柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究

用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ透明导电薄膜,对薄膜的低温制备、结构和光电特性进行了研究,制备的薄膜为多晶膜,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构,最佳取向为（１１１）方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为６．６３＊１０＾－４Ω．ｃｍ,透过率达到８２％。     

快速热退火对真空蒸镀ITO InGaN/GaN蓝光LED的影响

制作了8milX 10mil的InGaN/GaN 蓝光LED(λ=460nm),采用了真空蒸镀在P-GaN上淀积了240nm的ITO。对不同温度下(100℃至550℃)热退火ITO的电学特性和光学特性进行了比较分析。实验发现,450℃下热退火ITO电阻率低至1.19X10_-4Ω?cm,而此温度下得到高透射率94.17%。在20mA注入电流下,正向电压和输出功率分别为3.14V and 12.57mW。另外,550℃ITO退火下制备的LED光通量最大,为0.49lm,这是因为此温度下透射率较大。     

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ、在可见光区透过率达８２％的有机薄膜衬底ＩＴＯ膜     

p-GaN与ITO欧姆接触的研究

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。     

ITO薄膜的电阻并联效应研究

采用电子束蒸发镀膜方法在K9玻璃基底上分别镀制了ITO/SiO₂/ITO,ITO/Ti₂O₃/ITO和ITO/MgF₂/ITO结构的多层薄膜,用四探针方块电阻仪测量薄膜表面的方块电阻,用原子力显微镜观测样品的表面微观形貌。结果显示,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜的物理厚度小于100nm时,各层ITO薄膜之间通过山峰状的凸起结构相连通,导致样片表面的方块电阻测量值与各层ITO薄膜电阻的并联值相当。这表明,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜厚度较小时,各层ITO薄膜表现出电阻并联效应。利用多层ITO薄膜的电阻并联效应设计并制备了450～1200nm超宽光谱透明导电薄膜,用四探针方块电阻仪测量了试验样片的表面方块电阻,用紫外-可见-近红外分光光度计测试了样片的光谱透射率。结果显示,在相同表面方块电阻条件下,相比于单层ITO薄膜,利用ITO薄膜电阻并联效应所制备的多层透明导电薄膜具有更高的光谱透射率。     

ITO作为电流扩展层的AlGaInP 发光二极管可靠性研究

Three aging experiments were performed for AlGaInP light emitting diodes（LED） with or without indium tin oxide（ITO）,which is used as a current spreading layer.It was found that the voltage of the LED with an ITO film increased at a high current stressing,while there was little change for that of the LED without the ITO.The results of the LEDs with different thicknesses of the ITO film show that the LED with a thicker ITO has a higher reliability.The main reason for the voltage increase of the LED with the ITO film might be the current crowding in the ITO film around the P-type electrode.     

ITO阻值的精确计算及影响因素

论述了ITO、方块电阻的定义及ITO阻值的精确计算，并结合实际应用讨论了影响ITO阻值的因素，对版图设计和LCD生产的过程控制有一定的借鉴意义。     

用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能

应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。     

采用ICP干法刻蚀ITO提高GaN基LED的特性

针对常规双电极蓝宝石衬底GaN基LED,为了提高出光效率,在P-GaN表面生长一层ITO作为电流扩展层和增透膜。但是,在腐蚀ITO的过程中,经常会遇到ITO被侧向腐蚀的问题。本文中,通过湿法腐蚀得到的ITO薄膜大概被腐蚀掉6.43%～1/3的面积。这个问题可以通过ICP干法刻蚀来解决,ICP干法刻蚀能很好的改善ITO侧向腐蚀,并且工艺简单,能很好的改善LED器件的特性。得到的ITO薄膜边缘陡峭,面积完整,相较于湿法腐蚀ITO,在工作中ICP干法刻蚀ITO的LED,发光面积最少能提高6.43%,光强最高能提高45.9%。     

溅射氩分压对ITO透明导电薄膜光电特性的影响

用磁控溅射法在水冷 PPA聚脂胶片上制备了性能优良的 ITO透明导电膜。本文重点讨论了溅射氩分压对薄膜的结构和光电特性的影响 ,合适的氩分压为 0 .5 Pa,在此条件下 ,制备的薄膜最小电阻率为 4.6× 1 0 -4Ω· cm,相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 75 cm2 /( V· s) ,在可见光范围内相对透过率为 80 %左右 ,在红外区 ,薄膜的等离子共振吸收波长随着氩分压的减小而变短。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的 C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随氩分压的增大 ,[40 0 ]峰开始增强 ,[2 2 2 ]峰被削弱 ,薄膜呈现出混晶结构。 XPS谱分析表明随溅射分压的减小 ,薄膜中的氧空位浓度增大 ,自由载流子浓度有所增大     

Properties of the ITO layer in a novel red light-emitting diode

An optically transparent electrode, indium tin oxide (ITO) film is fabricated by vacuum E-beam evaporation. The thermal annealing effects on the ITO/GaP contact have been investigated by means of the transmission line model method. Under 435℃, with rapid thermal annealing for 40 s in N2 ambient, the ITO contact resistance reaches the minimized value of 4.3 × 10-3 Ω·cm2 . The results from Hall testing and Auger spectra analysis indicate that the main reasons for the change of the contact resistance are the difference in the concentration of carriers and the diffusion of In, Ga, O. Furthermore, the reliability of AlGaInP LEDs with a 300-nm thickness transparent conducting ITO film is studied. The increase of LED chip voltage results from the degradation of ITO film. Moreover the difference between the thermal expansion coefficient of GaP and ITO results in the invalidation of the LED chip.     

