共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
该文主要阐述在FPGA(Field—Programmable Gate Array)内千兆以太网协议数据流帧的生成、编码、组帧、解帧及协议帧分析,详细地阐述了BCM5421和FPGA组合的硬件设计技术、协议发生的FPGA设计技术、协议解码、过滤、性能分析的FPGA设计技术等关键技术的实现途径。 相似文献
2.
本文使用WinPcap自定通信帧格式,实现一种PC机和FPGA之间双向高速数据传输方法,绕过了TCP协议和IP协议,只涉及到链路层和物理层,降低了FPGA端的协议解析复杂度、减少拆包时间和时延,并且突发速率达到100Mbit/s。通信接口协议采用类似802.3协议的帧格式。 相似文献
3.
4.
5.
简要介绍GAP技术的原理,提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的实现方案.通过详细分析SCSI协议控制器的设计和SDRAM IP核的应用,将SCSI协议控制器、SDRAM控制器和核心控制器集成在一个FPGA中实现.经测试,这种方案比MCU SCSI协议控制器的方案具有更高的可靠性和兼容性. 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.
11.
在材料组成、烧结工艺不变的情况下,系统研究了还原气氛对Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明,半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛,无论是Y5V、Y5u还是Y5P瓷片均有类似的变化规律。氧分压降低,电容器的电容量温度变化率△C/C变小,当H2:N2比例大于20:100时,瓷片的△C/C不再变化,大约为空气烧结瓷片△C/C的88%。在不改变瓷料组成、烧结温度的情况下,通过还原气氛的适当控制,可改善Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特性,而其他介电性能基本不变。 相似文献
12.
13.
14.
采用蒙特卡罗模拟方法研究了电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)成像器件中高能电子轰击半导体时产生的电离效应对电荷收集效率和电子倍增层增益的影响。分析了入射电子能量、p型衬底层掺杂浓度、电子倍增层和钝化层厚度对电荷收集效率和增益的影响。结果表明,增加入射电子能量(小于4 keV)、减小电子倍增层和钝化层厚度、降低掺杂浓度等是提高电荷收集效率和电子倍增层增益的有利途径,可为获得高增益的EBCMOS器件提供理论支撑。 相似文献
15.
基于128 kbit AlOx/WOx双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试.还原处理的时间越长,AlOx层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度.测试结果表明,还原时间由10 min增加至30 min,在4V和4.5V操作电压下,FORMING速度分布的均值分别由200 ns减小至120 ns和由100 ns减小至60 ns;在4V和4.5V操作电压下,RESET速度分布的均值分别由160 ns减小至120 ns和由120 ns减小至100 ns;SET速度分布的均值在4V电压下可由120 ns减小至80 ns.此外,还原时间的增长可以改善速度分布的一致性,减小速度的波动. 相似文献
16.
无线传感器网络数据融合研究综述 总被引:1,自引:0,他引:1
由于无线传感器网络存在能量约束问题,因此在网内进行数据融合是降低节点消耗的重要手段之一。文章在简单介绍融合模型的基础上,重点分析目前提出的主要数据融合机制—应用层的数据融合、网络层的数据融合、独立的数据融合,最后给出了结论和展望。 相似文献
17.
硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。 相似文献
18.
碳纤维天线反射面的热变形仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
碳纤维天线在大范围温变场将发生一定的变形,引起较大的天线波束指向误差,造成电性能下降,合理的铺层设计可以有效减少碳纤维天线热变形。应用ANSYS有限元分析技术,对各种铺层下的反射面在20~80℃范围内热变形进行了仿真分析,优选出合理的铺层方式;为了验证仿真结果,设计了一套测试装置。实验结果表明,仿真模拟结果与实验结果较为接近,误差为9.3%,从而探索出适合于工程应用的减少热变形的铺层设计方法,为高精度复合材料天线反射面的设计应用提供了依据。 相似文献
19.
本文介绍了串扰和SSN的基本原理,并结合实例,利用Sigrity公司的软件对串扰和SSN的影响及其解决办法做了介绍。并重点介绍了通过减小布线层和参考层间的介质厚度来减小串扰,且通过添加去耦电容来使SSN对驱动电压和平面反弹的影响最小化。 相似文献