几种Si、Ge纳米线导热系数的原子模拟

采用非平衡分子动力学方法模拟了Si纳米线、Ge纳米线、核-壳结构的Si/Ge纳米线及超晶格结构的Si/Ge纳米线的导热系数,给出了纳米线的温度与导热系数关系曲线,对比了几种纳米线导热特性的差异,研究结果表明,随着温度的升高,各纳米线的导热系数降低;相同温度下,纳米线导热系数的大小顺序为：核-壳结构的Si/Ge纳米线、超晶格结构的Si/Ge纳米线、Si纳米线、Ge纳米线。     

SiO2纳米颗粒复合Bi2Te3纳米线阵列的制备

为结合一维纳米材料和纳米颗粒复合材料的优点,本文尝试进行了在氧化铝模板(AAO)中生长Bi2Te3-Si O2纳米颗粒复合纳米线阵列。通过在电化学溶液中添加Si O2纳米颗粒,制备包含纳米颗粒的Bi-Te纳米线阵列。应用XRD、SEM、TEM等方法对合成的样品进行了分析观察。研究发现Si O2纳米颗粒的加入对纳米线的形貌和结构都有明显的影响。在模板法沉积Bi2Te3纳米线阵列时,添加Si O2纳米颗粒将明显改变纳米线生长方式,Bi2Te3纳米线不再是等径的纳米棒,而是枝晶生长过程,最后形成Z字型的不断反复弯折纳米线,该枝晶状纳米线的直径远小于模板的孔径。这一新颖的现象为制备直径更小,并具备精细界面结构的纳米线热电材料提供了一种新的可能途径。     

硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小岛。而在Si/Ge/Si(10 0 )多层膜上生长则形成大小二种三维岛。研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构     

热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展

系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。     

500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层

利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用.     

硅、锗材料在Si（100）表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si（100）表面生长Si，Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明：Si在Si（100）表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si（100）表面生长形成规则的三维小岛，而在Si/Ge/Si（100）多层膜上生长则形成大小二种三维岛，研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构。     

离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.     

C/SnO2纳米管芯复合结构的原位生长及生长机理

采用化学气相沉积(CVD)方法在经表面活性剂处理过的Si(100)衬底上原位合成了C/SnO2纳米复合结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)等分析仪器分别对所制备样品的形貌、成分及微结构进行表征。研究发现:制备产物为非晶态碳纳米管复合物。该碳纳米管复合物呈现出管芯复合结构,成分为碳纳米管包覆的结晶良好的SnO2纳米线,且其生长方向沿(200)晶面。并在此基础上分析讨论了其生长机理,推测这种C/SnO2纳米管芯复合结构的生长是同步进行的,同时表面活性剂的碳化对形成碳纳米管有着重要作用。     

快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响

使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响.结果表明:随着退火温度的升高,量子点中Ge的组分下降,量子点应变的弛豫程...     

Au／SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备

室温下用磁控溅射法在Si（111）衬底上生成Au／SiO2复合纳米颗粒膜,并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀（直径约为70nm）的Au纳米点,从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板,然后,将Au催化剂模板在1100℃下退火处理,生成纳米线,SEM和TEM测试,制备的SiO2纳米线直径约为100nm,长度约为4μm,表面光滑,直且粗细均匀。