氧化锡薄膜的冷电子发射

氧化锡薄膜高阻区具有冷电子发射的特性.本文所给出的初步实验结果表明,氧化锡薄膜主要发射区表面的元素成分和配比均发生了变化,发射电子能量分布不同于场致发射的电子能量分布.气体的种类和压强都可以对它的电子发射性能产生不同的影响.     

纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究

本文报道了利用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌（ZnS）薄膜，然后，将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化，制备高质量的纳米氧化锌（ZnO）薄膜。X－射线衍射（XRD）结果表明，氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构，在900℃退火的样品的光致发光（PL）中，在长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射，紫外发光强度与深能级发射强度之比是80，表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。     

氧化锌薄膜的紫外光致发光的低能带尾发射

利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光,氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成,峰的中心位置分别是在3．31和3．22eV,它们分别为自由激子发射和自由激子的一阶声子伴线(1-LO)．而在82K下,紫外发射谱是由光子能量分别在3．371eV,3．358eV,3．316eV,3．235ev和3．166eV峰组成．它们分别是自由激子,束缚激子和自由激子的一阶(1-LO)、二阶(2-LO)和三阶(3-LO)的声子伴线．根据变温光谱结果,我们提出室温下的紫外发射的低能带尾是来自自由激子的一阶声子(1-LO)伴线。     

金属有机物分解法制备HfO2 ZrO2纳米多层薄膜及其铁电性能研究

HfO2基铁电薄膜是一种环境友好型的铁电材料,具有尺寸可缩放性、与CMOS兼容性好等多方面优势,有望代替传统钙钛矿结构材料成为铁电存储器件的主要组成材料之一近年来,已有相关研究表明Zr掺杂的HfO2基薄膜具有良好的铁电性然而,针对其复合多层结构的铁电薄膜却鲜有报道为此,该研究利用金属有机物分解法制备了HfO2和ZrO2层交替生长的HfO2 ZrO2纳米多层薄膜,对薄膜的物相、表面形貌和铁电性能进行了相应的表征和分析,研究了退火工艺对薄膜铁电性能的影响结果表明,随着纳米层数的增加,HfO2 ZrO2薄膜的结晶性得到改善,且薄膜表面致密度增加,表面较为平整,晶粒有所细化在400 ℃、1 min的退火条件下,HfO2/ZrO2纳米多层薄膜具有明显的铁电性,电流翻转峰明显,剩余极化强度高达16 μC/cm2,纳米多层薄膜具有最小的漏电流密度以及良好的耐疲劳性能     

热流计SiO_2热阻层离子束溅射制备及耐热性研究

薄膜热阻式热流计具有响应速度快、结构微型化以及量程广、输出大等优点,是当前使用最广泛的热流传感器.热阻层SiO_2膜层与基底材料的结合性能对于热流计的高可靠性来说十分重要,而膜层特性与溅射沉积参数、后期热处理技术之间密切相关.因此,该文围绕离子束溅射SiO_2薄膜作为热流计热阻层材料,对不同镀膜时间、热处理工艺之后膜层的表面成分、形貌以及与基底结合强度进行了研究分析.研究发现,550℃热处理能够有效改善膜层的结合力,离子束溅射制备的SiO_2薄膜热阻层在高温循环考核的环境下依然保持了较强的结合力.     

大尺寸CNT-FED阴极制备研究

提出了两种碳纳米管场致发射阴极的制备方法,包括雾化喷涂法和丝网印刷法,对碳纳米管的提纯分散、浆料配制、浆料喷涂和印刷方法等进行了细致的研究,并结合模型计算、电镜分析、发射性能测试,对两种制备发射阴极的方法进行了比较和分析,结果表明丝网印刷阴极技术更适用于大尺寸的碳纳米管场致发射显示.文中对阴极后处理技术也进行了相关的讨论.     

