共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
研究了在光学元件上的氧离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜层与离子能量(30-500电子伏特)和离子流密度(0-300微安/厘米~2)的关系。证实了低能和高能离子轰击场能改善SiO_2膜的化学配比,而在低能情况其改善略为大些。对于TiO_2膜,低能轰击能改善化学配比,而高能轰击反而导致明显不利。在高能离子辅助淀积的SiO_2薄膜中氢含量减少到1/10。在低温基片上(50-100℃)制备了牢固的膜层。讨论了膜层的内应力特性。 相似文献
4.
实验淀积膜所用设备的结构图示于图1。由扩散泵浦真空系统产生的基本压力为10~(-4)Pa。用电子束蒸发器淀积薄膜。25mm直径BK7抛光玻璃试验衬底装在蒸发料源上方420mm处,可用Kanfman离子枪以34°入射再辐照。膜淀积的光学控制是由透射或反射光完成。采用离子束进行辅助淀积的所有试样,所用氩离子能量为700eV,离子束电流密度为150mAm(-2)(像法拉弟帽所测的那样)。并设想将离子束能量或电流最佳化。通过淀积光透过率约为5%的对溶剂灵敏的银和铝膜来制备试样(这透过率对 相似文献
5.
本文报道在室温基片上淀积MgF_2膜时用惰性气体离子轰击的情况。证明低能(<250eV/离子)轰击薄膜能大大增加其耐磨性和附着力,而其光学性能无明显下降。这一技术的成功对温度敏感的基底上淀积牢固膜层有广泛的意义。 相似文献
6.
研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生长了具有(100)和(111)取向的CeO2外延薄膜;研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响.研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面/界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质. 相似文献
7.
研究了 Ce O2 作为高 K (高介电常数 )栅介质薄膜的制备工艺 ,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用 N离子轰击氮化 Si衬底表面工艺对 Ce O2 薄膜的生长及其与 Si界面结构特征的影响 ,利用脉冲激光淀积方法在 Si(10 0 )衬底生长了具有 (10 0 )和 (111)取向的 Ce O2 外延薄膜 ;研究了 N离子轰击氮化 Si衬底表面处理工艺对 Pt/ Ce O2 / Si结构电学性质的影响 .研究结果显示 ,利用 N离子轰击氮化 Si表面 /界面工艺不仅影响 Ce O2 薄膜的生长结构 ,还可以改善 Ce O2 与 Si界面的电学性质 相似文献
8.
热蒸发或溅射制得的光学透明介质膜,由于它的渗透和不稳定,使其在许多应用上受到限制。本文报导了由离子束辅助淀积的介质保护膜,与通常淀积技术制得的薄膜相比具有相当大的改进。这一结论能用离子辅助淀积薄膜的填充密度比通常蒸镀方法获得的松散柱状微细结构膜层的填充密度大来解释。另外,金属膜层用离子轰击获得相当稳定的结构,并大大改善了膜层的附着力。基底表面的光洁度影响了这些膜层的抗化学腐蚀能力。 相似文献
9.
CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度,淀积速率,氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生成了具有(100)和(111)取向的CeO2外延薄膜,研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响,研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面/界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质。 相似文献
10.
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀积SiN_x的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1~2×10~(11)eV~(-1) cm~(-2)。 相似文献
11.
12.
本文报道了以四氯化钛(TiCl_4)和硅烷(SiH_4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备硅化钛薄膜的方法;着重研究了气体流量比变化对薄膜电阻率、淀积速率以及化学组成的影响,通过实验获得了制备优良硅化钛薄膜的最佳气流比条件。 相似文献
13.
实验在真空度为2×10~(-4)Pa的普通扩散泵浦高真空室中淀积MgF_2膜。当离子源工作时,这真空度降到10~(-2)Pa(充了氩气)。膜淀积在热源上方40cm处的25×12mm石英玻璃和PMMA衬底上。Kaufman型离子枪在衬底下方30cm处,与衬底法线成30°角。加了负偏压的1cm~2的离子探针用陶瓷架同蒸发物流隔开。淀积速率和膜的厚度用石英晶体控制。膜均以5A/Sec的速率淀积。参考膜不用离子束辅助法制作:一组淀积在室温衬底上,另一组淀积在加热到300℃的衬底上。用离子束 相似文献
14.
本文介绍用离子辅助淀积法制作的Ta_2O_5和Al_2O_3薄膜的特性。测量了用不同的离子能(300、500及1000eV)和离子流密度(0~200μAcm~(-2)轰击制作的膜的折射率和消光系数。 相似文献
15.
16.
本文介绍了离子辅助淀积技术中用的离子枪结构、特点以及在塑料透镜上镀氟化镁、各种氧化物材料及多层膜过程中应用离子辅助淀积技术获得优质的薄膜。 相似文献
17.
18.
在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了 60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层。样品在退火前后 ,用二次离子质谱仪 (SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定 ,原子力显微镜 (AFM)分析了钽薄膜的形貌结构。研究发现不同淀积速率制作的钽膜由于其结构的差异对铜硅互扩散有着不同的阻挡效果 ,并提出样品在退火时 ,薄膜晶粒的重结晶过程是导致阻挡层失效的重要因素之一 相似文献
19.
20.
离子束辅助淀积薄膜工艺是目前国内外薄膜界关心的课题。采用离子源进行离子束辅助淀积光学薄膜是八十年代国际上发展起来的新技术、新工艺。为尽快赶上世界先进水平,航天部三院8358所从84年7月开始,经过两年艰苦努力,精心探索,成功地研制出复合栅离子源装置,并使用该离子源对不同参数条件下淀积薄膜工艺进行了研究,获得了一套成熟工艺,制备出高质量光学薄膜。为我国光学镀膜开辟一条新的工艺途径。 相似文献