晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

晶体硅太阳电池工艺技术新进展

晶体硅太阳电池是目前技术最成熟、应用最广泛的太阳电池.以晶体硅太阳电池的生产流程为基础,主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果,并对各种制备工艺进行了评价.     

几种高效率晶体硅太阳能电池性能分析

综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状,分析了几种高效率晶体硅太阳能电池的结构、制备流程、优越性以及性能等,这些高效率电池包括激光刻槽埋栅电池、PESC、PERC和PERL电池,以及最新型太阳能电池——金属贯穿孔电池,最后讨论了高效率太阳能电池存在的问题,展望了今后太阳能电池的发展趋势。     

俄开发出用非晶态硅代替晶体硅制造太阳能电池工艺

俄罗斯名的克尔德什研究中心开发出可用于火星探测的新型太阳能电池，并研制出使用廉价的惰性气体氪或氩作燃料的探测器发动机，可使火星探测的成本减少80％。     

利用合金低温生长晶体硅的研究进展

基于光伏行业对低成本晶体硅材料的巨大需求,晶体硅低温生长技术逐渐受到人们的青睐。该技术是在低温下将硅与低熔点金属进行共熔化处理,结合液相外延、合金定向凝固等技术生长、制备晶体硅。首先阐述了晶体硅低温制备原理,并对其生长行为、受控因素和应用现状进行综述,指出了目前各自存在的问题与难点,最后对下一阶段晶体硅生长技术的研究重点和发展前景进行了展望。     

地面用晶体硅光伏组件的环境适应性评价

光伏组件作为光伏电站的关键设备,其可靠性与耐久性直接影响着光伏电站的运行安全和收益率。我国幅员辽阔,全国各地气候差异较大,而目前地面用晶体硅光伏组件检测认证所采用的国家标准,等同采用IEC相关标准,只规定了一般室外气候条件下组件性能的最低要求,并不能覆盖我国的光伏电站安装区域的多种气候类型。因此,我国光伏产业近期发展的一个比较迫切的实际需求,是根据我国的各种气候特点,编制温度、湿度、高辐照度、盐     

晶体硅电池产业化高效技术分析

毫无疑问,硅电池是促进光伏产业前进的中坚力量。而太阳电池组件中,大约80%的电力都来源于晶体硅组件。第一个晶体硅电池出现在1954年,恰宾和卡尔松等人在贝尔实验室用表面抛光的硅片制作PN结,然后分别在两侧蒸镀上金属电极,就制成了光伏转换效率达6%的世界上第一块实用性硅太阳电池,成为现代硅太阳电池时代的开始。经过几十年的发展,晶体硅太阳电池经历了几个快速发展期,效率得到不断攀升,从最初的8%提升至目前的25%(实验室效率),正如图1所示。很多实验室技术在经过多年开发后走向了产业,带动了很多新型产业化高效电池的出现,这些电池的产业化平均效率分别达到了18%(美国Innovalight公司的硅墨水技     

多晶硅铸锭新工艺的研究

多晶硅定向凝固铸锭技术是多晶硅太阳能电池生产的关键技术之一。本文提出多晶硅铸锭新技术-（SRS）法,与传统工艺相比,SRS工艺提纯效果更明显,硅锭中间部分杂质含量更低,硅锭的少子寿命和电阻率更高且分布均匀,大大提高了硅料从硅锭到硅片的利用率。     

晶体硅太阳电池的电化学沉积金属化技术研究进展

传统丝网印刷作为晶体硅太阳电池的栅极金属化工艺,在现今发展成本低、效率高的太阳电池背景下仍存在很多不足,如金属银价格高,阴影损失大等。近些年,通过电化学沉积过程来实现晶体硅太阳电池片表面金属化被广泛报道。该技术可以在电池片的正反面进行快速的选择性沉积,提高栅极与衬底的结合力的同时也降低了电阻率,并且利用铜替代银,大大降低了太阳电池的成本。本文总结了电化学沉积法制备晶体硅太阳电池片栅极的研究现状和发展趋势,同时介绍了未来该项技术在推广和应用中存在的机遇与挑战。     

准单晶硅铸锭技术的成本分析

随着常规能源的日益枯竭,环境问题的不断加剧,世界各国对可再生能源进行了大量的研究,并把大力发展新能源和可再生能源作为重振经济的重要途径。其中,太阳能光伏以其环保、高储量、安全及潜在的经济陛而成为大家所关注的焦点,成为取代传统石化能源,支持人类可持续发展的主要技术。     

碳化硅晶片的制备技术

论述了碳化硅晶片作为补强增韧材料的优点，阐述了其制备机理和国内外的各种制备技术以及碳化硅晶片的提纯方法，并对碳化硅晶片的研究重点和发展趋势作了简要的评述。     

n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估

n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池.结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决p型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题.最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景.     

利用晶硅切割废砂浆制备SiC粉体

以光伏产业晶硅切割废砂浆为主要原料,通过真空碳化法制备了 SiC 粉末。在通过物理和化学方法测定废砂浆组分含量的基础上,确定了初始原料 Si/C 配比。随后,利用 XRD 和 SEM 分别研究了真空热处理温度、无机碳源种类等对所制备粉末的物相和组织的影响,产物粉末的粒径分布范围通过激光粒度仪测试。研究表明,在900~1100℃温度范围,随着反应温度的升高,硅粉与活性炭的碳化反应越来越完全,并在1100℃完全生成了 SiC 粉末。继续升温,X 射线衍射峰的强度逐渐升高,SiC 产物粉末的粒度越来越大。此外,不同碳源在相同条件的碳化反应结果表明,活性炭作为碳源比石墨效果更佳。     

Te-Bi玻璃对晶体硅太阳能电池正银电极性能的影响

正银浆料是晶体硅太阳能电池金属化的关键材料, 环保型浆料是正银电极的主要发展方向之一。通过正交实验方法, 研究了不同配方和组分的Te-Bi玻璃对正银电极性能的影响。用TGA-DSC分析了Te-Bi玻璃和正银浆料的热处理特性, 用SEM分析了Ag-Si界面处银微晶的分布和大小, 利用隧道电流模型分析了玻璃对正银电极性能的影响规律。结果表明: TeO₂含量45wt%, Bi₂O₃含量36wt%的Z7玻璃, 其T_g为379.07℃, 对应的正银浆料在612.8℃出现吸热反应, 同时发生失重(-0.16%), 制作的多晶硅电池效率达到16.87%, 电极的附着力达到4.35 N。     

硅纳米管的理论及制备研究进展

硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景.综述了近年来硅纳米管在储氢能力、热稳定性、量子限制行为及力学性能等理论方面的研究成果,以及采用水热法、模板法、电化学溶液沉积过程、化学气相沉积法、热蒸发、电弧法及激光烧蚀等方法制备单晶、多晶及非晶硅纳米管的最新研究进展,并提出了硅纳米管可能的研究方向.     

晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展

晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注。综合评述了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展,介绍了硼氧缺陷、铁硼对以及铜相关的缺陷导致光衰减的基本机制,着重阐述了硼氧缺陷的产生率、钝化率以及相应的激活能大小与硼氧含量的关系。最后介绍了减弱或避免光衰减的一些措施。