1V 2.5GHz压控振荡器设计

设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18μm CMOS工艺进行仿真 ,结果显示 ,在1V电源电压下 ,在偏离中心频率 6 0 0 k Hz处的相位噪声为 - 119d Bc/ Hz,调谐范围为 2 8% ,功耗为 3.6 m W.     

1V 2.5GHz压控振荡器设计

设计了1V,2.5GHz的全集成压控振荡器.通过优化集成电感的设计,同时采用NMOS管和开关电容阵列作为可变电容,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围.采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,结果显示,在1V电源电压下,在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-119dBc/Hz,调谐范围为28%,功耗为3.6mW.     

传输线压控振荡器

一个现代化的数字式频率合成器,其性能的好坏,主要取决于其相位噪声的大小,而它在很大程度上取决于频率合成器中的压控振荡器(VCO)本身相位噪声的优劣。设计和制造出低相位噪声的 VCO 就成为设计制造频率合成器的一个关键问题。一、电路的主要技术要求对于锁相环中的 VCO,一般应考虑以下几个方面的要求:(1)频率变化范围必须满足锁相环所要求的输出范围,并要有一定的余量。(2)频率稳定度要求长期慢漂移不超过锁相环的同步带,对取样环更不能超过±f_r/2(f_r为参考脉冲频率)。(3)要求 VCO 的相位噪声 S_((?)VCO)越小越好。(4)希望输出频率随输入电压的变化尽可能是线性的,因为如果 VCO 电压频率特性是非线性的,阻尼系数ζ与环路固有频率ω_n 就会随     

基于DLL倍频技术的1GHz本地振荡器设计

介绍了一种基于0.5μm CMOS DLL合成1GHz信号的新方法．这种方法的特点是只通过使用简单的逻辑和放大来产生倍频信号．该设计的频率合成器包括两个部分：一个DLL(Delay-Locked Loop)和一个频率合成逻辑模块．输入的参考频率是25MHz，合成的输出频率为1GHz．     

一种1.2GHz～2.8GHz环形振荡器设计

压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)是锁相环的关键模块之一,其性能极大地影响锁相环的性能。该文利用宏力(GSMC)0.18μm CMOS工艺设计了一种环形压控振荡器,该环形振荡器采样三级差分反相延时单元构成,频率范围为1.2GHz~2.8GHz。仿真结果表明,该环形振荡器的相位噪声为-94.6dBc/Hz@1MHz。     

基于 DLL倍频技术的 1GHz本地振荡器设计

介绍了一种基于 0 .5 μm CMOS DL L 合成 1GHz信号的新方法 .这种方法的特点是只通过使用简单的逻辑和放大来产生倍频信号 .该设计的频率合成器包括两个部分 :一个 DL L (Delay- L ocked L oop)和一个频率合成逻辑模块 .输入的参考频率是 2 5 MHz,合成的输出频率为 1GHz     

一种实用的压控振荡器

介绍一种电压控制振荡器的电路特点及工作原理。实验结果表明：该振荡器性能稳定，频率可控范围宽，连续均匀压控线性区为１１００ｋＨｚ，压控灵敏度为２．５ＭＨｚ／Ｖ。文章最后对研制中的有关问题进行了讨论。     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖30MHz的高频权电容编码压控振荡器为实例,详细介绍了用权电容编码方法展宽普通LC压控振荡器频率覆盖的原理和技术。并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

一种宽电源锁相环电路的设计与实现

在片内无电源调整电路的条件下，通过电路优化，设计并实现了一种在2．5～5．5V宽电源下稳定工作的锁相环(PLL)。测试结果较好地反映了设计的正确性，并提出了改进意见。     

一种宽带正交振荡器中子频带的精确设计方法

设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器。通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间。该芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明:振荡器的频率覆盖范围从3.04~3.58 GHz,并且所有的子频带均一一准确地覆盖了目标频道点;调谐增益从86 MHz/V变化至132 MHz/V,其平均值仅比设计值高6%;最高子频带的中心频率为3.538 GHz,其偏离载波1 MHz处的相位噪声为-121.6 dBc/Hz;在1.2 V电源电压下,振荡器核心的功耗约为14 mW。     

2．4GHz电压控制振荡器的设计与仿真

通过分析测量BJT的S参数与稳定因子定,并利用已测量的BJT输出阻抗ZOUT来设计输出匹配电路,使整体电路在2．4GHz的频率上产生振荡。利用ADS软件对电路进行仿真。达到在BJT特定的偏压下。仍在2．4GHz的频率上持续振荡。并可利用电压的变化来控制其振荡频率的目的。     

An Accurate 1.08GHz CMOS LC Voltage-Controlled Oscillator

An accurate 1.08GHz CMOS LC voltage-controlled oscillator is implemented in a 0.35μm standard 2P4M CMOS process.A new convenient method of calculating oscillator period is presented.With this period calculation technique,the frequency tuning curves agree well with the experiment.At a 3.3V supply,the LC.VCO measures a phase noise of －82.2dBc/Hz at a 10kHz frequency offset while dissipating 3.1mA current.The chip size is 0.86mm×0.82mm.     