脉冲星磁球层非热谱的相关性研究

利用蒙特卡洛方法,模拟了脉冲星磁球层中全极冠级联过程的非热辐射.对一给定的位于中子星表面以上一定高度的平行于开场线的电场,原初粒子由该平行电场加速并通过曲率辐射损失其能量,曲率辐射产生的光子通过对产生过程被转化为电子-正电子对,随后这些电子-正电子对通过量子化同步辐射和逆康普顿散射发射光子,从而引发级联过程.在这种情形下,对不同的参数,计算了脉冲星的非热光子谱,并研究了其磁球层非热谱的相关特性.     

压入法表征涂层结合强度的声发射信号分析

采用超音速等离子喷涂技术制备以AlSi为底层,AT13为面层的涂层,对涂层组织和基本性能进行表征和测试;采用表面压入法诱导涂层损伤失效,声发射技术实时在线监测压入过程;采用SEM对涂层压痕形貌进行分析;运用小波分解法,对所得的声发射信号进行噪声分析。结果表明,表面压入法在有效诱导涂层体系损伤失效的同时,声发射信号可给出明显突变提示,声发射信号主要由涂层体系声发射源产生,夹杂非常微弱的噪声信号。与原始信号相比,噪声信号很小,分析试验结果时可以忽略不计。     

退火气氛对铽掺杂氧化锌纳米薄膜发光性能的影响

以Zn(Ac)_2 2H_2O和Tb_4O_7为原料,采用溶胶-凝胶、浸渍-提拉技术在单晶硅(100)衬底上制备了铽掺杂的氧化锌(ZnO∶Tb)薄膜。分别在氮气和氢气气氛下对薄膜进行退火处理,并进行了XRD、IR、EDS和AFM表征,同时结合荧光光谱测试详细研究了退火气氛对薄膜发光性质的影响。结果表明,经氮气和氢气气氛处理的薄膜中,ZnO∶Tb粒子均具有六方纤锌矿结构,且排列致密均匀,相应的ZnO∶Tb粒径分别为59和45 nm。经氮气气氛处理的ZnO薄膜,掺杂前后的发光情况变化显著,由485 nm的蓝光发射移到382 nm的紫外发射。用氢气进行退火处理时,掺杂前后薄膜的荧光光谱都由强的紫外发射和弱的蓝光发射组成,但掺杂后薄膜的紫外光发射减弱,蓝光发射增强。薄膜层数为3、Tb掺杂量为3.85 mol%时,ZnO∶Tb薄膜的荧光发射效果最佳。     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰亚胺薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功，这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽〉８００μｍ，栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计；工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。     

金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法

详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψ_s-V_G关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段.     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10~8V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.     

山西城乡居民直接碳排放影响因素的对比研究

为有效控制城乡居民直接碳排放的持续增长,基于LMDI模型,探究了1995—2012年家庭人均收入、家庭规模和家庭户数三个家庭相关因素以及能源强度、能源结构和碳排放系数对山西省城乡居民直接碳排放的影响,并比较分析城镇和农村直接碳排放影响因素存在差异的原因。研究发现:1城镇和农村居民直接碳排放均增长显著,但城镇部分增长速度更快;2家庭人均收入效应为城镇和农村居民直接碳排放增长的主要促进因素;家庭户数效应显著增加了城镇居民直接碳排放,但对农村居民直接碳排放的促进作用微小;能源强度效应和家庭规模效应对城乡居民直接碳排放的抑制分列第一、二位;能源结构效应对农村居民直接碳排放的促进作用更大;碳排放系数效应对城乡居民直接碳排放的抑制作用均比较微弱。最后针对以上结论,提出了相关政策建议。     

一种多属性递进网格模型生成算法研究

提出了一种新的多属性递进网格模型生成算法.该算法将表征网格顶点信息的向量由简单的三维几何信息扩展到包含附属信息的多维向量,可生成带有颜色、纹理等附属信息的递进网格模型.递进网格模型由一个简化网格和一个细化序列构成.该算法在生成细化序列时,将简化网格模型的顶点局限于初始网格模型的顶点集中,减少了细化序列所包含的信息,降低了所占空间,提高了算法速度.文中的实例说明了算法的有效性.