外加磁场直拉法

据日本《金属时评》1984年9月№1199报道,日本硅公司和小松电子金属公司采用了在外加磁场情况下用直拉法拉制单晶的所谓外加磁场直拉法(MCZ法—Magnetic Field     

磁场中直拉单晶工艺技术进展

附加磁场的熔体直拉法(MCZ法)是近年开发的一种颇有前途的生长优质硅单晶的新工艺技术。由于磁场抑制了硅熔体中的热对流,减少了熔体的温度波动,因而能减少晶体的生长条纹,降低或控制晶体中的氧含量,提高晶体结构完整性,显著降低单晶硅片的翘曲度,并能拉制高阻硅单晶。从而为超大规模集成电路提供了优质硅材料。本文系统论述了MCZ法的发展历史、方法与原理、工艺与设备、近年的新成果和发展前景。     

MCZ硅单晶

MCZ硅单晶即磁场直拉硅单晶,于1980年由日本索尼公司首先拉制成功,至今已五年多,在这段时间里,无论对磁场直拉工艺的研究,还是对该材料在应用领域的研究都取得了很大进展。当器件集成度进入兆位时代后,为提高器件性能和合格率,对硅单晶的质量要求就更加严格,由于MCZ硅的优越性非常突出,     

拉制硅单晶的两项新技术

日本三菱材料及大阪钛制造两公司分别开发出两项拉制硅单晶的新技术.三菱材料公司开发的连续 MOZ 法,是将边加磁场边拉制的磁控管 CZ(MCZ)法与传统的切克劳斯基单晶拉制法(直拉法)组合,可将影响半导体特性的氧浓度降低,能在较宽范围内控制氧的浓度,而且,在拉制中添加的杂质(掺杂剂)浓度也可保持均匀.     

纵向磁场拉制硅单晶的工艺研究

用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。作者采用VMCZ法详细地研究了磁场对硅熔体波动、温度起伏的影响,进而研究了磁场对热场分布、磁场对硅单晶中杂质的分布、磁场对硅单晶中氧、碳含量、磁场对硅单晶中微缺陷等的影响。发现:VMCZ的结果与资料报导的HMCZ数据相比有较大差别。通过调整拉晶参数也只能有限度地改善硅单晶的性能。     

日本硅公司连续直拉硅单晶正式投入生产

日本硅公司和三菱材料公司开发了半导体单晶硅的连续直拉法——SCCZ 法,日本硅公司新建了一台专用炉,经试生产,从91年8月起正式投产并开始出售产品。生产能力为每月生产一万片5英寸硅片。此外,还在6英寸试验炉上连续直拉成功2米多长的单晶硅。其它硅厂也在进行连续直拉法的研     

日本硅公司连续直拉硅单晶正式投入生产

日本三菱材料公司和日本硅公司开发了半导体用单晶硅连续直拉法(SCCZ法),日本硅公司新装一台连续直拉专用炉,经连续试验后定于1991年8月正式投入生产。三班工作月产量可达到1万片(5时硅片),建立了批量生产的正式供应体制。利用试验设备生产的4时硅片已于1990年秋季开始销     

制管试验中硅单晶质量的探讨

一、概述我厂是国内第一个在浙江大学“A—F硅烷法”小试成功的基础上,用硅烷法工业生产多晶硅并同时拉制单晶硅的半导体材料厂。由于硅烷法制取的多晶硅纯度高,因而用这类多晶所拉制的单晶无论从单晶的内在质量方面还是从制造器件的成品率与优品率上都越来越显示出其独特优点。据有关器件厂反映,在一些对单晶材料有较高要求的高反压大功率晶体管、PIN微波二极管、辐射探测器等器件制管     

中硅高科多晶硅深加工75兆瓦硅片项目全线投产

由中国恩菲控股的中硅高科多晶硅深加工75兆瓦硅片项目顺利投产,第一批8英寸硅片已于4月1日成功下线。该项目包括单晶拉棒、多晶铸锭及线切等内容。该项目2010年9月1日开始施工,2011年1月14日第一根单晶硅棒拉制成功,3月30日生产出第一炉多晶硅锭,4月1日,生产出第一批硅片,经检测各项指标均符合国家标准。至此,项目历时7个月全线投产,中硅高科在太阳能全产业链上的布局首战告捷,为后续产能扩张奠定了坚实的基础。     

