阳极氧化铝薄膜多层布线基板技术

本文介绍了一种制作多层布线基析的新技术－－选择性阳极氧化技术，用这种新技术，把非导体型区域的铝膜转变成隔离导带和通柱的绝缘氧化铝膜。在绝缘基板或者铝基光板上，形成多层布线结构。分析和阐述了这种多层布线基板的平面化结构特性、高导热特性、材料电特性及独特的封装形式，这种多层布线基板的平面化特性，使导体互连具有高密度和高可靠性优点，以铝基板为载体作为封装的一部分，充分体现了这种封装具有良好的电特性和热特     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。     

双面铝基印刷板的制造

夹心铝基双面印制板 1）根据工程设计，选择好合适的铝板型号、厚度、下料。 2）铝板钻孔。钻孔位置同成品铝基双面板的元件孔，其孔径必须比第二次钻孔的孔径大一些（≥0．3～0．4mm）。 3）铝板作阳极氧化处理，使铝基板表面覆盖一层均匀的绝缘的无色氧化膜，膜厚度应大于10um。[第一段]     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

半导体与微电子技术

9909044一种新型 MCM 基板:阳极氧化多层基板[刊]/刘彤//电子元件与材料.—1999,18(1).—15～17(C)采用电化学方法,对基板上的 A1膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如MCM-C、MCM-D 比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。参7     

三维MCM-C／A组件技术研究

本文研究了采用LTCC多层布线与铝阳极氧化多层布线工艺相结合的方法制作出三维高密度MCM组件（3D—MCM—C／A）。阐述了3D—MCM—C／A组件的结构,研究分析了LTCC基板与铝阳极氧化工艺之间的兼容性问题。通过LTCC工艺和LTCC基板抛光清洗工艺的控制以及过渡Ta层的设计解决了两者之间的兼容问题;采用LTCC隔板的方式实现组件的垂直互连。在LTCC基板表面采用薄膜淀积的方法以及特殊的“双刻蚀法”制作焊接区,满足了表面器件及垂直互连的焊接,实现了四层2D—MCM—C／A垂直互连。。     

一种新型MCM基板——阳极氧化多层基板

采用电化学方法,对基板上的Ａｌ膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如ＭＣＭ－Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。     

具有特殊功能的覆铜板

这里所指的特殊功能的覆铜板，主要是指：金属基（芯）覆铜板、陶瓷基覆铜板、高介电常数板、埋置无源元件型多层板用覆铜板（或基板材料）、光一电线路基板用覆铜板等。开发、生产这一类覆铜板，不但是电子信息产品新技术发展的需要，而且还是发展我国宇航、军工的需要。     

阳极氧化工艺研制的多路转换器

本文介绍了多路转换器的工作原理，电路框图及采用的新工艺-阳极氧化多层基板技术。通过介绍该电路的研制过程中解决的问题，阐述了阳极氧化工艺的特点及采用此种工艺研制电路应注意的事项。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

激光雕刻氧化层的铝基板制作方法

随着LED产品大量使用,电子元器件对基板的散热要求越来越高,使得铝基板得到广泛应用。一部分客户要求铝基板的铝面需印制字符,而目前行业中主要采用的丝印方式,存在字符不清、表面自然氧化、耐蚀性差等缺陷,不能形成有效的防护层,最终会导致掉色失效。本文所述方法通过铝面的阳极氧化着色,然后进行激光雕刻形成黑底白字,解决了字符模糊、耐蚀性差等问题,同时可避免铝板表面进一步氧化。     

功率HIC基板及其工艺布局设计研究

基板选用和工艺布局是功率混合集成电路两项重要技术内容。根据基板材料不同，功率基板及其布线工艺主要分为陶瓷基板和金属基板两大类。常规陶瓷基板以96％Al2O3陶瓷为代表，高导热陶瓷基板以BeO、AIN陶瓷为代表。陶瓷功率基板大部分采用厚膜布线工艺，另一种布线方式是DBC布线。绝缘金属基板的种类很多，最常使用的是铝基板，另...     

高耐热型铝基覆铜板

该文分析了高耐热铝基覆铜板的研制思路,阐述了高耐热铝基覆铜板制作过程及其性能特点。     

选择性穿透阳极氧化工艺的三维铝封装技术研究

针对微系统高可靠集成需求,提出了一种三维铝封装集成微系统多功能器件的结构和方法。通过铝基板选择性穿透阳极氧化试验、低应力低空洞灌封试验和激光侧边电路刻蚀试验,实现了32 G固态存储器集成。研究结果表明,通过致密性氧化可实现内埋布线氧化终点的控制,采用阶梯式固化可降低灌封应力,优化的激光参数可获得侧边电路互连。首批试制固态存储器读写性成品率达73%,与同类3D-plus存储器相比,体积减少约55%,质量减轻约40%。     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

电子调谐器用LC组合型高通滤波器

LC组合型HPF3820高通滤波器用被银云母片作电容,高强度漆包线单层绕制电感,单面敷铜板作线路基板。具有来料方便、制作简易等特点。性能达到国外同类产品水平。     

高性能覆铜板

这里所指的高性能覆铜板，包括低介电常数覆铜板、高频高速PCB用覆铜板、高耐热性覆铜板、积层法多层板用各种基板材料（涂树脂铜箔、构成积层法多层板绝缘层的有机树脂薄膜、玻璃纤维增强或其它有机纤维增强的半固化片等）。从这以后几年间（至2010年），在开发这一类高性能覆铜板方面，根据预测未来电子安装技术的发展情况，应该达到相应的性能指标值。     

阳极氧化铝基板封装LED的结温与热阻的研究

采用阳极氧化法制备了氧化铝薄膜铝基板,并将3种功率(1W、3W、5W)的3种颜色(红、蓝、绿)的9种LED分别封装在所制备的铝基板和深圳光恒光电公司的铝基板上,利用正向压降法测试了其结温和热阻,发现:在LED颜色和功率相同的情况下,自制阳极氧化铝基板封装的LED的结温比封装在光恒铝基板上的低2.8～19.4℃,热阻低1.8～9.0K/W,表明自制铝基板的散热性能更优。     

无机导热粒子对铝基板导热性能的影响

随着电子信息产业的高速发展,对铝基板覆铜板导热性能的要求也越来越高,提升铝基板覆铜板导热率的关键在于提高绝缘层的导热率,绝缘层以环氧树脂为基体材料,填充的无机导热粒子间通过相互接触形成三维导热网络通路,从而提升铝基覆铜板的导热性能。实验结果表明,当基体材料与主要填充的三种无机陶瓷导热粒子的比例达到ＥＰ∶ＢＮ∶ＡｌＮ∶Ａｌ２Ｏ３＝ 1.9∶1∶3∶6时,绝缘层的导热系数最终可以达到2.8Ｗ/ (ｍ·Ｋ)。