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用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C:F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C:F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C:F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C:F之间没有明显的界面层. 相似文献
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Synthesis and Characterization of SiCOF/a-C∶F Double-Layer Films with Low Dielectric Constant for Copper Interconnects 总被引:1,自引:0,他引:1
用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C:F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C:F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C:F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C:F之间没有明显的界面层. 相似文献
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以C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质.实验中薄膜的沉积速率可达220nm/min,测得的介电常数为2.14~2.58.X光电子能谱表明,随着甲烷含量增大,薄膜中CF3,CF2结构含量减少而CF和C*-CFx(x=1~3)交联结构增多;原子力显微镜表明,在采用C4F8为前驱气体时,高分子基团C Fy在成膜时造成了粗糙不平、多孔渗水的薄膜表面形貌.结果表明,CF基团成分增加而CF2基团成分减小导致了薄膜电子极化增强,介电常数增大. 相似文献
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利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm~3000nm范围内可控,薄膜孔率为59%。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介电常数、介电损耗、漏电流等电学性能,结果表明多孔二氧化硅薄膜本征的介电常数为1.8左右,是典型的低介电常数材料。并通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征。 相似文献
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研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性。传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离子束参数影响越大。对于亚65nm工艺中使用的k值为2.7的介质,当离子束流减小到50pA、加速电压降低到5kV时,FIB制样方法对介质致密度的影响基本可忽略,样品微观形貌得到了显著改善;而对于65nm工艺中使用的k值为3.0的介质,其微观形貌受离子束参数的影响则相对较小。 相似文献
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随着先进通讯设备和技术的发展,广泛应用于通讯领域的各种高频电子设备的需求也在飞速增长.为满足高频信号的传输,高传输速度和高频低损耗的需求,各种低介电常数(Dk)和低介质损耗(Df)的覆铜板基材也在不断的发展中.目前低介电常数和低介质损耗的板材通常使用氰酸脂、苯乙烯马来酸酐、PP0/APPE、PTFE、PI或他们的混合物来制造,还可以结合使用低介电常数、低介质损耗的玻璃纤维布来生产.文章主要针对高频电路的特点、板材实现低Dk/Df的方法及相应的一些表征方式与计算方法做了一些介绍. 相似文献
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采用固相反应法制备了一种新型低介电常数LaYSi2O7(LYSO)微波介电陶瓷。1300~1450℃烧结的LYSO陶瓷为单斜晶系结构(空间群:P21/a)。当烧结温度为1450℃时,陶瓷的相对密度达到最大值(93.40%),这与介电常数变化趋势一致。陶瓷的Q×f值与其填充分数密切相关。1400℃烧结的LYSO陶瓷具有最高的填充分数(55.84%)和最佳的微波介电性能:εr=8.98,Q×f=17411 GHz,τ?=-70.77×10-6/℃。通过结构参数量化了LYSO的晶格畸变,从而揭示了τ?与结构的内在关系。LYSO陶瓷具有良好的微波介电性能,表明该类材料在移动通信基站领域具有良好的应用前景。 相似文献
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采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题.采用有限元子模型的方法,整体模型中引入等效层简化微小结构,对45 nm工艺芯片进行三维热应力分析.用该方法研究了芯片在倒装回流焊过程中,聚酰亚胺(PI)开口、铜柱直径、焊料高度和Ni层厚度对芯片Cu/低κ互连结构低κ介质层应力的影响.分析结果显示,互连结构中间层中低κ介质受到的应力较大,易出现失效,与报道的实验结果一致;上述四个因素对芯片低κ介质中应力影响程度的排序为:焊料高度>PI开口>铜柱直径>Ni层厚度. 相似文献
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采用正硅酸乙酯(TEOS)作为Si源,利用溶胶–凝胶旋涂法制备了多孔SiO2干凝胶薄膜,测试分析了200,300和400℃退火后样品的不同特性。研究了退火温度对多孔SiO2干凝胶低k薄膜的化学性质、物理性质和电学性能的影响。结果表明在400℃的退火温度下所制备的薄膜具有最佳性能:其厚度和折射率均达到最小值,分别为156 nm和1.31;孔隙度和均方根粗糙度均达到最大值,分别为33%和2.01 mm,并获得最低的相对介电常数(k=2)和最小的泄漏电流。 相似文献
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本文简介了聚苯醚树脂的优缺点和松下电工的基材发展战略,详细分析了松下电工新开发的PCB基板材料MEGTRON4的诸多性能,包括高频性能、眼图测试、通孔可靠性、耐CAF性能、IVH充填性能、无铅兼容性能、钻孔性能和去胶渣性能等,MEGTRON4具有低热膨胀、高可靠性和良好加工性,主要应用于网络设备(服务器、路由器)、测量仪器等领域。 相似文献
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本文简介了聚苯醚树脂的优缺点和松下电工的基材发展战略,详细分析了松下电工新开发的PCB基板材料MEGTRON4的诸多性能,包括高频性能、眼图测试、通孔可靠性、耐CAF性能、IVH充填性能、无铅兼容性能、钻孔性能和去胶渣性能等,MEGTRON4具有低热膨胀、高可靠性和良好加工性,主要应用于网络设备(服务器、路由器)、测量仪器等领域。 相似文献
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ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景 总被引:3,自引:1,他引:2
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 ,最后评述了有关应用前景 相似文献