大功率中波发射机天线调配室故障二例

我们有一大功率中波发射机天线调配室曾发生两次故障。第一次故障的现象是:在机房配电室向天调室送塔灯照明电时,一合闸刀,就烧保险;换好保险,还是爆;用万用表量,火线有接地现象。第二次故障的现     

多层片式LC滤波器中间层复合材料的研究

为了解决多层片式LC滤波器制造中的介电体与铁氧体的共烧问题,采取了在两种材料之间加入中间层复合材料的方法来实现异种材料之间的共烧。制备了由Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3基介电体和NiZnCu铁氧体构成的中间层复合材料,研究了其显微组织、成分分布以及其与介电体和铁氧体的共烧界面等,结果表明中间层复合材料中介电体与铁氧体各自保持独立的相结构,没有新相生成;介电体晶粒与铁氧体晶粒相间分布于中间层中,且它们之间存在着离子的相互扩散;中间层能够有效地减小异种材料共烧界面上的应力。     

电饭锅漏电故障检修

故障现象:锅体带电,用试电笔测试其外壳时,氖泡发光。分析检修:故障的主要原因有:1.电源线的接地线与火线相连(通常地接触不良或断路);2.火线与外壳相碰;3.电热盘的电阻丝受热后膨胀变形,使其与金属壁相连。检修时,首先断开电源,将电源插座、连接线、电饭     

金属化电迁移失效的圆片级监控技术

介绍3种圆片级金属化电迁移可靠性测试技术:(1)金属击穿能量技术;(2)标准圆片级电迁移加速测试技术;(3)标准圆片级等温焦耳热电迁移测试技术实验结果表明它们优于传统的电迁移寿命试验,可用作在线监控.     

（Ba1—xSrx）TiO3薄膜的制备及性能的研究

选用Ba(C2H3O2)2、Sr(C2H3O2)2.1/2H2O和Ti（OC4H9）4为原材料,冰醋酸为催化剂,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶－凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上成功地制备出钙钛型结构的（Ba1-xSrx)TiO3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料;分析了薄膜的结构;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温10kHz下,（Ba0.73Sr0.27)TiO3薄膜介电系数和损耗分别为300和0．03。在室温1kHz下,（Ba0.95Sr0.05)TiO3薄膜剩余极化强度的矫顽场分别为3μC／cm^2和50kV/cm。     

温度对无铅换能器陶瓷BNT-7BT铁电性的影响

传统换能器材料——PZT95/5铁电陶瓷中的铅元素对环境污染大,且其电致应变(S)和压电系数(d33)较小,因此限制了换能器的输出功率。该文从保护环境和优化换能器性能的角度出发,研制出位于准同型相界处的无铅铁电陶瓷0.93Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.07BaTiO_3(BNT-7BT),测试了其晶体结构和介电温谱曲线,并得到了温度对该陶瓷电滞回线及电致应变曲线的影响。实验结果表明,钙钛矿结构的无铅铁电陶瓷BNT-7BT在152℃处发生铁电→反铁电相变,且其具有较大的电致应变量(室温下S≈2.92‰)和较高的压电系数(d33=152pC/N)。     

WO3/Ni(OH)2·xH2O电致变色薄膜的电色互补性研究

对WO3和Ni(OH)2·xH2O这两种电致变色薄膜的电色互补性原理及其电色特性进行了研究,发现利用三氧化钨和氧化镍薄膜的电色互补性能够较好地改善双层膜的电色特性.为灵巧窗等电色器件的应用奠定了理论基础.     

基于银纳米线透明电极制备柔性电致变色器件

透光率可调节的电致变色(EC)器件在光电子领域有着巨大的应用潜力。目前绝大多数电致变色器件都是基于氧化铟锡(ITO)透明电极和无机氧化钨(WO3)电致变色材料,机械柔性较差。本文采用多元醇法合成的银纳米线(AgNWs),有机电致变色材料(P3HT)和(PEDOT∶PSS)替代ITO与WO₃制备柔性EC器件,并利用高透光率的ZnO涂层增强AgNWs与柔性基底的粘附性,以及改善AgNWs之间的节点接触从而优化AgNWs网格的相互连接,使得AgNWs柔性透明电极的表面电阻由69.9 Ω/□减小为45.8 Ω/□。另外通过在PVA水溶液中掺入LiBF₄进行冷冻,得到离子导电率为1.53×10^-2 S/cm的凝胶电解质,利用该高导电率的凝胶电解质充当对电极层简化EC器件,使得EC器件整体具有更高的透光率,制备出最大光调制范围为37.8%的PEDOT∶PSS EC器件和最大光调制范围为17.7%的P3HT EC器件。最后利用中国传统毛笔书写和大面积丝网印刷的方式制备个性化图案的PEDOT∶PSS EC器件,具有很好的显示效果。     