精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器

在0.35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率-电压调谐曲线与实验结果吻合得很好.在电源电压3.3V下,消耗电流3.1mA,压控振荡器的相位噪声在10kHz频偏处为-82.2dBc/Hz.芯片面积为0.86mm×0.82mm.     

一种高线性度2.4GHz CMOS LC压控振荡器

对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p /n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.45%和1.74%,总调节范围为2.33～2.72 GHz,功耗为15mW,芯片面积为534×540μm2。结果表明,新的电路结构使得VCO的调节非线性度降低到通常只用一对变容管的VCO的一半以下,同时极大地减小了调节范围内相噪声的波动,有效地提高ISM频段内多种无线通信标准的射频收发机的性能。     

一种面向IEEE 802.11ac标准的5 GHz LC压控振荡器

基于TSMC RF 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种可应用于IEEE 802.11ac标准的5 GHz宽带LC压控振荡器。该振荡器采用了NMOS交叉耦合结构,同时采用了5位开关电容阵列以扩展调谐范围。开关电容阵列使压控振荡器的增益KVCO保持在一个较小的值,有效地降低了压控振荡器的相位噪声。后仿真结果表明,该压控振荡器在1.8 V电源电压下,功耗为9 mW,频率调谐范围为4.52~5.56 GHz,在偏离中心频率1 MHz处仿真得到的相位噪声为-124 dBc/Hz。该LC 压控振荡器的版图尺寸为320 μm×466 μm。     

A New Two-Three-Phase Voltage-Controlled Oscillator

The initial aim of the work has been the development of an inexpensive quadrature oscillator which can operate as a rapidly responding voltage-controlled oscillator (VCO) in two phases. Such rapid operation in quadrature is needed in association with quickly operating phase-locked loops for frequency synthesizers and similar applications. Other applications, where the relatively large speed is not essential, but where the phase shifts between various outputs should be precise, are mentioned in concluding this section. The electronic realization is made relatively cheap by proposing a replacement of the instantaneous amplitude measuring operation of square and sum (x2 + y2) (associated in the process of amplitude stabilization) by an operation of three-phase rectification. This leads to the construction of a versatile instrument which generates three-phase signals as well as two-phase signals (the two-phase signals are both sinewaves in quadrature and also square waves in quadrature). All these waveforms are capable of participating in the system performance as a VCO at a relatively large rate of frequency changes. A reversal in the order of phases when the frequency-control voltage crosses zero is also exhibited. This is needed in applications in industrial and power electronics. Our main aim now is to use the instrument in association with a precisely stabilized quickly responding cyclo-converter. Other possible applications of the instrument are in the field of precise measurements (for example, in the detection of signals by lock-in amplification there exists a frequent need for quadrature operation) and in telecommunication.     

一种适用于2.4GHz ISM射频波段的全集成CMOS压控振荡器

提出了一种频率可调范围约230MHz的全集成LC压控振荡器(VCO).该压控振荡器是用6层金属、0.18μm的标准CMOS工艺制造完成.采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感,并实施了低电压、低功耗的措施.测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为1.8V的情况下功耗约为10mW,在振荡器中心频率为2.46GHz时的单边带相位噪声为-105.89dBc/Hz@600kHz.该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中.     

一种适用于2 4GHz ISM射频波段的全集成CMOS压控振荡器

提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 .测试结果表明 ,该压控振荡器在电源电压为 1 8V的情况下功耗约为10mW ,在振荡器中心频率为 2 46GHz时的单边带相位噪声为 - 10 5 89dBc/Hz @6 0 0kHz .该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中.     

A New Monolithic Voltage-Controlled Oscillator

A new monolithic voltage-controlled oscillator exploiting a previously reported monolithic variable capacitance cell is presented. With a 2.3 volt swing in control voltage, the oscillator generates a sinusoidal output signal at frequencies ranging from 55 MHz to 135 MHz. The total harmonic distortion is less than 1%, while frequency slew rate is greater than 16 MHz/ns.