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膜处理技术被誉为"世界范围内的水处理技术"。膜处理过程中约80%的膜为无机陶瓷膜。无机陶瓷膜因其具有化学稳定性好、机械强度大、耐酸碱、耐高温等优点,在复杂水体处理中具有显著技术优势。陶瓷膜层的制备方法主要有水热法、颗粒浸涂法、化学气相沉积法、模板合成法、溶胶-凝胶法等。溶胶-凝胶法制备陶瓷膜是国外研究最多的一种重要方法。对陶瓷膜和溶胶-凝胶法的概念、原理等进行介绍和阐述,在此基础上系统归纳了采用溶胶-凝胶法制备二氧化硅陶瓷膜、三氧化二铝陶瓷膜和三氧化二铝-二氧化硅复合陶瓷膜的研究进展、应用领域及存在问题,最后展望了陶瓷膜发展趋势。 相似文献
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在硅酸钠、钨酸钠、硼酸、偏铝酸钠和乙二胺四乙酸二钠的复合电解液中,利用微弧氧化方法,在ZL102铸造铝合金上制备了陶瓷膜层。结果表明:脉冲电源获得的氧化膜表面由熔化凝固后的氧化物颗粒组成,颗粒呈不规则球形,周围有明显的熔化痕迹,表面粗糙凹凸不平且不均匀。通过对陶瓷膜层能谱分析,膜层中出现了Al、Si、Na、O、W元素。 相似文献
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《中国陶瓷》2016,(12)
分别以CaO-B_2O_3-SiO_2、ZnO-B_2O_3-SiO_2、MgO-B_2O_3-SiO_2系统作为研究对象,并添加适量的辅助添加剂,用溶胶凝胶法制备低温烧结无机陶瓷膜。在含有5%左右吸水率的95氧化铝瓷柱上,溶胶浓稀交替、浸渍提拉法多次覆膜,480℃条件下进行埋烧热处理。结果表明:辅助添加剂的加入,防止了膜层开裂,降低了膜层的烧结温度。经埋烧方式热处理的膜层比裸烧平整且完整。MgO-B_2O_3-SiO_2+A系统膜体颗粒在460℃时大部分呈现非晶态形貌,经过480℃热处理后,95氧化铝瓷柱试样上的无机陶瓷膜已完全烧结,试样的吸水率降到0.1%。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备BaPbO3导电陶瓷膜及其导电性能 总被引:4,自引:2,他引:4
以可溶性无机盐为原料,乙二胺四乙酸、柠檬酸和酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶技术,在Al2O3衬底上制备了导电性能优良的钙钛矿结构BaPbO3(BPO)导电薄膜.利用X射线衍射和扫描电镜测试分析了热处理工艺对薄膜微结构的影响,用四探针法测定了薄膜方阻.结果表明:升高热处理温度和增加热处理次数的工艺会导致薄膜中Pb/Ba摩尔比降低和膜厚下降,从而使BPO薄膜方阻升高,薄膜导电性能下降.尤其是在膜层较薄的情况下,这种影响更加显著.采用在670℃保温10min的单次热处理方法,获得了方阻为4.65Ω/□的单一钙钛矿结构BPO相导电陶瓷薄膜. 相似文献
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使用紫外光辅助溶胶 -凝胶的光化学工艺,在微弧氧化的铝合金纤维表面涂敷一层封孔层,封孔层能够有效地将多孔的微弧氧化膜封闭,显著提高铝合金纤维的耐腐蚀性能。对微弧氧化后和封孔后的铝合金纤维进行电化学分析,结果显示,封孔后铝合金纤维的腐蚀电位从 -0.651 V正移至 -0.368V。腐蚀电流密度 Icorr从 6.02×10-6 A/cm2降低到 9.58×10-10 A/cm2,极化电阻 Rp从 5.4×103 Ω·cm2增加到 4.5× 104Ω·cm2,紫外光处理过的封孔膜层的腐蚀速率显著降低,铝合金纤维的耐腐蚀性能显著提高。 相似文献
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在硅酸钠、钨酸钠、硼酸、偏铝酸钠和乙二胺四乙酸二钠的复合电解液中,分别采用交流电源和脉冲电源,利用微弧氧化方法,在ZL102铸造铝合金上制备了陶瓷膜层。通过扫描电镜(SEM)观察,交流电源模式制备的陶瓷膜层表面孔洞少,比用脉冲电源制备的陶瓷膜形貌好。利用电化学方法分析了陶瓷层的防腐蚀性能,交流电源制备的陶瓷膜层耐腐蚀性能好。 相似文献
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以Ti6Al4V钛合金为基体材料,通过微弧氧化方法在电解液中制备多孔氧化锆和羟基磷灰石复合医用钛合金陶瓷膜层.利用能谱分析仪、扫描电镜和X-射线衍射仪分析膜层结构及相组成特点.对试样断裂韧性进行测量试验,通过测试结果对膜层断裂韧性进行了分析研究.探究了氧化锆对于钛合金羟基磷灰石膜层的增韧机制,并建立了适于多孔微裂纹膜层材料断裂韧性数学模型.结果表明,ZrO2/羟基磷灰石医用钛合金复合陶瓷膜层比单一的羟基磷灰石陶瓷膜层具有更好的断裂韧性. 相似文献
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《中国陶瓷》2016,(9)
以无水四氯化锆为前驱体,无水乙醇为氧供体,金属钇粉为晶型稳定剂,采用非水溶胶-凝胶法制备氧化锆溶胶;并且通过浸渍提拉法在经过预处理的氧化铝基陶瓷基片上制备氧化锆陶瓷薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、差热分析TG-DSC、扫描电镜(SEM)以及傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)等测试手段对实验的反应机制进行了结构和机理表征。研究结果表明:通过非水溶胶-凝胶法使得无水四氯化锆和无水乙醇反应生成锆醇盐,随着反应进行生成=Y-O-Zr≡键合并形成凝胶,然后通过低温合成四方晶型氧化锆。通过800℃,保温30 min制备出陶瓷膜孔径分布窄,孔径为50 nm左右,膜厚度为20μm,晶体发育完整,氧化锆晶体尺寸为80~120 nm左右,膜孔隙率达到25%左右。 相似文献