船舶岸电系统变频设备建模与仿真研究

本文研究了船舶岸电系统变频设备建模与仿真。船舶岸电系统是一种新型的清洁能源供应方式,对于减少船舶排放、优化港口环境、提高港口能源利用效率具有重要意义。在船舶岸电系统中,变频设备是实现交流能源输入和输出转化的关键设备之一。研究人员通过建立变频设备的数学模型和仿真模型,研究了船舶岸电系统变频设备的运行特性和控制方法。以期为实现港口作业节能降耗目标提供技术支持。     

房间电加热器浪涌抗扰度案例分析

以具有电容降压电路的房问电加热器浪涌抗扰度不合格的典型案例为研究对象,给出了详细的定位与验证分析过程,并提出了整改措施,即在整流桥输出到稳压二极管之间串联限流电阻。整改后,房间电加热器满足浪涌抗扰度要求,即火线对零线（差模）±1kV,火线对地线（共模）±2kV,零线对地线（共模）±2kV。     

射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度曲线表明制备的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3铁电薄膜的居里温度在室温附近 ,约 3 0°C处。     

实用小经验集锦

对家用漏电开关的改进许多家庭都安装了漏电开关(漏电保护器),这些漏电开关一般只具有漏电保护功能,而不具备其它功能。如果在这些漏电开关的火线进线和零线出线之间接入一只330V压敏电阻(也可接在零线进线与火线出线之间),则漏电开关即具有过压保护功能,经试验,当市电高于270V左右即可迅速跳闸断     

SnAgCu无铅焊点的电迁移行为研究

电迁移引发的焊点失效已经成为当今高集成度电子封装中的最严重的可靠性问题之一。应用SnAgCu无铅焊膏焊接微米级铜线,进行电迁移实验。结果表明:焊点形貌从原来的光滑平整变得凹凸不平,阴极处出现了裂纹和孔洞,并且在铜基板和Cu6Sn5金属间化合物(IMC)之间出现薄薄的一层Cu3Sn金属间化合物,由ImageJ软件测量其平均厚度约为2.11μm;而在阳极附近没有明显的Cu3Sn金属间化合物形成。     

(Nd0.5Ta0.5)4+复合离子对BNT-BKT陶瓷微结构及电学性能的影响

采用固相烧结法制备了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))~(4+)复合离子调控的Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)Ti_(1-x)(Nd_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3(BNKT-xNT)无铅陶瓷。研究了(Nd_(0.5)Ta_(0.5))~(4+)复合离子掺杂量对BNKT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、介电、储能、阻抗等电学性能的影响。研究结果表明:(Nd_(0.5)Ta_(0.5))~(4+)复合离子进入了BNKT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构;晶粒分布均匀、致密,晶界清晰;(Nd_(0.5)Ta_(0.5))~(4+)复合离子的引入显著降低了BNKT陶瓷的剩余极化强度、饱和极化强度以及矫顽场,电滞回线变得瘦小、细长,储能效率随之升高,并在x=0.08和60×10~3 V/cm电场下达到了70%;储能密度先减小、后增大、再减小,在x=0.04时达到最大值0.36 J/cm~3;电致应变在x=0.03时最大为0.183%;随着掺杂含量的增加,BNKT-xNT陶瓷从铁电相与弛豫铁电相共存转变为弛豫铁电相,其介电常数峰T_m逐渐降低且平坦化;交流阻抗谱表明BNKT-xNT陶瓷在低温下具有良好的绝缘性。     

半导体温差电材料及其致冷器

用改良的布里奇曼法制备以碲化铋(Bi_2Te_3)为基并掺入适量中性杂质元素的室温半导体温差电材料,晶体直径为φ19—25mm,其特性具有明显的取向性,平行于晶锭轴切取电偶臂时比垂直切取具有更好的性能。优值系数p型Z达3.2×10~(-3)K~(-1),n型Z达3.1×10~(-1)K~(-1)。文中还介绍了致冷器的工作原理、设计的基本依据和主要的计算公式,以及制作致冷器的主要工艺步骤。     

