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《半导体光电》1985,(4)
第一期1.夜视技术的现状与发展前景·············,·……12.国外光纤陀螺的研制现状·····,,···········……233.光纤通信研究的新动力一独特前景······……284.制作在半绝缘InP上的1.51拼m波长三沟隐埋月 牙形InGaAsP激光器·····················……375.重掺zn表面发射InGaAsp/InpDHLED的Gb/ s调制····································,·...……396.具有同轴横向结(CTJ)的新型激光器和发光 管结构···············… 相似文献
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《半导体光电》1980,(4)
工作总结期页1 11只︺月任q山n甘丹J qJ J4佗O,土八乙nOJ任J毛一﹄八匕内七J‘止月.一11司.11上1 1..一1上,自甲了八Q甲‘﹄日八00口0自八舀月任dJS只曰口口1.GaAs一GaAIAs DH发光二极管的讨论2.GaAs一GaAIAs单异质结发光二极管3.GaAs红外发光二极管的退化规律和机理4.高效快速硅雪崩光电二极管石.硅PIN光电探测器6.In二Gal一二As气相外延的组份缓变控制7。硅PIN光电二极管零偏压下使用的性能测试8.光纤与DH LED PIN APD的藕合’19.谈谈510:的浮选10.汽相生长znse晶体的提拉效应11,原子吸收分光光度法测量GaAs中痕量 cu… 相似文献
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《半导体光电》1984,(4)
第五卷第一期页 CCD1.CCD高倩度尺寸测量实验(12.高速高分辨率CCD线阵摄象器件 (6 材料17.集成光电子器广{ 光纤通讯18.}}!一55件m脊形波分C3激光器f自一01 公里IGbit/S单模光纤传输实验 (83 光发射舒件3,光纤拙合高频发光二极管(124.CaAs一AIGaAs DH激光器的 镜面保护(205.键合材料对GaAs/GsAIAs双异 质结激光器和发光管串联电阻 和热阻的影响(246.深Zn扩散GaAs/(GaAIAs)沟 道衬底激乡七器(s-7.隐埋月牙形InGaAsP/InP(1.3p.m) 激光器的退化问题及改进结构(348.1.3件m和1.55林m半导体激光器俄 歇速率及朋值与温度依赖关系(3… 相似文献
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《半导体光电》1983,(4)
会议专扭n冲1q臼nJ,曰八j11 11 一期1 s8UoAGaAIAs/GaAs氧r匕物条 型激光器的脉冲功率特性2.台阶异质结构大光腔AIGaAs激 光器:新型大功率l林模i至续工作 激光器3.大功率相控阵列激光器4.乓效率朴!大功率AIGaAs,/GaAs 激光器石.基于热失控模型的DH激光器的 CW面损伤功率6.半导体激光器的纵模竟争分t).7.Al二Ga:一二As注入式激光器的纵 模自稳定8.激光二极管特性分析9.短波长和长波长V型槽激光器的 光谱特性10.增益导引和折射率导引的(Ga八l) As激光器的相干特性11.用MOCVD制作极窄的改进型单 量子阱激光器12.波长680 nm的室温… 相似文献
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《半导体光电》1982,(4)
1015丹0 j.l,几,‘25,用扫描电镜测量P一P一硅薄层 外延层的厚度326.In:一二GaxAs,P:一,/Inp异质结rviJ 可控重复液相外延生长427.CdPZ的合成和Cd在InpL卜的扩散428.510单层减反射膜的监控和应用429.小光点扫描在半导体光电二极管 研制过程中的应用430.用扫描电子显微镜研究半导体激 光器中的缺陷431.大面积洁净室4 缘述32.从第七届iEEE国际半导体激光 学术会议皆国夕卜半导体激光器的 发展233.激光全息光刻技术23J.国外1.3卜m长波长发光二极管的 研制动态335.国外可见光半导体激光器发展趋 势336·l一v族化合物长波长光电探神 器结… 相似文献
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