InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

用国产ＭＢＥ设备生长出与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱材料，并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究．用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比，光３ｄＢ带宽达３ＧＨｚ     

半导体多量子阱Mach—Zchnder调制器的性能分析

高速光调制器是高速光纤传输系统的关键器件之一,在各种类型的光波导６调制器中,Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型调制器是最常用的调制器类型之一。概述了半导体多量子陆Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器的原理和性能。给出该类调制器的模型,最后介绍所获得的重要模拟结果。     

光互连用8×8多量子阱空间光调制器

制作了光互连用８×８多量子阱空间光调制器，测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Ｄａｍｍａｎｎ光栅分束器将半导体激光束分成等光强的６４路并将其照射到多量子阱空间光调制器上，测量了其调制特性     

GaAs／GaAlAs单量子阱光调制器电学行为

利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现象。     

InP系量子阱相位调制器的理论设计

本文应用量子限制Ｓｔａｒｋ效应理论计算了ＩｎＰ系量子阱中激子的波函数及激子的能量．在此基础上，计算了不同电场条件下激子能量的红移，以及吸收系数的变化．然后，根据Ｋ－Ｋ关系计算了折射率的变化，得到了一定强度外电场条件下，折射率变化与波长、组份及阱宽的关系．按照我们的计算，折射率变化可达２.５４e－２．     

多量子阱空间光调制器二维列阵

用MBE技术生长GaAs／AlGaAs多量子阱材料，研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵，对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析．     

高增益半导体调制器

美国CoreTek公司已推出两种商业化的光可寻址新型空间光调制器。一种打算用于全息，另一种设计成非相干到相干光的转换，将直接用休斯公司制作的液晶光阀完成。该公司的两种调制器以新结构为基础，即写光束的探测可与读出光束保持分离，这比多数类似器件有更好的调制深度、增益和灵敏度。公司还发展一种使量子阶迭层上的电场形成脉冲的方法，使帧速超过10kHZ。这种器件是市场上第一种以多量子阶为基础的空间光调制器。多量子附结构由具有交替带隙的薄半导体送层构成。较低带隙层起势阶作用，使由入射光子摆脱出来的俘获电子脱离电子和空穴…     

量子阱半导体光放大器的增益偏振相关性研究

应用能带计算理论,研究了张应变量大小、量子阱厚度对量子阱半导体光放大器(SOA)中的增益偏振相关性的影响.采用张应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.55 μm的SOA,它可以在较宽的载流子浓度范围、较宽的光波长范围内满足增益对偏振的不灵敏要求.另外,还采用混合应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.31μm的SOA.     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器

利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。     

Ⅲ—Ⅴ族超晶格量子阱结构红外探测器最新进展

半导体超晶格量子阱作为新一代微电子器件材料而迅速堀起,亦为寻求品质优异、具有特殊性能的红外探测器材料开拓了一个全新的能带工程领域。本文综述了国外发展很快的Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱红外器件,着重介绍近两年的新成果。     

半导体量子阱材料

综述了半导体量子阱材料的量新发展动态和发展趋势。     

通用可编程多量子阱空间光调制器驱动电路

A universal programmable multi-quantum-well（MQW） spatial light modulator（SLM） driving circuit is developed.With a twice scanning, it can generate programmable signals to drive a non-linear MQW SLM by using a software preprocessing unit.By adjusting the switching network of the driving circuit, this circuit can reduce the switching noise and improve the output precision.The chip test results show that the driving voltage can swing from 0 to VDD, and its resolution could be close to 256 with a pixel area of only 65 × 65 μm2.