种附着性能良好的界面结构，玻璃料应具有５００￣６００℃合适的软化点，且能润湿金属及ＡｌＮ基片。     

失配位错对Cu/Ni多层膜力学性能的影响

通过对Cu／Ni多层膜纳米压痕过程的二维分子动力学模拟,研究了失配位错对多层膜力学性能的影响。结果表明,失配位错网对滑移位错的阻碍作用使Cu／Ni多层膜得以强化,并且这种强化作用依赖于多层膜的调制波长(相邻两膜层的厚度之和)。当调制波长大于临界值λc时,失配位错的应力场随膜层厚度变化不大;当调制波长小于临界值λc时,失配位错的运动导致了界面处的应力集中,从而使多层膜的力学性能下降。为了优化多层膜的力学性能,临界调制波长要大于在单膜层内产生位错的深度。     

ABS树脂表面Pb-Cu金属化方法的研究

以NaBH4水溶液还原ABS树脂／金属盐络和膜，可制得一种新的高分子表面金属化材料，其导电性能较好。采用均匀设计法对影响其导电性能的各个因素进行了研究，包括添加金属的质量，还原剂浓度，还原时间和还原温度等。初步探讨了表面金属化的机理。     

CoFe/Cu多层膜巨磁阻效应的研究

采用直流磁控溅射制备了多层膜Ta/缓冲层/[Co95Fe5/Cu]×12/Co95Fe5/Ta。实验发现,多层膜的磁阻性能受到缓冲层材料、各子层厚度以及退火处理的影响。采用优化的多层膜结构:Ni65Fe15Co20缓冲层厚8 nm、CoFe层厚1.55 nm、Cu层厚2.4nm,沉积态薄膜GMR值达到7.6%;而在外加磁场79.6×103A/m下,250℃保温2 h退火处理后,多层膜的GMR值进一步提高到11.9%,磁滞从18.7×102A/m降低到796 A/m。     

超高分子量聚乙烯表面金属化及类金刚石薄膜沉积复合处理研究

采用超高分子量聚乙烯(UHMWPE)表面金属化及类金刚石薄膜沉积复合处理工艺,提高超高分子量聚乙烯的耐磨性.首先采用磁过滤阴极真空弧源沉积技术(FCVA)在UHMWPE表面制备约30nm钛金属层,使UHMWPE表面金属化,然后再沉积DLC薄膜,研究结果表明,UHMWPE表面金属化后,DLC薄膜沉积过程中,电荷累积效应消...     

金刚石表面Ti-Ni复合镀层的成分及界面分析

采用真空微蒸发镀钛和化学镀镍相结合的方法,在金刚石表面制备了Ti-Ni复合层,观察了镀层的表面形貌以及界面结构,分析了镀层的相成分。结果表明:金刚石表面镀层比较完整;Ti层和金刚石之间以及Ti层和Ni层之间结合都较为致密,界面之间分别有TiC和TiNi化合物生成,形成冶金结合。     

Cr/CrN多层膜的结构及腐蚀性能研究

利用电弧离子镀设备,在45#钢基体上制备了两种调制比的Cr/CrN多层膜.采用X射线衍射技术(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针(EPMA)、M273A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、横截面元素分布、模拟海水中的抗腐蚀性能.结果表明:膜层主要由CrN、Cr2N和Cr组成,以Cr2N(111)为择优取向;膜层为Cr层-过渡层-CrN层的"三明治"调制结构;Cr/CrN多层膜结构与中间Cr层的存在可以显著提高基体和单层CrN抗腐蚀性能,45#钢+Cr/CrN(5/10)的防护体系抗腐蚀性能最佳.     

1Cr17/9Cr18MoV多层复合钢板的组织与性能

采用包覆浇铸方法,经热锻、热轧后制备出各层钢板厚度较均匀分布的1Cr17/9Cr18MoV多层复合板。不同热处理工艺下的试验结果表明,采取加热温度950℃,保温0.5h后空冷的热处理工艺,可使复合板中9Cr18MoV钢获得较高的硬度,1Cr17钢获得较低的硬度,同时满足各层界面两侧附近的组织基本相同,硬度比较接近的要求。     

Cr层厚度对Pd/Cr/Co多层膜光学性质的影响

本文利用磁控溅射的方法生长不同Cr插层厚度的Pd/Cr/Co多层膜,并利用椭偏仪对多层膜的光学常数进行测量.得到了入射光波长在250nm-850nm范围内多层膜的折射率、反射率、吸收系数以及复介电常数的曲线,在此数据的基础上分析了Cr插层厚度对多层膜光学参数的影响.     

05Cr17Ni4Cu4Nb材料表面QPQ处理工艺的研究

为了提高05Cr17Ni4Cu4Nb材料的耐磨性,延长其使用寿命,并扩大其应用范围,采用QPQ热处理工艺对05Cr17Ni4Cu4Nb不锈钢材料进行表面强化处理,通过扫描电镜、显微硬度计等研究了不同渗氮时间和基盐中氰酸根离子浓度对该材料表面渗层厚度和硬度的影响.结果表明:对于05Cr17Ni4Cu4Nb不锈钢棒料,氰酸...     

Co/Ni多层膜的热处理研究

采用磁控溅射方法制备了Co/Ni多层膜并做了热处理,测量了系列样品的结构,磁性和磁电阻,受热处理条件等因素影响,多层膜的层间磁性耦合性质发生变化,电阻率下降,而其各向异性磁电阻的数值没有一致的变化趋势,讨论了磁性层织构和界面对多层膜的磁性和各向异性磁电阻效应的影响。