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化学气相沉积(CVD))金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。 相似文献
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椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件,用红外
椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量,并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石
薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变,衬底温度为750℃,反应室的压强为4.0kPa时,金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最
佳,其折射率的平均值为2.393。研究结果表明,金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关,同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺
条件。 相似文献
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CVD金刚石是一种性能优异的红外光学窗口材料,但其在红外波段的理论透过率仅能实现约71%。通过表面亚波长结构设计可进一步增强CVD金刚石膜的光学透过性能。该研究首先通过理论模拟,建立了金刚石微结构特征与光学增透之间的定量关系。基于此为指导,探讨了在具有微结构硅片表面,采用MPCVD方法复制生长出具有微结构的金刚石自支撑光学级薄膜,用于提升金刚石膜在红外波段的透过率。采用扫描电镜(SEM)观察了原始硅片和金刚石表面及微结构形貌,通过拉曼散射光谱评估了金刚石的生长质量及形核层影响,采用红外光谱仪测试了金刚石红外透过率。结果显示,单面构筑微结构后,金刚石膜在8~12 μm波段的透过率可从70%提升至76%,说明表面微结构能显著提升金刚石膜的光学透过性能。非金刚石形核层以及表面微结构的完整性不足可能是导致实验结果与理论模拟结果具有一定偏差的主要原因。 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》2006,43(1):76-76
用于光学窗口和其他要求强度、透明和化学稳定性都良好的应用,金刚石薄膜很有吸引力。特别是纳米晶体金刚石薄膜光滑、可导电,可能非常有用。但是,在过去,这种纳米晶体金刚石薄膜最多只做到几个微米厚。研究人员曾试验生长厚的薄膜,但是金刚石中的高应力阻碍了这种处理。 相似文献
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介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相对于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题,并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。 相似文献
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金刚石薄膜半导体器件 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相地于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题中,并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。 相似文献
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HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所偶到的问题,研究了热丝方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中,衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备膜晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响。 相似文献
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尹宪华 《激光与光电子学进展》1987,24(8):47
激光感应化学蒸汽沉淀可在低气压情况下在各种材料上淀积金刚石薄膜。这个技术已在苏联和日本演示,在光学和电子学方面有重要应用。金刚石非常硬,红外透过率优良,热导率高,是一种极好的镀膜材料,但用较古老高的气压金刚石合成技术是不胜任薄膜制作的。 相似文献
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近年来,利用高温CVD技术淀积大面积、高质量金刚石薄膜的研究已取得了突破性成果。但随着金刚石薄膜在光学、医学、光电子学等领域的应用,低温合成纳米金刚石薄膜已成为目前国内外研究的重点课题。纳米材料本身的优越性及金刚石薄膜所具有的优异物理化学性质,将使纳米金刚石薄膜具有广阔的应用前景。故低温合成纳米金刚石薄膜的研究具有重要的实际意义。本工作采用激光辅助技术,利用非聚焦的准分子激光束激活硅(Si)基片表面粒子,激光能量为70~180mJ,激光脉宽为20us。反应气体为CH4 H2,所用基片为Si(100)单晶片。在基片温度… 相似文献
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本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所遇到的问题,研究了热丝CVD(HFCVD)方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中,衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备腹晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响. 相似文献
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本文较详细地讨论了低压气相生长金刚石薄膜的三种典型方法,以及金刚石薄膜的结构和在红外光学、激光等领域中的应用。 相似文献
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利用射频磁控溅射方法,在光学级单晶金刚石上制备了氧化钒薄膜,然后对其结构与厚度、表面形貌、电学及光学性能进行了表征。实验结果表明,制备出的薄膜表面均匀性良好,为单一组分的V2O5薄膜,在(001)面有明显的择优取向,薄膜结晶度和表面形貌非常好;电学性能方面,获得了三组不同厚度V2O5薄膜温阻特性曲线,当薄膜为150 nm时,薄膜的电学突变特性最好,电阻值变化幅度将近3个数量级;对不同厚度薄膜的光学响应特性进行了测试分析,当受到高能激光照射时,薄膜均出现了相变和回复,薄膜的光学开关时间均随着膜厚的增加而增加,其中光学关闭时间的变化范围为1.6~2.5 ms,回复时间的变化范围为26~33 ms。 相似文献
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