温度循环对半导体集成电路气密性的影响

研究了温度循环对半导体集成电路气密性的影响，阐述了影响集成电路管壳气密性的各种因素；提出了一种摸底试验的方法；对5种集成电路管壳进行了温度循环试验，并对试验结果进行了分析。就试验的几种外壳来看，至少可以经受1000次温度循环，其气密性仍然满足要求。     

热应力对半导体分立器件失效率的影响

本文通过对大量现场和试验可靠性数据的统计分析，论证了采用阿伦尼斯模型描述热应力对半导体分立器件失效率影响的适用性。     

内部水汽对半导体器件可靠性影响的研究

由于各种原因,国内对器件内腔水汽的危害还没给予充分重视和有效控制,器件内部水汽含量较高,使之在环境温度低于封装内水汽露点温度的条件下工作与贮存时容易发生失效,对器件可靠性直接造成威胁,是个急待解决的问题。本研究目的在于了解国产军用密封半导体器件内部水汽现状及其对可靠性的影响,探讨揭示内部水汽问题的有效试验方法,寻求降低水汽影响,提高器件可靠性的主要途径。     

塑料封装对半导体器件质量的影响

本文论述了半导体器件失效的原因,并就如何提高器件的质量,尤其是可靠性的提高,从工艺角度和材料要求方面作了分析和探讨。     

高功率微波和电磁脉冲对半导体器件辐射损伤的研究

主要讨论高功率微波和电磁脉冲对半导体分立器件和集成电路的辐射损伤机理，在此基础上提出有关对策，以便提高器件抗ＨＰＭ和ＥＭＰ的能力。     

侧风扩散对半导体器件模拟结果的影响

SG方法内在地具有侧风扩散现象。为了分析它对半导体器件模拟结果的影响，文中提出了一种精度高于SG方法的离散方法，然后将该方法插入到MINIMOS4．0中。离散方程采用ILUCGS方法求解。数值结果表明，半导体器件模型中的漂移项必须用高精度的离散方法离散，否则得到的数值结果不能体现物理模型的真实解。     

温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响

对加固型ＣＣ４００７ＮＭＯＳ器件进行了低温（－３０℃）和室温（２５℃）γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果，利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型，分析了辐射环境温度、辐射剂量率以及退火温度对ＮＭＯＳ器件迁移率的影响。     

封装气密性对半导体集成电路可靠性的影响

封装气密性的重要性已日益为人们所认识,在半导体集成电路的实际使用及可靠性研究过程中,已发现许多电路的失效是由于封装气密性差而引起的。为此,许多使用单位对半导体集成电路封装的气密性提出了种种要求。当然,在其它条件相同的情况下,气密性愈好,电路的可靠性愈好。但气密性要求愈高,必然要对封装质量提出更高的要求,而且将直接影响封装成品率,目前的检漏设备也不可能达到过高的检漏精度要求。因此,弄清楚封装气密性对电路可靠性的影响是十分必要的,它将有助于我们对集成电路的封装气密性提出一个合理的检验要求。     

新型功率半导体器件发展之我见

新型功率半导体器件既具有广阔的市场需求,又与风电、光伏、有轨交通等新兴产业密不可分,具有节能、节材、环保等效益,对促进可持续发展有重要意义。宽禁带半导体是功率器件实现飞跃的突破口,将引领功率器件发展的新时代。     

空间分辨率对半导体器件光学测温结果的影响

从空间分辨率的定义出发,指出物镜的数值孔径和光的波长是决定光学仪器空间分辨率的主要因素。给出了空间分辨率影响半导体器件结温检测结果准确度的原理。对GaN HEMT进行了不同空间分辨率下的显微红外温度检测,较低空间分辨率下的测温结果低于高空间分辨率下的测温结果,证明空间分辨率的不足会导致温度测量结果偏低。     

电力半导体器件在汽车工业中的应用

阐述了电力半导体器件与汽车工业的关系、在电动汽车中的应用及其在未来的汽车电子化中不可低估的作用。     

关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究

根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性.测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实.提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷.     

功率半导体器件辐射效应综述

功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了简单介绍。     

半导体分立器件的可靠性工艺控制方法

重点介绍了国内外半导体器件制造工艺与器件可靠性的相关性报道：工艺缺陷、微缺陷、关键工艺对器件质量和可靠性的影响及其控制方法；还介绍了关键工艺控制点的确定及其参数控制范围以及生产高质量、高可靠性器件的工艺环境的控制要求。     

集成半导体器件的工作稳定性与频响设计

本文用频响特性与试验研究相结合的方法,对三个微电子产品实例进行模拟,讨论了如何设计补偿元件,防止自激振荡,保证闭环稳定且满足各项性能指标要求的问题。     

半导体吸收式光纤温度传感器

利用半导体光吸收原理,设计了一种可在高压、强电磁干扰环境下应用的温度传感器,系统引入了参考光源和光纤通信用组件,大大减少了光源强度变化及光纤连接损耗对传感器的影响,提高了系统的探测距离和稳定性.     

三代半导体功率器件的特点与应用分析

以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。