闭空间升华法制备CdTe薄膜

用闭空间升华法制备 Cd Te薄膜。研究了衬底材料、基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在 4 0 0℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的 Cd S薄膜上生长的 Cd Te薄膜晶粒较大 ,尺寸均匀。在 Cd Te膜面涂敷 Cd Cl2 甲醇溶液 ,可促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。     

闭空间升华法制备CdTa薄膜

用闭空间升华法制备CdTe薄膜。研究了衬底材料，基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的CdS薄膜生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液，呵促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。     

化学池沉积法制备CdS多晶薄膜及其性质

采用化学池沉积（CBD）法，在3种不同衬底（玻片、ITO玻片、SnO2玻片）上沉积制备CdS多晶蒲膜，并利用扫描电镜（SEM）、透射光谱、X射线衍射（XRD）和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析，算出了CdS多晶蒲膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea，研究了CBD法中CdS多晶蒲膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响。结果表明：不同衬底的成膜效果差异较大，其中以SnO2玻片为衬底的沉积效果最佳。     

温场均匀性对CdTe薄膜及太阳电池性能的影响

采用近空间升华法(CSS)制备CdTe多晶薄膜,模拟制备过程中的温场变化,结合,I-V、C-V特性及深能级瞬态谱研究温场均匀性对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,温场分布和薄膜厚度分布基本一致,温场均匀性对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.通过改进温场的均匀性能够制备出组件转换效率为8.2%的CdS/CdTe太阳电池.     

硝酸-冰乙酸腐蚀对CdTe太阳电池性能的影响

在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能。采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接触层,制备CdTe太阳电池。结果表明,化学腐蚀后在膜面生成了富碲层,硝酸-冰乙酸腐蚀为各向同性刻蚀。对背接触层进行优化退火处理,获得转化效率11.75%的CdTe太阳电池。     

低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池。在85 Pa的低压下以及400～667 Pa的高压下,改变Si H4浓度和辉光功率等沉积参数,对本征a-Si材料的性能进行优化。结果表明,在高压下,合适的Si H4浓度和压力功率比可以使a-Si材料的光电特性得到优化,并且薄膜的沉积速率得到一定程度的提高。采用低压低速和高压高速的沉积条件,在125℃的低温条件下制备出效率为6.7%的单结a-Si电池,高压下本征层a-Si材料的沉积速率由0.06～0.08 nm/s提高到0.17～0.19 nm/s。     

柔性基底上电沉积法制备铜铟硒太阳电池薄膜

采用简单的二电极系统,以大面积的铂网为阳极,钼或不锈钢薄片为阴极,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电沉积液,利用一步电沉积技术在不锈钢薄片柔性基底上电沉积制备铜铟硒(CIS)薄膜前驱体,该前驱体经热处理后得到具有黄铜矿型晶体结构CIS薄膜.采用XRD、SEM和EDAX等对制备的CIS薄膜进行了表征,结果表明所制备CIS多晶薄膜物相纯净、晶型发育好,表面无裂纹,晶粒均匀.     

柔性铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池的研究进展

详述了柔性铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池的基本结构、器件组装与封装方式、低温沉积和Na掺杂等关键技术、实验室研究和产业化进展以及柔性基板的选材要求和分类等,分析了其研究开发面临的挑战,展望了柔性CIGS薄膜太阳电池的发展趋势。     

掺Na制备柔性聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池

研究了Na掺入对低温沉积柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的结构和电学特性影响。研究结果表明:Na元素的掺入使Ga元素的扩散受到了阻滞,但对CIGS薄膜晶粒尺寸没有明显的影响,少量的Na可提高CIGS薄膜的载流子浓度和降低电阻率;Na的掺入可明显提高CIGS薄膜太阳电池的器件特性,通过优化掺Na工艺,制备的柔性PI衬底—CIGS薄膜太阳电池的最高转换效率达到10.4%。     

ZnxCd(1-x)S薄膜的制备及其光电性质的研究

用化学池沉积法制备了不同锌含量的 Znx Cd( 1 -x) S薄膜 ,并阐述了不同锌含量对薄膜性能的影响及其原因。通过 X射线衍射、扫描电镜、光谱透过率等测试方法表明 ,在 0 .4相似文献   

Preparation and Properties of CdTe Polycrystalline Films for Solar Cells

The structure and characteristics of CdTe thin filrns are closely dependent on the whole deposition process in close-space sublimation （CSS）. The physical mechanism of CSS was analyzed aud the temperature distribution in CSS system was measured, and the influences of the increasing-temperature process and pressure on the preliminary nucleus creation were studied. The resuits indicate ： tire samples deposited at different pressures hare a cubical structure of CdTe and the diffraction peaks of CdS and SnO2 ： F. As the atmosphere pressure increases, the crystal size of CdTe decreases, the rate of the transparency of the thin film decreases and the absorption side moves towards the short-wave direction. After a 4-minute depositing process with a substrate teraw.rature of 500℃ and a source temperature of 620 ℃, the polycostallinc thin films can be mmade , so the production of high-quality integrated cell with StrO2： F/ CdS/ CdTe/ Au structure is hopeful.     

Electrodeposition and Characterization of CuInSe_2 Thin Films for Solar Cells

CuInSe2 (CIS) thin films were prepared by electrodeposition from the de-ionized water solution consisting of CuCl2, InCl3, H2SeO3 and Na-citrate onto Mo/soda-lime glass (SLG) substrates. A thermal processing in Se atmosphere at 450 ℃ was carried out for the electrodepositied films to improve the stoichiometry. The composition and morphology of selenized CIS thin films were studied using energy dispersive spectroscopy (EDS) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. X-ray diffraction (XRD) studies show that the annealing in Se atmosphere at 450 ℃ promotes the structural formation of CIS chalcopyrite structure.     

在多晶银基片上制备YBCO织构膜的研究

采用ＹＢＣＯ烧结靶平面磁控溅射，原位处理工艺，在多晶银基片上进行镀制高温超导薄膜的研究。经过大量实验，研究了沉积温度、真空度、氩氧比对膜层结构、性能的影响。并在温度为７００℃、真空度为１８Ｐａ、氩氧比为１：１，靶电流为１～２Ａ的条件下，获得了具有ｃ轴织构的ＹＢＣＯ超导薄膜。     

基于卟啉基元构筑有机太阳能电池的研究进展

卟啉类作为有机光敏基元中的一种,在有机太阳能电池构建中扮演着重要角色,在自然界中负责收集、捕获和传递太阳光能,同时具备化学稳定性和结构可调节性。综述了有机卟啉聚合物和敏化太阳能电池的基本构造和原理、染料分子Push-Pull设计的基本理念以及近年来有代表性的有机卟啉太阳能电池的进展情况。基于目前卟啉类太阳能电池实现的光电转化率,进一步设计和优化出满意的分子结构,敏化太阳能电池实现工业化将是下一阶段努力的方向。     

多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

用等离子体化学气相沉积（PECYD）法,通过改变[SiH4：N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法（QSSPCD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现：沉积温度350℃,沉积时间5 min,[SiH4：N2]/[NH3]=4：1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低.