GaAs纯度外延片的阳极氧化

本文分析了GaAs纯度外延片阳极氧化的物理过程,对比了恒压法与恒流法的优缺点,以恒流恒压法制得了高质量的氧化膜。     

300mm Si外延片表面颗粒缺陷的研究

研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失.利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体的生长结果,结合其c;-cv分布图,分析出这种环状分布的颗粒缺陷是由于晶体中间隙原子富集区产生的微缺陷,在外延过程中( 1050℃)聚集长大,从而在界面处造成晶格畸变引起的.随着衬底拉速的降低,间隙原子富集区的面积增大,硅片外延后越容易出现环状分布的颗粒缺陷.因此在单晶拉制过程中,为了避免这种环状缺陷的产生,应适当提高晶体的拉速.     

一种示温蜡片黏贴装置

<正>专利号:ZL200520044908.9专利权人:宝钢集团上海梅山有限公司设计人:王捷孙朝庆本实用新型涉及高低压电气设备以及机械转动设备示温蜡片的黏贴装置,特别涉及一种示温蜡片黏贴装置。解决现有黏贴器结构复杂、操作不方便的技术问题。本实用新型技术方案为:一种示温蜡片黏贴装置,由手柄、活塞杆、活塞和套筒四部分组成,套筒为变径空心管,活塞杆穿在套筒内,活塞杆一端连接手柄,另一端连接活塞,活塞的直径与示温蜡片的直径等同。容纳活塞的套筒侧壁间隔开有便于置入示温蜡片的槽口。本实     

一种可控硅芯片与钼片的烧结模具

本实用新型涉及一种可控硅芯片与钼片的烧结模具,包括烧结模具本体,烧结模具本体上设有多个中间开有便于纵向排气的孔,便于纵向排气的孔下方设有便于横向排气的孔,便于纵向排气的孔的顶部从上到下依次设有上层定位台阶、中层定位台阶和下层定位台阶,烧结模具本体四周开有台阶。本实用新型优点：定位精确,导热性能好,模具的通透性能好,便于真空的抽取和焊膏中助焊剂的排除。     

一种清理始极片粘结铜的方法

正专利申请号:2017110965688公布号:CN108048880A申请日:2017.11.09公开日:2018.05.18申请人:深圳市中金岭南有色金属股份有限公司丹霞冶炼厂本发明涉及一种清理始极片粘结铜的方法。本发明所述方法,包括以下步骤:将表面有粘结铜的始极片放入硫酸铁溶液中浸泡,取出后放入清水中清洗,清洗后得到清理好粘结铜的始极片;所述硫酸铁溶液可由硫酸铁、氢氧化铁、硫酸亚铁或氢氧     

工业片碱中NaOH含量的一种简便测定方法

提出工业片碱中NaOH含量的一种简便测定方法 ,并探讨了它的合理性     

硅外延的新工艺——低温液相外延

据报道,最近西德马克斯——布朗克固体研究所,已研究了一种在Ga溶液中液相外延硅的新方法,与汽相外延及一般液相外延法比较,此法具有更低的沉积温度,较高的沉积速率,品格缺陷密度低和少子寿命较高等优点。该工艺简述如下:采用浸溃法,最大的衬底尺寸     

MOS用(100)N/N~+硅外延片

本文简述了制备(100)N/N~+硅外延片的工艺条件,给出了该材料性能数据。经器件验证,其参数均达到了国际同类型器件水平,从而证明本工艺的可行性。     

砷化镓外延片、无定形硼粉、硅太阳电池技术鉴定会

在上海市经委、科委和上海市冶金局的关怀和直接参加下,上海第二冶炼厂于1980年12月23日～24日召开了砷化镓外延片、无定形硼粉,硅太阳电池三个新试、科研项目技术鉴定会。49个单位共101名代表参加了会议。     

降压药：半片＋半片≠一片

一些高血压病人在服用一阶段降压药后，血压得到了控制，便以为高血压已被治愈或被控制。为了减少服药量、降低副作用，自行把每日口服的降压药从一片减为半片。但是，过不了多久，发现血压又上升了，只得又恢复原来的药量。这种做法是否正确呢？     

一种超薄精密深拉成型的钼片轧制方法

一种超薄精密深拉成型的钼片轧制方法，涉及钼片轧制工艺，钼坯经二次热轧、二次温轧、酸洗和漂洗后，再经三次冷轧退火至所需厚度，由本方法生产的钼片，晶粒受压扩展良好，易于精密深冲拉伸，工艺操作简单，成品率高达90％，深冲拉伸成品率高达60％，     

一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用

正专利申请号:CN201811009185公开号:CN109126844A申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04申请人:厦门理工学院本发明涉及一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用,所述方法为将钼源、硝酸铵、甘氨酸混合均匀,之后加热到160～180℃,得到混合物1,加入葡萄糖,之后加热到230～280℃,获得蓬松固体,放入氢气氛围下加热到450～550℃,     

高频C-V和脉冲C-V法测试GaAs FET外延片结果差异的讨论

高频 C-V 法和脉冲 C-V 法在测试 GaAsFET 外延层的 N(x)曲线时结果是有差异的,本文对这些差异作了分析和解释。GaAs FET 外延片的理论浓度分布如图1所示。图中虚线代表一般情况下测得的     

中国钨业一片繁荣景象

2010年中国钨出口恢复到金融危机前水平，国内消费保持稳定增长，价格迅速回升，上半年，国内硬质合金行业产销两旺，拉动碳化钨以及矿价的稳步上升，三季度，硬质合金行业维持平稳运行，在消耗掉2009年大部分库存后，钨精矿出现供应短缺，从源头上拉动行业价格上涨。截至11月份，钨价仍然保持较快的上涨速度，2010年钨价拉升，主要源于钨行业基本面向好。     

一种基于钛片表面磁控溅射二硫化钼生物功能涂层的制备方法

正专利申请号:CN201811120636公开号:CN109112474A申请日:2018.09.26公开日:2019.01.01申请人:湖北大学一种基于钛片表面磁控溅射二硫化钼生物功能涂层的制备方法,包括如下步骤:(1)对钛片表面进行碱热处理;(2)通过磁控溅射系统在钛片表面溅射二硫化钼涂层。其优点是:使用磁控溅射系统可在钛片表面形成均匀的二硫化钼涂层;且磁控系统的工作气压、沉积时间、沉积速率等的设置,     

综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响

本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明，综合吸除技术不仅能有效地改善Ｗ／Ｎ＋硅外延片的电性能（τｇ）和明显地降低外延层上的表面缺陷密度，而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。     

一种制备过渡金属硫化物二维纳米片层分散液的方法

正专利申请号:CN201510663099. 8公开号:CN105293580A申请日:2015. 10. 15公开日:2016. 02. 03申请人:南京大学本发明公开了一种制备过渡金属硫化物二维纳米片层分散液的方法,将质量比为0. 01～100:1的物质A和过渡金属硫化物二维纳米片层的分散液加入到反应容器内超声,温度0～80℃,超声功率1～750 W,超声反应0. 5～72 h;超声结束进行离心洗涤,得到分散在不同体系中的功能化产品的分散液;其中,物质A为HS(CH2)nR,R为COOH、NH_2、OH或SH,n=2、3、4。该方法操作简单,操作条件