世界半导体硅工业新动向

文章从技术和市场两方面概括了近年来世界半导体硅工业的新动向。评述了单晶中的氧行为,CLF-CZ、FCCZ、MCZ等方法的应用,分析了硅工业的发展方向与国际市场的变化。     

半导体硅生长工艺的发展动向

在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF—CZ)等一些新方法。对这些方法最近的发展动向,本文将分别加以讨论。     

中硅高科多晶硅深加工75兆瓦硅片项目全线投产北大核心

由中国恩菲控股的中硅高科多晶硅深加工75兆瓦硅片项目顺利投产,第一批8英寸硅片已于4月1日成功下线。该项目包括单晶拉棒、多晶铸锭及线切等内容。该项目2010年9月1日开始施工,2011年1月14日第一根单晶硅棒拉制成功,3月30日生产出第一炉多晶硅锭,4月1日,生产出第一批硅片,经检测各项指标均符合国家标准。至此,项目历时7个月全线投产,中硅高科在太阳能全产业链上的布局首战告捷,为后续产能扩张奠定了坚实的基础。     

装备动态

2835型单晶炉一个操作周期为8小时2835型单晶炉能够拉制直径为2英寸、长度为16英寸的单晶,采用电阻加热,石英坩埚容量为680CC。该单晶炉很容易操作,生产周期短,拉制一公斤的单晶硅生产周期为8小时,而大型单晶炉加料量为20公斤时,生产周期需24小时。该单晶炉由带水冷的主炉室和副炉室、石墨加热器、坩埚和籽晶的升降及旋转机构组     

国外硅材料的最新发展

本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料质量在纯度方面已能满足器件要求,只是单晶微缺陷和其它性能仍在进行研究。NTD硅单晶已经成为质量很好的商品。文内还对CZ法的ACRT和MCZ工艺以及太阳电池级硅材料作了介绍。     

一种生产单晶硅的新方法

美国麻省理工学院的科学家们首次在非硅衬底上生长出单晶硅。集成电路和太阳电池一般皆由单晶硅制成,因此该工艺为这两者的制造开创了革新途径。     

切克劳斯基硅熔体中液流图式研究

单晶硅目前是电子工业中最重要的材料。尽管已经知道用直拉法(SZ法)生长的硅单晶的某些特性——例如旋涡缺陷——与熔体流动情况有密切关系,因而迫切要求了解它的熔体流动图,但由于硅熔体是强腐蚀剂,关于它的流体行为的物理测量很困难,精确地获得硅熔体流动图目前尚不可能。近年来,国外一些学者引用流体动力学对 CZ 法硅熔体做了很多理论估计。在这个     

单晶硅价格下降

据日刊〈稀有金属新闻〉报道,被称为高速增长产业冠军的硅产业出现短时的供给过剩。但由于出现产品的高质量竞争而使成本提高,又不能提高价格。器件制造厂要求单晶硅降价5～10%。已经初步决定,于1988年下半期1兆位用5时和6时单晶硅产品降价3～4%,而其它规格产品价格几乎持     

海绵钛高温除气法净化回收氩

一、前言氩气是生产单晶硅的主要原辅材料。由于氩气直接与熔硅接融,其纯度直接影响单晶硅的质量,所以单晶硅生产一般要求氩气的纯度达99.999%或更高。我厂是生产单晶硅的骨干厂,生产中需要大量的高纯氩气。这种高纯氩气价格昂贵,1980年以前,每立方米25元(液氩每立升14元)。     

回收单晶硅片切割浆料冶炼锰硅合金的试验研究

通过在烧结锰矿时添加一定量的单晶硅片切割过程中产生的废浆料,来提高烧结锰矿中SiO_2的含量,加入矿热炉后进行锰硅合金的冶炼,不仅有效降低了硅石消耗,带来经济收益,同时对单晶硅片切割浆料进行资源回收利用处理,避免其对生态环境造成污染,实现了经济循环发展,具有一定的社会及环境意义。     

河南洛单成功拉制8英寸电路级单晶硅棒

正日前,洛阳单晶硅集团有限责任公司(洛单集团)成功拉制8英寸电路级单晶硅棒,标志着洛单集团年产36万片8英寸硅抛光片项目试生产成功,将进一步提升我国硅片行业国产化水平。单晶硅棒是制造芯片的原材料,8英寸单晶硅抛光片是制作16～64 MB存储器的主要材料,长期以来依赖进口,目前90%还靠进口,严重影响我国