Reliability of AlGaInP light emitting diodes with an ITO current spreading layer

Three aging experiments were performed for AlGalnP light emitting diodes (LED) with or without indium tin oxide (ITO), which is used as a current spreading layer. It was found that the voltage of the LED with an ITO film increased at a high current stressing, while there was little change for that of the LED without the ITO. The results of the LEDs with different thicknesses of the ITO film show that the LED with a thicker ITO has a higher reliability. The main reason for the voltage increase of the LED with the ITO film might be the current crowding in the ITO film around the P-type electrode.     

氧化铟锡透明导电玻璃可见光透射率的研究

随着近年来平板显示工业的飞速发展，ＩＴＯ透明导电玻璃获得了广泛的应用。透明导电玻璃的可见光诱射率和ＩＴＯ膜的膜厚有关，本文通过实验数据和理论计算，给出了它们之间的关系。     

ITO表面处理对有机电致发光器件性能的影响

用Al2O3抛光液处理ITO表面制备了有机电致发光器件.将ITO玻璃片分别放入Al2O3水选分级后的不同粒度的抛光液中,进行不同时间的超声处理,发现随着Al2O3抛光液粒度不同、超声时间的不同、ITO的表面质量不同,器件的性能都有不同程度的变化.经过优化发现,当Al2O3抛光液水选分级后的粒度是0.6μm,超声时间为10min,采用导电层的厚度是50±10nm,方块电阻是40Ω/□的ITO时,器件的亮度在同一电压下提高了三倍多,器件达到100cd/m2的亮度所需驱动电压也由9V降至6V,器件的最大亮度在15V时达到了25880cd/m2,最大效率也由2.5cd/A提高至3.82cd/A.通过原子力显微镜对ITO表面形貌进行分析,可以看到,经过Al2O3抛光液处理的ITO玻璃片表面粗糙度降低了,粗糙度的降低有助于阳极和有机物的结合,有利于空穴的注入,从而使得器件性能得到改善.     

ITO表面处理对有机电致发光器件性能的影响

用Al2O3抛光液处理ITO表面制备了有机电致发光器件.将ITO玻璃片分别放入Al2O3水选分级后的不同粒度的抛光液中,进行不同时间的超声处理,发现随着Al2O3抛光液粒度不同、超声时间的不同、ITO的表面质量不同,器件的性能都有不同程度的变化.经过优化发现,当Al2O3抛光液水选分级后的粒度是0.6μm,超声时间为10min,采用导电层的厚度是50±10nm,方块电阻是40Ω/□的ITO时,器件的亮度在同一电压下提高了三倍多,器件达到100cd/m2的亮度所需驱动电压也由9V降至6V,器件的最大亮度在15V时达到了25880cd/m2,最大效率也由2.5cd/A提高至3.82cd/A.通过原子力显微镜对ITO表面形貌进行分析,可以看到,经过Al2O3抛光液处理的ITO玻璃片表面粗糙度降低了,粗糙度的降低有助于阳极和有机物的结合,有利于空穴的注入,从而使得器件性能得到改善.     

ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能

用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3(PLZT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响。结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性,外加15V电压下,剩余极化强度为35.4×10–6C/cm2,矫顽场强为111×103V/cm。100kHz时的εr和tgδ分别为984和0.13。在外加电场小于9V时,薄膜的漏电流密度不超过10–8A/cm2。     

PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究

将氧化铟锡(ITO)溅射淀积在PTCDA/玻璃衬底表面,利用原子力显微镜(AFM)、四探针和紫外可见分光光度计分别测量薄膜的表面形貌、电阻率和透光率.结果表明:衬底温度对ITO在PTCDA上的淀积有着与在其他衬底上淀积所不同的影响,提高衬底温度淀积ITO并没有提高薄膜的结晶度;溅射功率的提高有利于ITO电阻率的下降,但是功率过高会破坏ITO薄膜的特性:ITO膜厚度的增加导致其电阻率减小.     

具有纳米凹坑氧化铟锡的LED光提取效率的提高

由于低的光提取效率,氮化镓基发光二极管的应用受到了限制。氧化铟锡—氮化镓界面的光的全反射作用是造成低的光提取效率的重要原因。人们提供了多种方法来提高光提取效率。本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子力显微镜（AFM）对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的I-V特性、出光功率和出光辐射图并进行对比。刻蚀之后,在ITO表面形成了圆柱体和凹坑结构,它们的高度随着刻蚀时间增大。结果显示,LED的出光功率和随着刻蚀时间的增加而增加。由于圆柱体和凹坑结构的形成以及它们深度的增加,ITO-GaN界面的光的全反射减少了。因此,出光率提高。     

基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO

介绍了ITO作为OLED器件阳电极时，ITO各参数对OLED整体性能，如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响，并以溅射ITO工艺为例，分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因．提出了一些改进措施。对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值。