Cs_2Te紫外光电阴极带外光谱响应研究

利用强光源作为激励,测量了Cs_2Te紫外光电阴极带外光谱响应。结果表明Cs_2Te紫外光电阴极的带外光谱响应较低,与带内光谱响应相比相差几个数量级。带内光谱响应的峰值灵敏度可以大于40 m A/W,但对带外光谱响应,如对550 nm的波长,其光谱响应可以低至10-3 m A/W数量级。对采用同样工艺所制作的Cs_2Te紫外光电阴极,其带外光谱响应的离散性较大。根据对3种不同可见光阴极,即Na2KSb(Cs)多碱光电阴极、K2Cs Sb双碱光电阴极以及Ga As(Cs-O)光电阴极带外光谱响应的测试,证明这3种可见光阴极均存在不同大小的带外光谱响应。测试数据表明,带外光谱响应与逸出功(正电子亲和势光电阴极)或禁带宽度(负电子亲和势光电阴极)的大小相关。逸出功越低或禁带宽度越小,带外光谱响应越大。根据光电发射的方程,可以推测出Cs_2Te紫外光电阴与上述3种可见光光电阴极一样,产生带外光谱响应的原因是多光子吸收,即多光子效应。由于Cs_2Te紫外光电阴极存在带外光谱响应,因此当采用Cs_2Te紫外光电阴极的"日盲"像增强器在强烈的太阳光下或直对太阳光使用时,会受到太阳光的干扰或看到太阳的像,不具备日盲特性。为了使"日盲"紫外像增强器完全具备日盲特性,需要"日盲"紫外像增强器Cs_2Te紫外阴极前增加"日盲"滤光片,利用"日盲"滤光片消去Cs_2Te紫外阴极的带外光谱响应达到"日盲"的目的。因此在实际应用过程中,"日盲"滤光片是必不可少的。"日盲"滤光片设计的依据是Cs_2Te紫外阴极对太阳辐射的响应度。Cs_2Te紫外阴极对太阳辐射的响应主要集中在350~650 nm之间,因此"日盲"滤光片主要应对该波段的可见光进行衰减。只有使用与Cs_2Te紫外阴极带外光谱响应相匹配的"日盲"滤光片才有可能使"日盲"紫外像增强器具备"日盲"特性。     

聚苯胺基柔性电致变色器件的设计与研制

采用循环扫描伏安法在导电聚酯薄膜上聚合出聚苯胺(PAN)膜,考察了PAN膜的聚合过程及其表现出的电致变色行为;设计并制备了基于PAN膜的反射型柔性电致变色器件,考察了该器件反射光谱的电压响应特性.结果表明,电聚合过程中,在-0.2～2.0V电压范围内,PAN膜的颜色在黄绿-绿-深蓝之间循环变化;在-0.4v～1.8v电压范围内,研制的基于PAN膜的反射型柔性电致变色器件的反射率及其峰值随着外加电压的改变而变化,表现出较好的电压响应特性.     

改善(Pb,Ca)TiO_3薄膜的铁电性能研究

用溶胶-凝胶法和快速退火工艺在LaNiO3/Si(111)基片制备出高度(100)取向生长的钙钛矿相(Pb0.76Ca0.24)TiO3(PCT)薄膜。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性。PCT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为9.3μC/cm2和64kV/cm,在100kHz薄膜的介电系数和损耗分别为231和0.045。比较了在不同电极制备PCT薄膜的结果,用LaNiO3作底电极,改善了铁电性,降低了矫顽场。     

ITO衬底上LiTaO3薄膜的制备与介电特性

用溶胶凝胶法在ITO衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的晶向、表面形态等作了表征;研究了不同溶剂对LiTaO3溶胶稳定性的影响和不同退火条件对LiTaO3薄膜结晶的影响;利用Al/LiTaO3/ITO结构,测试了薄膜的介电系数和介电损耗.结果表明:每层薄膜都晶化退火比交替使用焦化、结晶退火能生长出质量更好的LiTaO3薄膜;频率1KHz时,介电损耗约0.4,相对介电系数约53.并讨论了介电损耗增大的原因.     

钛酸钡半导体陶瓷的低温介电特性

在80—320K温度范围内,研究了两种组份BaTiO_3半导体陶瓷的介电特性,发现其介电常数温度曲线不再明显有反映不同铁电相变的两个介电峰,但介电常数实部和虚部的极大值位置分别与mm2—3m和4mm—mm2铁电相变的温度有关。这可能是由于其铁电相变高度弥散、mm2—3m铁电相变温度与Sr~(2-)的取代量基本无关以及4mm相出现PTCR效应的结果。