双底栅双壁碳纳米管场效应晶体管的构建和特性研究

构建了以双壁碳纳米管为导电通道、Al2O3和SiO2为绝缘层、Al和Si为栅极、Pd为源和漏电极的双底栅场效应晶体管,测量了晶体管的特性。观测到了双壁碳纳米管的三种典型的输运特性;观测到了两个底栅分别的调制作用;发现两个底栅的调制作用存在着显著的相互影响,使得场效应晶体管的特性明显不同于单栅器件,具备了逻辑“与”门的基本功能;利用能带图分析了双底栅器件的特性。     

碳纳米管场效应晶体管的研究进展

介绍了利用纳米材料和技术代替传统的硅(Si)材料,研制电子功能元器件的重要性和急迫性.着重介绍了用纳米碳管研制场效应晶体管(FET)这一重要的电子元件的进展情况及几种常见的碳纳米管FET.分析了现有的碳纳米管FET实用化的困难和存在的问题,并展望了碳纳米管FET的应用前景.     

并三苯场效应晶体管的研制

采用有机半导体材料并三苯作为有源层,环氧树脂作为绝缘介质,通过旋涂和真空掩蔽蒸发的方法,成功研制出了倒转结构的有机场效应晶体管.经测试器件的电子迁移率为5.76×10-2cm2/V·s,跨导为0.96μS.显示出该器件具有良好的输出特性曲线.     

并五苯场效应晶体管的研制

以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm^2/Vs，开关电流比＞10^6。     

ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功填补国内空白

据媒体报道,中科院微电子所依靠独立开发的全新技术,近日成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米     

三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性

采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜（TEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）以及X射线衍射仪（XRD）研究了纳米的形貌结构特征。结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴。结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件。初步测试表明,这种硒纳米线为p型半导体。     

离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展

以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用.综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能的方向发展.     

内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究

研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的Ⅰ-Ⅴ特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响。在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象。这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释。这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器。     

GaAs—InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ初底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃ ｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｇ／ｍｍ，可满足与长波长光这器件进行单片集成的需要。     

科学家制备出二维黑磷场效应晶体管

正近日,记者从中国科学技术大学获悉,该校微尺度物质科学国家实验室教授陈仙辉课题组与复旦大学教授张远波、封东来和吴骅课题组合作,制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。研究成果近日在线发表在《自然纳米科技》杂志上。     

High-on/off-ratio graphene nanoconstriction field-effect transistor

A method is reported to pattern monolayer graphene nanoconstriction field-effect transistors (NCFETs) with critical dimensions below 10 nm. NCFET fabrication is enabled by the use of feedback-controlled electromigration (FCE) to form a constriction in a gold etch mask that is first patterned using conventional lithographic techniques. The use of FCE allows the etch mask to be patterned on size scales below the limit of conventional nanolithography. The opening of a confinement-induced energy gap is observed as the NCFET width is reduced, as evidenced by a sharp increase in the NCFET on/off ratio. The on/off ratios obtained with this procedure can be larger than 1000 at room temperature for the narrowest devices; this is the first report of such large room-temperature on/off ratios for patterned graphene FETs.     

Electrical probing of submicroliter liquid using graphene strip transistors built on a nanopipette

Graphene sheets made by chemical vapor deposition are transferred onto a glass nanopipette to form graphene strips. Two strips are connected at the nanopipette tip end to form a transistor channel. This graphene-based transistor can be operated in a liquid-gating condition, thereby allowing the electrical detection of the pH value of a droplet with submicroliter volume.