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1.
本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上,实现了结构设计和工艺选择,采用多晶硅发射极技术,研制成功了77K下高增益(HFE可达250)硅双极晶体管;采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术,获得了可与CMOS结构兼容,基区电阻较小的硅低温双极晶体管。 相似文献
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为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。 相似文献
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本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下载流子冻析效应和浅能能补偿杂质隐阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型,对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与300K和77K下的实测结果进行了比较。 相似文献
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本文考虑了基区复合电流,发射结空间电荷区复合电流,基区高注入引起的禁带变窄效应,Early效应,基区和发射区电导调制效应,有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应,定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在77K和300K时与集电极电流的关系,并且与实验结果相吻合,计算还表明在低温77K时,电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定,而在300K时则由有效基区展宽效应决定。 相似文献
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着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应,导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式,很好地解释了实验结果。 相似文献
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从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基区展宽效应的温度关系。 相似文献
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对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究,认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出,低温下硅双极晶体管1/f噪声的增大,是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计,做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明,在室温(300K)下,电流增益、低频转折频率、1kHz点的噪声电压分别为β≥800,fL≤30Hz,En 相似文献
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多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上.本文由基区电子电流密度Jn和发射区空穴电流密度Jp出发,根据实际掺杂情况中的近似高斯分布,分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响,指出引用这一近似在常温下偏差较小,在低温下则会出现较大的误差.在此基础上,对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正.结果表明,修正后的模型与PISCES模拟结果取得了较好的吻合. 相似文献
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对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究,认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出,低温下硅双极晶体管1/f噪声的增大,是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计,做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明,在室温(300K)下,电流增益、低频转折频率、1kHz点的噪声电压分别为β≥800,f_L≤30Hz,En(1kHz)≤1.5nV/ ;低温(77K)下,电流增益、低频转折频率、1kHz点的噪声电压分别为β≥30,f_L≤300Hz,En(1kHz)≤1.2nV/。 相似文献
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描述了共发射极电流增益接近25000的硅双极晶体管,这个值被认为是曾报导过的双极器件电流增益的最大值。以一个隧道贯穿金属二薄绝缘体一半导体(MIS)接触连同一个浅注入基区为基础的异质结发射极结构是获得这种改进性能的主要原因。该结果的意义在于:它证明了在发射极的注入效率和可以导致在应用范围内改进硅双极晶体管性能的基区特性控制这两方面的优点。 相似文献
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对硅双极晶体管低频噪声的本征与非本征两种分量进行了系统的理论分析,并研究了各自的温度特性,在此基础上,设计并研制出一种多晶硅发射极低温低频低噪声晶体管,其等效输入噪声电压。 相似文献
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多晶硅发射极晶体管直流特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了EB击穿和CB击穿.电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件. 相似文献
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研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能的进行比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了EB击穿和CB击穿,电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。 相似文献
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本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系,计算结果与实验相吻合.结果表明在77K时,电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定,而在300K时则由有效基区展宽效应决定,特征频率在300K时主要由基区渡越时间决定,而在77K时,由于发射区禁带变窄效应非常明显,以至于发射区少于存贮时间可能成为主要因素.低温下特征频率蜕变的主要原因是禁带变窄效应,而不是低温浅能级杂质陷阱效应. 相似文献
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本文了基区复合电流,发射结空间电荷区复合电流,基区高主入引起的禁带变窄效应,Early效应,基区和发射区电导调制效应,有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应,定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在77K和300k时与集电极电流的关系,并且与实验结果相吻合。 相似文献