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三元金属氮化物薄膜是一类在电子、铁磁等领域具有广阔应用前景的新材料,主要有立方金属(反)钙钛矿和立方η碳化物(η-carbide)两种结构类型,由于其卓越的性能如高硬度、超导性、催化性以及各种不同的磁学性能而引起人们广泛的研究。本文主要介绍了三元氮化物结构特性以及溶胶-凝胶法(Sol-gel)在这些氮化物制备方面的应用,阐述并分析了溶胶-凝胶法的优缺点;简述了溶胶-凝胶法制备其他三元金属氮化物薄膜(如铁磁薄膜)的应用;最后指出了溶胶-凝胶法目前存在的一些问题。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在FTO玻璃上制备TiO2介孔薄膜,重点研究了悬涂次数对薄膜的厚度及孔径大小的影响。对所制备的TiO2介孔薄膜进行X射线衍射分析,结果表明结晶度好,为锐钛矿结构;扫描电子显微镜研究结果表明,介孔的大小均匀且分布均匀;对不同厚度的介孔薄膜进行光学性能研究,及光电转化效率研究,结果发现,随着薄膜厚度的增加,吸光性逐渐增强,但是光电转化效率表现出先增加后减小的趋势。 相似文献
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Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与CIGS相似的结构,其直接带隙宽度为1.45~1.6eV,吸收系数则高于104cm-1,构成元素丰富且无毒,因此其作为一种P型半导体材料,被认为是最有希望替代CIGS的材料之一。以去离子水和无水乙醇作为溶剂,采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在玻璃基底上制得了CZTS薄膜,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜和紫外可见光谱对样品进行了表征,并讨论了烘焙温度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明当热处理温度达到200℃时得到了黑色的CZTS薄膜,其禁带宽度为1.45eV,经过EDS分析制得的薄膜的元素比Cu∶Zn∶Sn∶S接近2∶1∶1∶4,这与CZTS的理论值是一致的,但是薄膜中存在少量的氯元素,同时适当降低前期的烘焙温度可以提高薄膜的致密性。 相似文献
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溶胶-凝胶提拉法制备ZnO薄膜及其性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴择优取向生长.透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3.28eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30eV基本相同.用荧光光谱分析了经过400~600℃热处理获得的ZnO薄膜,结果表明ZnO薄膜在室温下可获得较强的紫外带边发射.适当选择热处理温度可以获得无可见波段发射的ZnO薄膜. 相似文献
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本文分别以柠檬酸、草酸和EDTA为络合剂采用溶胶凝胶法制备了稀土钙钛矿型锰氧化物LaMnO_3。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、拉曼光谱仪(FIIR-Raman)和傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)对样品进行了表征。结果表明在700℃焙烧温度下均可制备出单相钙钛矿结构的LaMnO_3;以柠檬酸为络合剂制备的产物的晶粒大小及其分布比草酸和EDTA的要更均匀;升高焙烧温度或使用不同的络合剂会使钙钛矿结构从立方相转变为菱方相。 相似文献
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溶胶—凝胶方法制备铁电薄膜及其力学性质的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
本文介绍用溶胶-凝胶方法制备钛酸铅镧(PLT)铁电膜,采用划痕法测定PLT膜在Si基片上的附着力,并通过x射线衍射(XRD)测定在各种工艺条件下PLT薄膜的晶格畸变,并计算内应力。实验表明溶胶-凝胶方法的工艺因素对薄膜的力学性质有很大影响。通过控制溶液浓度,热处理温度及薄膜的厚度可得到附着力强,内应力小,品格畸变小的优质膜。 相似文献
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溶胶—凝胶法光功能材料研究进展 总被引:13,自引:1,他引:13
本文对sol-gel法制备光功能材料及其材料的特性进行了介绍,对有机染料和无机分子掺杂子sol-gel基质中的激光性质,发光性质,光致变色现象及量子尺寸效应等进行了综述,并预测了sol-gel法制备光功能材料的发展趋势。 相似文献
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